【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氧化锗制备,具体涉及一种高纯锗探测器用氧化锗粉制备装置及方法。
技术介绍
1、锗及其化合物具有特殊的性质,在半导体、核物理探测、红外光学等领域都有广泛的应用。天然锗(ge)有5种稳定同位素,70ge,72ge,73ge,74ge,76ge,其应用是以特定同位素的性质而不同。经同位素离心分离工艺可得到72gef4,76gef4富集产品。其中72gef4作为重要的ic离子注入源,是芯片及存储器先进制程的重要原材料,丰度高于50%的72gef4可优化器件性能和速度。同时,在无中微子双贝塔衰变等暗物质探测研究领域,需要大量使用76ge丰度高于86%的高纯锗探测器。该高纯锗探测器需要以76ge丰度高于86%的高纯锗单晶制备,纯度要求达到12-13n,晶体结构位错小。而高纯76gef4水解得到76geo2用作还原制备高纯锗粉,以完成前道原材料制备的关。
2、高纯二氧化锗通常由高纯四氯化锗水解制得,水解产物中六氟锗酸是溶解在溶液中的,如果不进一步转化处理,就会造成锗元素的损失,因此中和反应完成后需要进行干燥、粉碎等一系列后处
...【技术保护点】
1.一种高纯锗探测器用氧化锗粉制备装置,包括C形底座(1),其特征在于:所述C形底座(1)的内部固定连接有水解罐(2),所述水解罐(2)的顶端固定连接有伸缩驱动机构(3),所述伸缩驱动机构(3)的输出端固定连接有挤压杆(4),所述挤压杆(4)位于水解罐(2)的内部,所述水解罐(2)的一侧开设有取料门,所述水解罐(2)的一侧设置有进料管;所述水解罐(2)远离进料管的一侧安装有搅拌电机(6),所述搅拌电机(6)的输出端固定连接有搅拌桨(5)且搅拌桨(5)位于水解罐(2)的内部。
2.根据权利要求1所述的一种高纯锗探测器用氧化锗粉制备装置,其特征在于:所述C形底
...【技术特征摘要】
1.一种高纯锗探测器用氧化锗粉制备装置,包括c形底座(1),其特征在于:所述c形底座(1)的内部固定连接有水解罐(2),所述水解罐(2)的顶端固定连接有伸缩驱动机构(3),所述伸缩驱动机构(3)的输出端固定连接有挤压杆(4),所述挤压杆(4)位于水解罐(2)的内部,所述水解罐(2)的一侧开设有取料门,所述水解罐(2)的一侧设置有进料管;所述水解罐(2)远离进料管的一侧安装有搅拌电机(6),所述搅拌电机(6)的输出端固定连接有搅拌桨(5)且搅拌桨(5)位于水解罐(2)的内部。
2.根据权利要求1所述的一种高纯锗探测器用氧化锗粉制备装置,其特征在于:所述c形底座(1)的顶端固定连接有真空泵(8),所述真空泵(8)的一端连通有三向连通管(7),所述三向连通管(7)远离真空泵(8)的一端与水解罐(2)相通,所述三向连通管(7)的底端连通有回收箱(9)且回收箱(9)安装于c形底座(1)的内部。
3.根据权利要求1所述的一种高纯锗探测器用氧化锗粉制备装置,其特征在于:所述水解罐(2)的内壁固定连接有两组滑动杆(13),所述滑动杆(13)的外侧套设有复位弹簧(14),所述复位弹簧(14)的顶端固定连接有滑动密封块(15)且滑动密封块(15)滑动于滑动杆(13)的外侧...
【专利技术属性】
技术研发人员:樊红杰,浦勇,李轩,刘欣,岳喜龙,周全法,周品,顾佳玉,王天逸,周培峰,
申请(专利权)人:江苏宁达环保股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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