【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电极制备,具体涉及一种铜纳米线柔性电极的制备方法。
技术介绍
1、目前市场上广泛应用的透明导电材料为氧化铟锡(ito),但近年来ito成本不断升高,金属铟的储量也在逐渐下降,研究人员普遍认为,纳米铜是一种有潜力替代氧化铟锡的透明导电材料。目前铜在导电薄膜领域中被广泛使用,但现有的制备工艺对材料有较大的浪费,成本居高不下;同时,纳米铜也存在易氧化、不易保存等缺点。因此,本领域亟需一种高效稳定低成本的铜纳米线柔性电极制备方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种铜纳米线柔性电极的制备方法,该方法操作简单,制备成本低,且制备出的铜基柔性电极具有良好的导电性能。
2、为实现上述目的,本专利技术的技术方案是:一种铜纳米线柔性电极的制备方法,该方法通过将选择性腐蚀制备出的铜纳米线提纯、转移到pdms之上,并通过氙光灯照射进行等离子焊接,最后在薄膜上涂覆一层pdms组装成铜基柔性电极,包括以下步骤:
3、步骤1:将银铜共晶合金切割成棒状试样,将其表面打磨
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【技术保护点】
1.一种铜纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,该方法通过将选择性腐蚀制备出的铜纳米线与聚二甲基硅氧烷(PDMS)结合,组装成铜基柔性电极,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种铜纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,所述步骤1中,银铜合金中的原子百分比为60.1at.%Ag、39.9at.%Cu。
3.根据权利要求1所述的一种铜纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,加热温度为870℃,保温时间为45min。
4.根据权利要求1所述的一种铜纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,生长速率为34μm/s
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【技术特征摘要】
1.一种铜纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,该方法通过将选择性腐蚀制备出的铜纳米线与聚二甲基硅氧烷(pdms)结合,组装成铜基柔性电极,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的一种铜纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,所述步骤1中,银铜合金中的原子百分比为60.1at.%ag、39.9at.%cu。
3.根据权利要求1所述的一种铜纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,加热温度为870℃,保温时间为45min。
4.根据权利要求1所述的一种铜纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,所述步骤2中,生长速率为34μm/s。
5.根据权利要求1所述的一种铜纳米线柔性电极的制备方法,其特征在于,所述步骤3中,电化...
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