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模拟开关制造技术

技术编号:41270938 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-11 09:25
本发明专利技术公开了一种模拟开关,通过偏置电压输出电路接收所述外部电源提供的电压信号,并向所述开关电路输出偏置电压;控制电路接收所述主控电路输出的电平信号,并使所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路导通或截止;所述开关电路在所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路导通时,接收所述偏置电压,所述第一高压设备和所述第二高压设备为非隔离状态;当所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路截止时,所述开关电路停止接收所述偏置电压,所述第一高压设备和所述第二高压设备为隔离状态,实现了对高压设备间的隔离,提高了使用效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及开关,尤其涉及一种模拟开关


技术介绍

1、在集成电路设计中,模拟开关经常用于信号传输过程中的路径切换或设备间的隔离,最常用的用法是采用时钟信号控制模拟开关的通断,从而使输入端的输入信号周期性的从输出端导出。一般希望在信号传输过程中,其衰减尽可能的小,反映到模拟开关上,就是输入信号的电压在经过开关后,压降较低,这一般通过尽可能降低模拟开关的导通阻抗来实现。现有技术中的模拟开关仅能控制工作电压是3.3v或5v以内的设备,也即无法实现对高电压设备的隔离,降低了使用效率。


技术实现思路

1、基于此,有必要针对上述问题,提出了一种模拟开关。

2、一种模拟开关,包括:

3、偏置电压输出电路,输入端与外部电源连接,输出端与开关电路的触发端连接,用于接收所述外部电源提供的电压信号,并向所述开关电路输出偏置电压;

4、控制电路,输入端与主控电路连接,输出端连接于所述偏置电压输出电路的输出端和所述开关电路的触发端之间,用于接收所述主控电路输出的电平信号,并使所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路导通或截止;

5、所述开关电路,输入端与第一高压设备连接,输出端与第二高压设备连接,当所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路导通时,用于接收所述偏置电压,所述第一高压设备和所述第二高压设备为非隔离状态;当所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路截止时,所述开关电路停止接收所述偏置电压,所述第一高压设备和所述第二高压设备为隔离状态。</p>

6、在一个实施例中,

7、当所述电平信号为高电平时,所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路截止;

8、当所述电平信号为低电平时,所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路导通。

9、在一个实施例中,所述偏置电压输出电路包括:第一电阻、第二电阻和二极管;

10、所述第一电阻的一端与所述外部电源连接,所述第一电阻的另一端与所述第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端与所述二极管的阴极连接,所述二极管的阴极和阳极均与所述开关电路的触发端连接。

11、在一个实施例中,所述控制电路包括:第三电阻和第一mos管;

12、所述第三电阻的一端与所述主控电路连接,所述第三电阻的另一端与所述第一mos管的栅极连接,所述第一mos管的漏极与所述第二电阻的另一端连接,所述第一mos管的源极接地。

13、在一个实施例中,所述开关电路包括:第二mos管和第三mos管;

14、所述第二mos管的漏极与所述第一高压设备连接,所述第二mos管的源极与所述二极管的阳极和所述第三mos管的源极连接,所述第二mos管的栅极与所述二极管的阴极连接和所述第三mos管的栅极连接;

15、所述第三mos管的漏极与所述第二高压设备连接。

16、在一个实施例中,所述第一mos管为nmos管。

17、在一个实施例中,所述第二mos管和所述第三mos管均为nmos管。

18、在一个实施例中,所述电平信号为0v或3.3v-5v。

19、在一个实施例中,所述第一高压设备和所述第二高压设备的工作电压范围为0v-500v。

20、实施本专利技术实施例,将具有如下有益效果:

21、本申请通过偏置电压输出电路接收所述外部电源提供的电压信号,并向所述开关电路输出偏置电压;控制电路接收所述主控电路输出的电平信号,并使所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路导通或截止;所述开关电路在所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路导通时,接收所述偏置电压,所述第一高压设备和所述第二高压设备为非隔离状态;当所述偏置电压输出电路和所述开关电路之间的通路截止时,所述开关电路停止接收所述偏置电压,所述第一高压设备和所述第二高压设备为隔离状态,实现了对高压设备间的隔离,提高了使用效率。

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【技术保护点】

1.一种模拟开关,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的模拟开关,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的模拟开关,其特征在于,所述偏置电压输出电路包括:第一电阻、第二电阻和二极管;

4.根据权利要求3所述的模拟开关,其特征在于,所述控制电路包括:第三电阻和第一MOS管;

5.根据权利要求1所述的模拟开关,其特征在于,所述开关电路包括:第二MOS管和第三MOS管;

6.根据权利要求4所述的模拟开关,其特征在于,所述第一MOS管为NMOS管。

7.根据权利要求5所述的模拟开关,其特征在于,所述第二MOS管和所述第三MOS管均为NMOS管。

8.根据权利要求2所述的模拟开关,其特征在于,所述电平信号为0V或3.3V-5V。

9.根据权利要求1所述的模拟开关,其特征在于,所述第一高压设备和所述第二高压设备的工作电压范围为0V-500V。

【技术特征摘要】

1.一种模拟开关,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的模拟开关,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的模拟开关,其特征在于,所述偏置电压输出电路包括:第一电阻、第二电阻和二极管;

4.根据权利要求3所述的模拟开关,其特征在于,所述控制电路包括:第三电阻和第一mos管;

5.根据权利要求1所述的模拟开关,其特征在于,所述开关电路包括:第二mos管和第三mos管;<...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗林黄良军曾彬
申请(专利权)人:深圳市博亿精科科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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