射线探测器及制作方法技术

本申请提供了一种射线探测器及制作方法，该射线探测器包括：像素晶体，具有相对设置的第一主面和第二主面；公共电极和像素电极，分别相对设置于第一主面和第二主面；其中，像素晶体包括若干呈阵列排布的独立像素单元；相邻独立像素单元之间具有一沟槽，沟槽的侧壁和底面具有绝缘层，绝缘层之间的缝隙填充有隔离层。本申请提供的射线探测器通过将初始晶体分割为独立像素单元，并对独立像素单元拼接成像素晶体再填充绝缘层和隔离层的方式，有效解决了CdTe/CZT探测器中晶体有效面积受生长工艺限制的问题，降低了大尺寸晶体的制备成本，绝缘层和隔离层有效阻断晶体内部产生的电子云扩散问题，解决了探测器内晶体中的“电荷共享”问题，提高了使用性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及x射线探测，特别是涉及一种射线探测器及制作方法。

技术介绍

1、x射线探测装置是利用x射线对物体的穿透、差别吸收、感光及荧光作用，将物体各部分的密度分布信息投射到x射线采集和成像装置上，形成相应的影像，从而观察物体内部构造和情况。x射线探测装置由于可以实现对被检测物体的非破坏性探测和评估，在医学、工业、安全领域的无损检测方面有着广泛的应用。

2、作为一种可在室温下工作的γ和x射线探测器材料，碲锌镉(cdznte，以下简称czt)或碲化镉(cdte)因具有较高的原子序数，对高能量的γ和x射线具有较高的探测效率，从而被广泛研究。

3、然而，cdte/czt探测器在实际制备和使用过程中，普遍存在以下问题：一方面，当能量高于晶体材料k-边的x射线入射后，晶体产生的次级x射线可能会在相邻晶体内发生能量沉积，生成响应信号，被相邻像素电极捕获，同时晶体内部产生的电子云在向阳极的漂移运动中，有概率扩散到相邻像素电极，被同时捕获，导致漏计数或多计数，引起“电荷共享”问题。另一方面，受晶体生长工艺的限制，大直径(d≥30mm)的cdte/cz本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种射线探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述沟槽的宽度为50μm～500μm。

3.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述沟槽在所述第二主面具有一开口，所述开口的宽度大于所述沟槽的宽度。

4.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.01μm～10μm。

5.根据权利要求1或4所述的射线探测器，其特征在于，所述绝缘层的材料至少包括二氧化硅、氮化硅或聚酰亚胺中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述隔离层的厚度为40μm～...

【技术特征摘要】

1.一种射线探测器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述沟槽的宽度为50μm～500μm。

3.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述沟槽在所述第二主面具有一开口，所述开口的宽度大于所述沟槽的宽度。

4.根据权利要求1所述的射线探测器，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.01μm～10μm。

5.根据权利要求1或4所述的射线探测器，其特征在于，所述绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯刘昊东，罗宏德，金利波，
申请(专利权)人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：