【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的生产制造领域，特别是六英寸特大功率可控硅元 件用陶瓷外壳的工艺方法。
技术介绍
传统的热压注成型工艺，其特点是能解决结构复杂的陶资一次成型，但热 压注成型的缺点是，只能生产规格较小的陶瓷坯体，用此方法生产大件产品难度很大，目前国内可控硅陶瓷外壳的最高水平是5英寸。伴随着晶闸管向大直径、 高功率发展，陶瓷外壳的制造技术也在不断进步，直径/人最初的半英寸发展到 现在的6英寸，结构也发生了很大的变化，生产厂家也逐步走向专业化。国际上 目前晶闸管的最高生产水平是6英寸、8500V/4000A,国外生产采用等静压成型 方法先加工简单的环形坯体，再利用精密机床加工成所需的形状。该方法设备 投入大，工艺繁瑣，制作成本高。而传统的热压注成型工艺工作效率低且其产 品容易产生裂变。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对上述现有技术现状，而提供一种工艺 简单、成本低但工作效率高、产品裂变小的六英寸特大功率可控硅元件用陶覺 外壳的工艺方法。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案为制造六英寸特大功率可控 硅元件用陶瓷外壳的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤a)原料制备；b) 成型；c)排蜡；d)烧结；e)施釉；所述步骤a)中，在球磨前，加植物油酸为粉料重量的0.3%,进行球磨，时 间为12小时；球磨开始后2小时，加植物油酸0.3%; ^求磨开始后4小时，再 加植物油酸0.2%;所述步骤b)中，料浆温度为70-75°C,压力为0.6-0.8MPa,保压时间8-10秒； 使用气缸压紧模具，模具型腔厚度为15mm以上；所述步骤c)中，加热控制系统...
【技术保护点】
六英寸特大功率可控硅元件用陶瓷外壳的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：ａ）原料制备；ｂ）成型；ｃ）排蜡；ｄ）烧结；ｅ）施釉； 所述步骤ａ）中，在球磨前，加植物油酸０．３％（粉料重量），进行球磨，时间为１２小时；球磨结束后２小时，加植 物油酸０．３％；球磨结束后４小时，再加植物油酸０．２％； 所述步骤ｂ）中，料浆温度为７０－７５℃，压力为０．６－０．８ＭＰａ，保压时间８－１０秒；使用气缸压紧模具，模具型腔厚度为１５ｍｍ以上； 所述步骤ｃ）中，加热控制系统使用可 控硅配套程控智能表进行控制； 所述步骤ｄ）中，烧结温度为１７００℃，时间为３０小时。
【技术特征摘要】
1、六英寸特大功率可控硅元件用陶瓷外壳的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤a)原料制备；b)成型；c)排蜡；d)烧结；e)施釉；所述步骤a)中，在球磨前，加植物油酸0.3％(粉料重量)，进行球磨，时间为12小时；球磨结束后2小时，加植物油酸0.3％；球磨结束后4小时，再加植物油酸0.2％；所述步骤b)中，料浆温度为70-75℃，压力为0.6-0...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱洪卿，朱兴，
申请(专利权)人：无锡市天宇精密陶瓷制造有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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