【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及导电玻璃，具体涉及一种tco导电玻璃及其制备方法以及应用。
技术介绍
1、tco(transparent conductive oxides)玻璃，即透明导电氧化物镀膜玻璃，是在平板玻璃表面通过物理或者化学镀膜的方法均匀镀上一层透明的导电氧化物薄膜(tco薄膜)，薄膜材料主要包括铟(in)、锑(sb)、锌(zn)和镉(cd)的氧化物及其复合多元氧化物。从物理性能上来讲，tco薄膜又是一种半导体光电材料，能够通过掺杂等手段增加载流子数量从而使系统呈现简并特性，由于具有禁带宽、电阻率低、可见光区光透射率高以及红外光谱区光反射率高等优良的光电特性，长期以来被广泛应用于太阳能电池、平板显示器、有机发光二极管、低辐射玻璃、特殊功能窗涂层、透明薄膜晶体管及柔性电子器件等领域。
2、氟掺杂氧化锡是tco导电玻璃中性能较为优异的一种，在目前的太阳能电池领域中得到了广泛的应用，其中，氟掺杂氧化锡是作为tco导电玻璃的技术核心，对于tco导电玻璃的电学性能和光学性能起着决定性的作用。但是，现有技术中，氟掺杂氧化锡时，膜层厚度一定，存在氟在膜层中的掺杂浓度达到最优后，tco导电玻璃的电阻难以进一步降低的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提出一种tco导电玻璃及其制备方法以及应用，旨在解决现有技术中，氟掺杂氧化锡时，膜层厚度一定，存在氟在膜层中的掺杂浓度达到最优后，tco导电玻璃的电阻难以进一步降低的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提出一种tco导
3、可选地，所述第一透明导电层中，氟元素与锡元素的质量比为1：(35～50)。
4、可选地，所述第一透明导电层的厚度为a，所述第二透明导电层的厚度为b，205nm≤a+b≤1000nm。
5、可选地，所述基板与所述导电层之间设有第一阻隔层。
6、可选地，所述第一阻隔层的成分包括sioxcy、sio2、si3n4以及snsiox中的一种。
7、可选地，所述第一阻隔层与所述导电层之间设有第二阻隔层。
8、可选地，所述第二阻隔层的成分包括sio2或si3n4。
9、可选地，所述基板与所述导电层之间设有底涂层。
10、可选地，所述底涂层的成分包括sno2、tio2以及zno中的一种。
11、可选地，所述导电层的远离所述基板的一侧设有表面层。
12、可选地，所述表面层的成分包括sno2、tio2、zno以及sioxcy中的一种。
13、此外，本专利技术还提出一种tco导电玻璃的制备方法，包括以下步骤：
14、在基板上至少沉积第一透明导电层以及第二透明导电层。
15、可选地，所述在基板上至少沉积第一透明导电层以及第二透明导电层的步骤中，沉积方法包括在线化学气相沉积法、离线化学气相沉积法、溅射法、化学镀法以及湿式涂布法中的一种。
16、可选地，沉积方法为在线化学气相沉积法。
17、可选地，沉积第一透明导电层的原料包括锡源、氟源、催化剂以及氧化剂；和/或，
18、沉积第二透明导电层的原料包括锡源、氟源、锑源、催化剂以及氧化剂。
19、可选地，所述tco导电玻璃包括依次设置的基板、底涂层、第一阻隔层、第二阻隔层、第一透明导电层、第二透明导电层以及表面层；所述在基板上至少沉积第一透明导电层以及第二透明导电层的步骤，包括：
20、采用在线化学气相沉积法在基板上依次沉积底涂层、第一阻隔层以及第二阻隔层；
21、采用在线化学气相沉积法在第二阻隔层上依次沉积第一透明导电层以及第二透明导电层；
22、采用在线化学气相沉积法在第二透明导电层上沉积表面层。
23、本专利技术还提出一种电池，所述电池包括如上所述的tco导电玻璃。
24、本专利技术的技术方案中，tco导电玻璃的导电层包括氟-锑共掺杂氧化锡膜层与氟掺杂氧化锡膜层，氟-锑共掺杂氧化锡膜层中锑元素的掺杂能够增加载流子的浓度，同时，氟-锑共掺杂氧化锡膜层与氟掺杂氧化锡膜层之间会相互渗透，进而能够在导电层厚度一定时进一步降低tco导电玻璃的面电阻；另外，通过对氟-锑共掺杂氧化锡膜层中锑元素和氟元素的掺杂量进行控制，有利于tco导电玻璃的面电阻的降低。
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1.一种TCO导电玻璃，其特征在于，包括基板以及设于所述基板上的导电层，所述导电层包括第一透明导电层以及第二透明导电层，所述第一透明导电层为氟掺杂氧化锡膜层，所述第二透明导电层为氟-锑共掺杂氧化锡膜层；所述第二透明导电层中，氟元素、锑元素以及锡元素的质量比为1：(0.05～2)：(40～55)。
2.如权利要求1所述的TCO导电玻璃，其特征在于，所述第一透明导电层中，氟元素与锡元素的质量比为1：(35～50)。
3.如权利要求1所述的TCO导电玻璃，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度为a，所述第二透明导电层的厚度为b，205nm≤a+b≤1000nm。
4.如权利要求1所述的TCO导电玻璃，其特征在于，所述基板与所述导电层之间设有第一阻隔层。
5.如权利要求4所述的TCO导电玻璃，其特征在于，所述第一阻隔层的成分包括SiOxCy、SiO2、Si3N4以及SnSiOx中的一种。
6.如权利要求4所述的TCO导电玻璃，其特征在于，所述第一阻隔层与所述导电层之间设有第二阻隔层。
7.如权利要求6所述的TCO导电玻
8.如权利要求1所述的TCO导电玻璃，其特征在于，所述基板与所述导电层之间设有底涂层。
9.如权利要求8所述的TCO导电玻璃，其特征在于，所述底涂层的成分包括SnO2、TiO2以及ZnO中的一种。
10.如权利要求1所述的TCO导电玻璃，其特征在于，所述导电层的远离所述基板的一侧设有表面层。
11.如权利要求10所述的TCO导电玻璃，其特征在于，所述表面层的成分包括SnO2、TiO2、ZnO以及SiOxCy中的一种。
12.一种如权利要求1～11任意一项所述的TCO导电玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
13.如权利要求12所述的TCO导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述在基板上至少沉积第一透明导电层以及第二透明导电层的步骤中，沉积方法包括在线化学气相沉积法、离线化学气相沉积法、溅射法、化学镀法以及湿式涂布法中的一种。
14.如权利要求13所述的TCO导电玻璃的制备方法，其特征在于，沉积方法为在线化学气相沉积法。
15.如权利要求14所述的TCO导电玻璃的制备方法，其特征在于，沉积第一透明导电层的原料包括锡源、氟源、催化剂以及氧化剂；和/或，
16.如权利要求12所述的TCO导电玻璃的制备方法，其特征在于，所述TCO导电玻璃包括依次设置的基板、底涂层、第一阻隔层、第二阻隔层、第一透明导电层、第二透明导电层以及表面层；所述在基板上至少沉积第一透明导电层以及第二透明导电层的步骤，包括：
17.一种电池，其特征在于，包括如权利要求1～11任意一项所述的TCO导电玻璃或者由权利要求12～16任意一项所述的TCO导电玻璃的制备方法制得的TCO导电玻璃。
...【技术特征摘要】
1.一种tco导电玻璃，其特征在于，包括基板以及设于所述基板上的导电层，所述导电层包括第一透明导电层以及第二透明导电层，所述第一透明导电层为氟掺杂氧化锡膜层，所述第二透明导电层为氟-锑共掺杂氧化锡膜层；所述第二透明导电层中，氟元素、锑元素以及锡元素的质量比为1：(0.05～2)：(40～55)。
2.如权利要求1所述的tco导电玻璃，其特征在于，所述第一透明导电层中，氟元素与锡元素的质量比为1：(35～50)。
3.如权利要求1所述的tco导电玻璃，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度为a，所述第二透明导电层的厚度为b，205nm≤a+b≤1000nm。
4.如权利要求1所述的tco导电玻璃，其特征在于，所述基板与所述导电层之间设有第一阻隔层。
5.如权利要求4所述的tco导电玻璃，其特征在于，所述第一阻隔层的成分包括sioxcy、sio2、si3n4以及snsiox中的一种。
6.如权利要求4所述的tco导电玻璃，其特征在于，所述第一阻隔层与所述导电层之间设有第二阻隔层。
7.如权利要求6所述的tco导电玻璃，其特征在于，所述第二阻隔层的成分包括sio2或si3n4。
8.如权利要求1所述的tco导电玻璃，其特征在于，所述基板与所述导电层之间设有底涂层。
9.如权利要求8所述的tco导电玻璃，其特征在于，所述底涂层的成分包括sno2、tio2以及zno中的一种...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱小蝶，张文学，许秀婷，徐跃锋，程达烽，徐红，王敏，
申请(专利权)人：湖南旗滨光能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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