【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种降低开关变换器噪声方法，特别是涉及一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法。
技术介绍
1、近年来，随着电子信息设备的小型化和高频化，开关变换器中不必要的辐射和传导噪声已成为一个严重的问题，开关变换器中产生较大emi噪声的原因是由于信号的能量过于集中在其载波频率位置，导致信号的能量在某一频率点产生较大电磁干扰。
2、目前减低开关变换器的emi噪声有多种方法，比如在电源部分增加滤波器，虽然此方法可以减低开关变换器的emi噪声，但是增加了开关变换器的体积和成本；比如利用三角波扩频调制和正弦波扩频波调制以扩散开关噪声的频谱，虽然这些方法都可以减低开关变换器emi噪声，但是抑制效果不佳；近些年有学者研究混沌扩频调制技术，此方法相较于三角波和正弦波扩频调制，开关变换器的emi噪声抑制效果明显，但是运用的是一些基本的混沌电路，包括蔡氏混沌电路、lorenz混沌电路、liu混沌电路等。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，该方法在lorenz混沌电路的基础上设计出一种新四维混沌电路，利用混沌扩频技术，将集中在载波频率位置的能量分散到一定的频带范围内，从而降低开关变换器中的emi噪声，并且抑制效果较为明显。
2、本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：
3、一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述方法包括设计新四维混沌电路、设计混沌扩频电路；将混沌扩频电
4、第一积分电路mul1的输出端连接r2的左端，r1、r2、r3并联的右端与c4的左端以及ea1的反相输入端连接，c4的右端连接r13的左端以及ea1的输出端，r13的右端连接r14的左端以及ea2的反相输入端，r14的右端连接ea2的输出端，ea1、ea2的同相输入端接地，ea1、ea2的输出端分别记为x、-x；
5、第二积分电路mul1的输出端连接r7的左端，且记为v，r4、r5、r6、r7并联的右端连接c5的左端以及ea3的反相输入端，c5的右端连接r15的左端以及ea3的输出端，r15的右端连接r16的左端以及ea4的反相输入端，r16的右端连接ea4的输出端，ea3、ea4的同相输入端接地，并且输出端分别记为y和-y；
6、第三积分电路mul3的输出端连接r10的左端，r8、r9、r10并联的右端与c6的左端以及ea5的反相输入端连接，c6的右端连接ea5的输出端，ea5的同相输入端连接地，ea5的输出端分别记为z；
7、第四积分电路r11、r12并联的右端连接c7的左端以及ea6的反相输入端，c7的右端连接r17左端以及ea6的输出端，r17的右端连接r18的左端以及ea7的反相输入端，r18的右端连接ea7的输出端，ea6、ea7的同相输入端接地，输出端分别记为u和-u；
8、混沌扩频电路对新四维混沌电路产生的混沌调制信号接入压控振荡器，压控振荡器输出一个频率可变的锯齿波，锯齿波与输出电压通过比较器comp产生端混沌pwm信号，由此信号控制zeta变换器的开关。
9、所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述新四维混沌电路的第一积分电路包括：乘法器mul1，放大器ea1、ea2，电容c4，电阻r1、r2、r3、r13、r14。
10、所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述新四维混沌电路的第二积分电路包括：乘法器mul2，放大器ea4、ea5，电容c5，电阻r4、r5、r6、r7、r15、r16。
11、所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述新四维混沌电路的第三积分电路包括：乘法器mul3，放大器ea5，电容c6，电阻r8、r9、r10。
12、所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述新四维混沌电路的第四积分电路包括：放大器ea6、ea7，电容c7，电阻r11、r12、r17、r18。
13、所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述的第一、第二、第三、第四积分电路，其乘法器mul1的输入端连接z、-y，乘法器mul2的输入端连接x、z，乘法器mul3的输入端连接-y、y；电阻r1、r3、r4、r5、r6、r8、r9、r11、r12的左端分别连接x、-y、-x、-y、-u、z、-u、x、v。
14、所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述混沌扩频电路，包括：补偿环路、比较器comp、电容csaw、电流源isaw、开关q、压控振荡器vco、混沌信号；其补偿环路包括：基准电压源vref，放大器ea，电阻r25、r26、r27、电容c3。
15、所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述基准电压源vref一端接地，另一端连接放大器ea的同向输入端，zeta变换器的输出端连接电阻r25，r25的另一端连接放大器ea的反向输入端，r26与c3串联，r27与r26、c3并联后一端连接放大器ea的反向输入端，另一端连接放大器ea的输出端；补偿环路的传递函数如下：
16、
17、所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述混沌扩频电路产生pwm信号接入zeta变换器实现新四维混沌扩频emi噪声抑制，其利用仿真软件搭建新四维混沌电路、混沌扩频电路、zeta变换器拓扑电路，将混沌扩频电路产生的混沌pwm信号接入zeta变换器拓扑电路中，并通过仿真实验验证zeta变换器的emi噪声得以抑制。
18、所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，所述zeta变换器拓扑电路包括：输入电压vin，开关sw，负载r，续流二极管d，电容c1、c2，电感l1、l2，等效串联电阻rc1、rc1、rl1、rl1。
19、本专利技术的优点与积极效果是：
20、本专利技术采用混沌扩频的方法对zeta变换器的开关进行控制，从而减低zeta变换器的传导电磁干扰噪声。包括：设计新四维混沌电路、设计混沌扩频电路、将混沌扩频电路产生的pwm信号接入zeta变换器实现新四维混沌扩频emi噪声抑制。本专利技术降低了zeta变换器在开关频率及其倍频信号的幅值，减低峰值水平，从而实现对zeta变换器的传导电磁干扰减低，电路简单、易于实现。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述方法包括设计新四维混沌电路、设计混沌扩频电路；将混沌扩频电路产生的PWM调制信号接入Zeta变换器实现新四维混沌扩频EMI噪声抑制；
2.根据权利要求1所述的一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述新四维混沌电路的第一积分电路包括：乘法器MUL1，放大器EA1、EA2，电容C4，电阻R1、R2、R3、R13、R14。
3.根据权利要求1所述的一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述新四维混沌电路的第二积分电路包括：乘法器MUL2，放大器EA4、EA5，电容C5，电阻R4、R5、R6、R7、R15、R16。
4.根据权利要求1所述的一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述新四维混沌电路的第三积分电路包括：乘法器MUL3，放大器EA5，电容C6，电阻R8、R9、R10。
5.根据权利要求1所述的一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述新四维混沌电
6.根据权利要求1所述的一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述的第一、第二、第三、第四积分电路，其乘法器MUL1的输入端连接z、-y，乘法器MUL2的输入端连接x、z，乘法器MUL3的输入端连接-y、y；电阻R1、R3、R4、R5、R6、R8、R9、R11、R12的左端分别连接x、-y、-x、-y、-u、z、-u、x、v。
7.根据权利要求1所述的一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述混沌扩频电路，包括：补偿环路、比较器Comp、电容CSAW、电流源ISAW、开关Q、压控振荡器VCO、混沌信号；其补偿环路包括：基准电压源Vref，放大器EA，电阻R25、R26、R27、电容C3。
8.根据权利要求7所述的一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述基准电压源Vref一端接地，另一端连接放大器EA的同向输入端，Zeta变换器的输出端连接电阻R25，R25的另一端连接放大器EA的反向输入端，R26与C3串联，R27与R26、C3并联后一端连接放大器EA的反向输入端，另一端连接放大器EA的输出端；补偿环路的传递函数如下：
9.根据权利要求7所述的一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述混沌扩频电路产生PWM信号接入Zeta变换器实现新四维混沌扩频EMI噪声抑制，其利用仿真软件搭建新四维混沌电路、混沌扩频电路、Zeta变换器拓扑电路，将混沌扩频电路产生的混沌PWM信号接入Zeta变换器拓扑电路中，并通过仿真实验验证Zeta变换器的EMI噪声得以抑制。
10.根据权利要求9所述的一种基于Zeta变换器的新四维混沌扩频EMI抑制方法，其特征在于，所述Zeta变换器拓扑电路包括：输入电压Vin，开关SW，负载R，续流二极管D，电容C1、C2，电感L1、L2，等效串联电阻rC1、rC1、rL1、rL1。
...【技术特征摘要】
1.一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，其特征在于，所述方法包括设计新四维混沌电路、设计混沌扩频电路；将混沌扩频电路产生的pwm调制信号接入zeta变换器实现新四维混沌扩频emi噪声抑制；
2.根据权利要求1所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，其特征在于，所述新四维混沌电路的第一积分电路包括：乘法器mul1，放大器ea1、ea2，电容c4，电阻r1、r2、r3、r13、r14。
3.根据权利要求1所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，其特征在于，所述新四维混沌电路的第二积分电路包括：乘法器mul2，放大器ea4、ea5，电容c5，电阻r4、r5、r6、r7、r15、r16。
4.根据权利要求1所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，其特征在于，所述新四维混沌电路的第三积分电路包括：乘法器mul3，放大器ea5，电容c6，电阻r8、r9、r10。
5.根据权利要求1所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，其特征在于，所述新四维混沌电路的第四积分电路包括：放大器ea6、ea7，电容c7，电阻r11、r12、r17、r18。
6.根据权利要求1所述的一种基于zeta变换器的新四维混沌扩频emi抑制方法，其特征在于，所述的第一、第二、第三、第四积分电路，其乘法器mul1的输入端连接z、-y，乘法器mul2的输入端连接x、z，乘法器mul3的输入端连接-y、y；电阻r1、r3、r4、r5、r6、r8、r9、r11、r...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙逸菲，刘腾飞，宗学军，何戡，杨忠君，连莲，姜锋，
申请(专利权)人：沈阳化工大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。