【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计领域，特别是涉及一种复位电路及电子芯片。
技术介绍
1、随着科技的进步，集成电路发展十分迅速，特别是对于系统级集成电路(soc)，复位电路是其中必不可少的一个模块。现有的复位电路按功能大致分为两种：一种是por(power on reset)电路，即上电复位电路，另一种为lvr(low voltage reset)电路，即低压复位电路。
2、por电路是指给整个芯片供电的系统电源从最开始的零电位逐渐升高直至达到固定高电位的过程中，当电源电压小于设定阈值时，por电路向芯片内部各个电路提供复位电平的电压值，而当电源电压大于设定阈值时，则给芯片内部各个电路此时电源电压的电压值，por电路产生的复位信号会维持一段时间并且对芯片内部数字电路进行逻辑状态的初始化，从而保证芯片内部的数字电路能够正常工作，使电路不会产生逻辑混乱状态，故por电路对于芯片特别是芯片内部数字电路来说非常重要。lvr电路是指芯片在工作的过程中，能够真实地反馈出系统电源的工作状态，当出现系统电源供电不足时，能够直接对芯片做复位处理。
3、随着芯片尺寸的减小，要求复位电路要尽量占用较小的芯片面积，同时要求有高可靠性，使复位电路在快速上电时能够产生复位信号。对于一个完整的芯片来说，需要同时具备上电复位功能和低压复位功能，上电复位以保证系统电源在上电过程中内部数字电路的逻辑正常，低压复位则保证系统电源供电不足时产生复位信号真实反馈出电源工作状态。
4、但是，现有的复位电路一方面往往不同时具备上电复位功能和低压复
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种复位电路及电子芯片，用于解决现有复位电路不同时具备上电复位功能和低压复位功能且可靠性低的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种复位电路，所述复位电路包括：电压检测模块、复位触发模块及复位输出模块；其中，
3、所述电压检测模块连接于电源电压和地之间，用于检测所述电源电压并产生电压信号输出；
4、所述复位触发模块连接所述电压检测模块的输出端，用于在所述电源电压从零电压上升至稳态电压的过程中或者从所述稳态电压掉电至小于等于低压复位点电压时，根据所述电压信号产生复位触发信号输出；
5、所述复位输出模块连接所述复位触发模块的输出端，用于根据所述复位触发信号产生复位信号输出。
6、可选地，所述电压检测模块包括：至少一个第一pmos管、第一nmos管、第一电阻、第二电阻及第三电阻；其中，所述第一pmos管的栅端通过所述第一电阻接地，源端连接所述电源电压，漏端连接所述第二电阻的第一端及所述第一nmos管的栅端；所述第二电阻的第二端连接所述第三电阻的第一端；所述第三电阻的第二端连接所述第一nmos管的漏端并作为所述电压检测模块的输出端；所述第一nmos管的源端接地。
7、可选地，在所述第一pmos管的数量大于1个时，多个所述第一pmos管级联后的栅端通过所述第一电阻接地，源端连接所述电源电压，漏端连接所述第二电阻的第一端及所述第一nmos管的栅端。
8、可选地，所述电压检测模块还包括：mos电容，连接于所述第一nmos管的栅端和地之间。
9、可选地，所述复位触发模块包括：第二pmos管、第三pmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第一反相器及电容器；其中，所述第二pmos管的栅端连接所述第二nmos管的栅端并连接所述电压检测模块的输出端，源端连接所述电源电压，漏端连接所述第二nmos管的漏端及所述第一反相器的输入端；所述第二nmos管的源端接地；所述第一反相器的输出端连接所述第三nmos管的栅端；所述第三nmos管的源端接地，漏端连接所述第四nmos管的源端及所述电容器的第一端；所述第四nmos管的栅端连接所述电源电压，漏端连接所述第三pmos管的漏端；所述电容器的第一端作为所述复位触发模块的输出端，第二端接地；所述第三pmos管的栅端连接所述第二pmos管的栅端，源端连接所述电源电压。
10、可选地，所述复位输出模块包括：反相施密特触发器及第二反相器；其中，所述反相施密特触发器的输入端连接所述复位触发模块的输出端，输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端作为所述复位输出模块的输出端。
11、可选地，所述电压检测模块还包括：第五nmos管，栅端连接所述反相施密特触发器的输出端，源端和漏端对应连接第三电阻的两端。
12、可选地，所述复位输出模块包括：非反相施密特触发器、第二反相器及第三反相器；其中，所述非反相施密特触发器的输入端连接所述复位触发模块的输出端，输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出端作为所述复位输出模块的输出端。
13、可选地，所述电压检测模块还包括：第五nmos管，栅端连接所述第二反相器的输出端，源端和漏端对应连接第三电阻的两端。
14、本专利技术还提供一种电子芯片，所述电子芯片包括：如上任一项所述的复位电路。
15、如上所述，本专利技术的一种复位电路及电子芯片，通过电压检测模块、复位触发模块及复位输出模块的设计，使得该复位电路同时具备上电复位功能和低压复位功能，无需单独设计上电复位电路和低压复位电路，一定程度上减小了复位电路占用芯片的面积，降低了电路成本；而且，该复位电路可靠性高，在电源快速上电时及电源掉电后二次快速上电时均能够输出稳定有效的复位信号，同时可以避免因电源噪声或者其他干扰所导致的复位信号出现毛刺的现象；另外，该复位电路整体电流很小，使得其整体功耗较低。
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1.一种复位电路，其特征在于，所述复位电路包括：电压检测模块、复位触发模块及复位输出模块；其中，
2.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述电压检测模块包括：至少一个第一PMOS管、第一NMOS管、第一电阻、第二电阻及第三电阻；其中，所述第一PMOS管的栅端通过所述第一电阻接地，源端连接所述电源电压，漏端连接所述第二电阻的第一端及所述第一NMOS管的栅端；所述第二电阻的第二端连接所述第三电阻的第一端；所述第三电阻的第二端连接所述第一NMOS管的漏端并作为所述电压检测模块的输出端；所述第一NMOS管的源端接地。
3.根据权利要求2所述的复位电路，其特征在于，在所述第一PMOS管的数量大于1个时，多个所述第一PMOS管级联后的栅端通过所述第一电阻接地，源端连接所述电源电压，漏端连接所述第二电阻的第一端及所述第一NMOS管的栅端。
4.根据权利要求2所述的复位电路，其特征在于，所述电压检测模块还包括：MOS电容，连接于所述第一NMOS管的栅端和地之间。
5.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述复位触发模块包括：第二PMO
6.根据权利要求1-5任一项所述的复位电路，其特征在于，所述复位输出模块包括：反相施密特触发器及第二反相器；其中，所述反相施密特触发器的输入端连接所述复位触发模块的输出端，输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端作为所述复位输出模块的输出端。
7.根据权利要求6所述的复位电路，其特征在于，所述电压检测模块还包括：第五NMOS管，栅端连接所述反相施密特触发器的输出端，源端和漏端对应连接第三电阻的两端。
8.根据权利要求1-5任一项所述的复位电路，其特征在于，所述复位输出模块包括：非反相施密特触发器、第二反相器及第三反相器；其中，所述非反相施密特触发器的输入端连接所述复位触发模块的输出端，输出端连接所述第二反相器的输入端，所述第二反相器的输出端连接所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出端作为所述复位输出模块的输出端。
9.根据权利要求8所述的复位电路，其特征在于，所述电压检测模块还包括：第五NMOS管，栅端连接所述第二反相器的输出端，源端和漏端对应连接第三电阻的两端。
10.一种电子芯片，其特征在于，所述电子芯片包括：如权利要求1-9任一项所述的复位电路。
...【技术特征摘要】
1.一种复位电路，其特征在于，所述复位电路包括：电压检测模块、复位触发模块及复位输出模块；其中，
2.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述电压检测模块包括：至少一个第一pmos管、第一nmos管、第一电阻、第二电阻及第三电阻；其中，所述第一pmos管的栅端通过所述第一电阻接地，源端连接所述电源电压，漏端连接所述第二电阻的第一端及所述第一nmos管的栅端；所述第二电阻的第二端连接所述第三电阻的第一端；所述第三电阻的第二端连接所述第一nmos管的漏端并作为所述电压检测模块的输出端；所述第一nmos管的源端接地。
3.根据权利要求2所述的复位电路，其特征在于，在所述第一pmos管的数量大于1个时，多个所述第一pmos管级联后的栅端通过所述第一电阻接地，源端连接所述电源电压，漏端连接所述第二电阻的第一端及所述第一nmos管的栅端。
4.根据权利要求2所述的复位电路，其特征在于，所述电压检测模块还包括：mos电容，连接于所述第一nmos管的栅端和地之间。
5.根据权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述复位触发模块包括：第二pmos管、第三pmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第一反相器及电容器；其中，所述第二pmos管的栅端连接所述第二nmos管的栅端并连接所述电压检测模块的输出端，源端连接所述电源电压，漏端连接所述第二nmos管的漏端及所述第一反相器的输入端；所述第二nmos管的源端接地；所述第一反相器的输出端连接所述第三nmos管的栅端；所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：马林，孟祥光，陈方雄，余成龙，
申请(专利权)人：华润微集成电路无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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