【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及开关电源，尤其涉及一种用于提高llc拓扑效率的sr死区控制方法。
技术介绍
1、随着全球范围内对能源消耗及环境保护的日益重视，如何提高电源转换效率成为关注的主题，特别是在小体积高功率密度电源应用中尤为重要。llc谐振变换器具有结构简单、效率高、功率密度高等特点，因此被广泛应用。在副边整流器应用中，由于同步整流技术采用mosfet代替副边二极管，mosfet上的电压降远低于典型的二极管正向电压，对于提高dc/dc变换器的效率的作用毋庸置疑。
2、常规电路中，原边llc驱动信号与副边同步整流驱动信号由同一个控制芯片产生，理想情况下，原副边mos管驱动时序一致，由于llc谐振变换器原副边存在变压器，因此llc驱动信号需通过隔离电路与副边进行隔离。为了保证dc/dc变换器同步整流正常有效的工作，设计时对于mos管驱动电路产生的驱动信号具有一定的要求。两个mos管sr1，sr2的驱动信号为互补信号，同时为了防止两个mos管同时导通，造成变压器副边短路的情况，通常需要设置一定的死区时间。而驱动信号的死区时间不宜过长，死区过长将导致电流流过两个mos管的体二极管的时间过长，导通损耗增大，影响同步整流的效果，当同步整流管关断晚于最佳关断点，副边电流会对llc谐振变换器原边谐振槽的工作状态产生影响，引起谐振电流的畸变。此外，由于驱动信号通过光耦隔离，llc实际驱动关闭延迟于控制器设定关断时间，导致sr关断时刻早于llc关断时刻，在此期间副边电流流过mos管二极体导通损耗偏大。
3、因此，有必要提供一种用于提高
技术实现思路
1、本专利技术公开了一种用于提高llc拓扑效率的sr死区控制方法，适用于llc谐振拓扑对效率要求较高的电源设备，其可以有效解决
技术介绍
中涉及的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术的技术方案为：
3、一种用于提高llc拓扑效率的sr死区控制方法，包括以下步骤：
4、s1、llc拓扑连接负载，并运转电路；
5、s2、计算该负载下电路的谐振频率fres；
6、s3、确定该负载下llc工作频率大于谐振频率时的sr的最大延时时间tex；
7、s4、确定该负载下llc关断的延时时间t2；
8、s5、确定llc拓扑工作的负载情况，当llc工作频率大于谐振频率fres时，副边sr电路延时llc电路t3时间关断，t3=t2+tex。
9、具体的，一种软件控制方法，减少副边电流流过mos管二极体时长，从而降低导通损耗，提高llc谐振效率的控制方法。首先，需要对控制器llc驱动信号和经过光耦隔离的原边llc驱动延时t2进行量测，其次，需要量测出不同负载条件下和不同llc工作频率条件下，sr最大关机延时间tex，将测量值t2和tex作为控制参数，通过软件方式对sr导通关断延时时间进行补偿，控制器根据llc工作频率和输出负载，算出对应的llc与sr驱动，在安全可靠的前提下，使得同步整理效果最佳，从而提高llc变换器整体效率。
10、作为本专利技术的一种优选改进：所述llc拓扑包括原边llc电路和副边sr电路，原边llc电路连接副边sr电路，副边sr电路连接负载，原边llc电路和副边sr电路的驱动信号由同一个控制芯片发出，控制芯片通过光耦隔离电路与原边llc电路连接。
11、作为本专利技术的一种优选改进：所述步骤s2中，，其中为原边llc电路的谐振电感感量，为原边llc电路的谐振电容容量。
12、作为本专利技术的一种优选改进：所述步骤s3中，通过示波器量测出最大延时时间tex。
13、作为本专利技术的一种优选改进：所述步骤s4中，通过示波器量测出延时时间t2。
14、作为本专利技术的一种优选改进：所述步骤s4和所述步骤s5之间还包括步骤sq；
15、步骤sq、更换负载，重复步骤s1-s4，获得不同负载下电路工作所对应的tex、fres和t2。
16、作为本专利技术的一种优选改进：所述步骤s5还包括，llc工作频率小于或等于谐振频率fres时，固定副边sr电路导通时长tres，tres=1/fres。
17、本专利技术的有益效果如下：
18、当llc工作在谐振频率以上时，通过软件方式延时sr关闭时间，减少sr的mos管二极体导通时间，从而减小导通损耗，通过软件方式消除硬件延时导致的mos导通损耗，从而提高llc变换器的整体效率。
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1.一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法，其特征在于：所述LLC拓扑包括原边LLC电路和副边SR电路，原边LLC电路连接副边SR电路，副边SR电路连接负载，原边LLC电路和副边SR电路的驱动信号由同一个控制芯片发出，控制芯片通过光耦隔离电路与原边LLC电路连接。
3.根据权利要求2所述的一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法，其特征在于：所述步骤S2中，，其中为原边LLC电路的谐振电感感量，为原边LLC电路的谐振电容容量。
4.根据权利要求1所述的一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法，其特征在于：所述步骤S3中，通过示波器量测出最大延时时间TEX。
5.根据权利要求1所述的一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法，其特征在于：所述步骤S4中，通过示波器量测出延时时间T2。
6.根据权利要求1所述的一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法，其特征在于：所述步骤S4和所述步骤S5之间还包括步骤SQ；
7.根据权利要求1所述的一种用于提高LLC拓扑效率的SR死区控制方法，其特征在于：所述步骤S5还包括，LLC工作频率小于或等于谐振频率FRES时，固定副边SR电路导通时长TRES，TRES=1/FRES。
...【技术特征摘要】
1.一种用于提高llc拓扑效率的sr死区控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于提高llc拓扑效率的sr死区控制方法，其特征在于：所述llc拓扑包括原边llc电路和副边sr电路，原边llc电路连接副边sr电路，副边sr电路连接负载，原边llc电路和副边sr电路的驱动信号由同一个控制芯片发出，控制芯片通过光耦隔离电路与原边llc电路连接。
3.根据权利要求2所述的一种用于提高llc拓扑效率的sr死区控制方法，其特征在于：所述步骤s2中，，其中为原边llc电路的谐振电感感量，为原边llc电路的谐振电容容量。
4.根据权利要求1所述的一种用...
【专利技术属性】
技术研发人员：李小贝，龙冬冬，
申请(专利权)人：广东高斯宝电气技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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