【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计，特别是涉及一种修调电路、电子系统及工作方法。
技术介绍
1、随着集成电路技术的发展，电路性能要求越来越高。电路特性一般会受到半导体制造工艺的影响，导致批次与批次之间、晶圆与晶圆之间、同一晶圆上不同芯片之间都或多或少存在差异，这种偏差通常呈正态分布特性。在半导体制程的模型非常准确的情况下，设计者可以通过不同工艺角下的电路仿真及蒙特卡罗分析在电路设计阶段就尽可能的提高芯片参数的工艺偏差兼容性。但这种兼容性设计通常采取了较为宽松的参数折衷，芯片各项参数的精度通常达不到最佳要求。
2、为此，在现有大规模集成电路设计过程中，设计者通常会使用修调电路；通过修调可以提高模拟电路的参数精度，收窄电路中特定参数的范围，提升产品的良率，还可以使能或禁止部分数字电路的功能，实现差异化产品。
3、常见的修调电路一般采用细金属条或多晶硅修调熔丝实现；修调时，在不影响周边电路的情况下，通过往修调熔丝两端的修调压焊引脚灌入大电流或加载高电压的方式熔断该熔丝，从而实现修调。
4、测试过程中，若电路的某参数无法满足要求，实测值与预定目标值之间存在差距，则需通过修调电路将其修调至一定范围内。而且，电路中往往不止一个修调点，为了使参数满足要求，可能需要多个修调点进行一些修调方案的组合来实现。
5、修调前需要根据实测值与预定目标值的差值推算出一个修调公式，然后按照修调公式去计算修调方案，将参数修正到与预定目标值一致。修调公式的推算过程可以是从电路设计上去理论推导或者是从晶圆中测的大量数据中去统
6、但是，若推算出的修调公式不够准确，修调后实测参数就无法达到预定目标值；因此，设计者希望能够通过外送信号来提升测量精度。然而，现有的修调电路，则不具有外送信号测试功能，这会影响晶圆的中测良率。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种修调电路、电子系统及工作方法，用于解决现有修调电路不具有外送信号测试功能的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种修调电路，所述修调电路包括：信号录入模块、熔丝修调模块及输出选择模块；
3、所述信号录入模块基于控制信号进入测试模式或修调模式，并在测试模式下向所述输出选择模块提供模拟熔丝信号，在修调模式下向所述熔丝修调模块提供修调信号；
4、所述熔丝修调模块接收所述修调信号，并基于所述修调信号进行熔丝修调操作以产生修调熔丝信号；
5、所述输出选择模块接收所述模拟熔丝信号和所述修调熔丝信号，并基于所述控制信号选择输出所述模拟熔丝信号或所述修调熔丝信号。
6、可选地，所述熔丝修调模块包括：第一mos管、第二mos管、第三mos管、第一电阻及第一熔丝；所述第一mos管的栅端连接其漏端并连接所述第二mos管的栅端，漏端连接偏置电流，源端连接电源电压；所述第二mos管的漏端连接所述第三mos管的漏端并产生所述修调熔丝信号，源端连接所述电源电压；所述第三mos管的栅端连接所述电源电压，源端连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第二端通过所述第一熔丝接地并作为所述熔丝修调模块的修调点。
7、可选地，所述信号录入模块包括：第四mos管及信号pad；所述第四mos管的栅端连接所述控制信号，漏端连接所述信号pad以录入所述模拟熔断信号或所述修调信号，源端连接所述熔丝修调模块的修调点。
8、可选地，所述信号录入模块还包括：第一反相器，连接于所述控制信号和所述第四mos管的栅端之间。
9、可选地，所述输出选择模块包括：第一开关、第二开关及第二反相器；所述第一开关和所述第二开关的控制端基于所述第二反相器对应连接所述控制信号及其反相信号，所述第一开关的输入端连接所述修调熔丝信号，所述第二开关的输入端连接所述模拟熔丝信号，所述第一开关的输出端连接所述第二开关的输出端并作为所述输出选择模块的输出端。
10、可选地，所述第一开关采用第一传输门实现，所述第二开关采用第二传输门实现；
11、在所述信号录入模块未包括第一反相器时，所述第一传输门的同相控制端连接所述第二传输门的反相控制端并连接所述控制信号，所述第一传输门的反相控制端连接所述第二传输门的同相控制端并通过所述第二反相器连接所述控制信号，所述第一传输门的输入端连接所述修调熔丝信号，所述第二传输门的输入端连接所述模拟熔丝信号，所述第一传输门的输出端连接所述第二传输门的输出端并作为所述输出选择模块的输出端；
12、在所述信号录入模块包括第一反相器时，所述第一传输门的同相控制端连接所述第二传输门的反相控制端并通过所述第二反相器连接所述控制信号，所述第一传输门的反相控制端连接所述第二传输门的同相控制端并连接所述控制信号，所述第一传输门的输入端连接所述修调熔丝信号，所述第二传输门的输入端连接所述模拟熔丝信号，所述第一传输门的输出端连接所述第二传输门的输出端并作为所述输出选择模块的输出端。
13、可选地，所述输出选择模块还包括：第三反相器及第四反相器；所述第三反相器连接于所述修调熔丝信号和所述第一开关的输入端之间，所述第四反相器连接于所述模拟熔丝信号和所述第二开关的输入端之间。
14、本专利技术还提供一种电子系统，所述电子系统包括：至少一个如上任一项所述的修调电路。
15、本专利技术还提供一种如上任一项所述的修调电路的工作方法，所述工作方法包括：
16、基于所述控制信号进入测试模式或修调模式；
17、测试模式下，所述信号录入模块录入所述模拟熔丝信号，所述熔丝修调模块不进行熔丝修调操作，所述输出选择模块输出所述模拟熔丝信号，以实现熔丝的模拟修调；
18、修调模式下，所述信号录入模块录入所述修调信号，所述熔丝修调模块基于所述修调信号进行熔丝修调操作并产生所述修调熔丝信号，所述输出选择模块输出所述修调熔丝信号，以实现熔丝的真实修调。
19、可选地，修调模式下，熔丝修调操作完成后，撤去所述修调信号并测量信号pad处的电压值，以根据测得的电压值判断熔丝修调操作是否成功。
20、如上所述，本专利技术的修调电路、电子系统及工作方法，通过信号录入模块、熔丝修调模块及输出选择模块的设计，可实现熔丝真实修调前后的重复性模拟修调测试；在真实修调前，通过输入的信号(模拟熔丝信号)模拟出熔丝修调后的情形，检验后级电路的参数是否达到预定的目标范围，以此提升修调的准确率；在真实修调后，通过输入的信号(模拟熔丝信号)模拟出熔丝修调后的情形，观测对比真实修调前方案或其它修调方案。
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1.一种修调电路，其特征在于，所述修调电路包括：信号录入模块、熔丝修调模块及输出选择模块；
2.根据权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述熔丝修调模块包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一电阻及第一熔丝；所述第一MOS管的栅端连接其漏端并连接所述第二MOS管的栅端，漏端连接偏置电流，源端连接电源电压；所述第二MOS管的漏端连接所述第三MOS管的漏端并产生所述修调熔丝信号，源端连接所述电源电压；所述第三MOS管的栅端连接所述电源电压，源端连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第二端通过所述第一熔丝接地并作为所述熔丝修调模块的修调点。
3.根据权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述信号录入模块包括：第四MOS管及信号PAD；所述第四MOS管的栅端连接所述控制信号，漏端连接所述信号PAD以录入所述模拟熔断信号或所述修调信号，源端连接所述熔丝修调模块的修调点。
4.根据权利要求3所述的修调电路，其特征在于，所述信号录入模块还包括：第一反相器，连接于所述控制信号和所述第四MOS管的栅端之间。
5.根据权利要求1-4任一
6.根据权利要求5所述的修调电路，其特征在于，所述第一开关采用第一传输门实现，所述第二开关采用第二传输门实现；
7.根据权利要求5所述的修调电路，其特征在于，所述输出选择模块还包括：第三反相器及第四反相器；所述第三反相器连接于所述修调熔丝信号和所述第一开关的输入端之间，所述第四反相器连接于所述模拟熔丝信号和所述第二开关的输入端之间。
8.一种电子系统，其特征在于，所述电子系统包括：至少一个如权利要求1-7任一项所述的修调电路。
9.一种如权利要求1-7任一项所述的修调电路的工作方法，其特征在于，所述工作方法包括：
10.根据权利要求9所述的修调电路的工作方法，其特征在于，修调模式下，熔丝修调操作完成后，撤去所述修调信号并测量信号PAD处的电压值，以根据测得的电压值判断熔丝修调操作是否成功。
...【技术特征摘要】
1.一种修调电路，其特征在于，所述修调电路包括：信号录入模块、熔丝修调模块及输出选择模块；
2.根据权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述熔丝修调模块包括：第一mos管、第二mos管、第三mos管、第一电阻及第一熔丝；所述第一mos管的栅端连接其漏端并连接所述第二mos管的栅端，漏端连接偏置电流，源端连接电源电压；所述第二mos管的漏端连接所述第三mos管的漏端并产生所述修调熔丝信号，源端连接所述电源电压；所述第三mos管的栅端连接所述电源电压，源端连接所述第一电阻的第一端；所述第一电阻的第二端通过所述第一熔丝接地并作为所述熔丝修调模块的修调点。
3.根据权利要求1所述的修调电路，其特征在于，所述信号录入模块包括：第四mos管及信号pad；所述第四mos管的栅端连接所述控制信号，漏端连接所述信号pad以录入所述模拟熔断信号或所述修调信号，源端连接所述熔丝修调模块的修调点。
4.根据权利要求3所述的修调电路，其特征在于，所述信号录入模块还包括：第一反相器，连接于所述控制信号和所述第四mos管的栅端之间。
5.根据权利要求1-4任一项所述的修调电路，其特征在于，所述输出选择模块包...
【专利技术属性】
技术研发人员：施丽，周盛，丁东民，彭维友，
申请(专利权)人：华润微集成电路无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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