System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 纳米线的生长制造技术_技高网

纳米线的生长制造技术

技术编号:41249279 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-09 23:58
一种用于制造多条纳米线(2)的装置(1),其包含以下元件,这些元件依下列顺序排列:‑导电表面(3),‑具有多个通道(5)的箔(4),这些通道从该箔(4)的第一侧(6)延伸到该箔(4)上与第一侧(6)相对的第二侧(7),‑第一电解质‑可渗透层(8),‑第二电解质‑可渗透层(9),其比第一电解质‑可渗透层(8)更易压缩,其中该装置(1)还具有电极(10),且其中该装置(1)被适配成使得该纳米线(2)可通过将电解质电沉积至箔(4)的通道(5)中而生长于该导电表面(3)上,这通过在导电表面(3)和电极(10)之间施加电压而达成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

1.一种用于制造多条纳米线(2)的装置(1),其包含依下列顺序排列的以下元件:

2.如权利要求1所述的装置(1),其中所述第一电解质-可渗透层(8)和所述第二电解质-可渗透层(9)被配置为多孔性,并且其中所述第二电解质-可渗透层(9)具有比所述第一电解质-可渗透层(8)大的平均孔径。

3.如权利要求1-2中任一项所述的装置(1),其中在未压缩状态下,所述第二电解质-可渗透层(9)在垂直于所述导电表面(3)的方向上比所述第一电解质-可渗透层(8)延伸得更多。

4.如权利要求1-3中任一项所述的装置(1),其中所述第一电解质-可渗透层(8)由纤维素形成。

5.如权利要求1-4中任一项所述的装置(1),其中所述第二电解质-可渗透层(9)为海绵。

6.如权利要求1-5中任一项所述的装置(1),其还具有加压装置(11),用于在往所述导电表面(3)方向上对所述第二电解质-可渗透层(9)产生力。

7.如权利要求1-6中任一项所述的装置(1),其还具有基板(12),其具有光蚀刻层(13),其中所述光蚀刻层(13)具有一个或多个凹槽(14),并且其中所述导电表面(3)形成于一个凹槽(14)或多个凹槽(14)中。

8.一种以权利要求1-7中任一项所述的装置(1)制造多条纳米线(2)的方法,其中所述纳米线(2)通过将电解质电沉积至所述箔(4)的通道(5)中而生长于所述导电表面(3)上,这通过在所述导电表面(3)和所述电极(10)之间施加电压而达成。

9.如权利要求8所述的方法,其中所述第二电解质-可渗透层(9)至少暂时地在往导电表面(3)的方向上被压缩。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于制造多条纳米线(2)的装置(1),其包含依下列顺序排列的以下元件:

2.如权利要求1所述的装置(1),其中所述第一电解质-可渗透层(8)和所述第二电解质-可渗透层(9)被配置为多孔性,并且其中所述第二电解质-可渗透层(9)具有比所述第一电解质-可渗透层(8)大的平均孔径。

3.如权利要求1-2中任一项所述的装置(1),其中在未压缩状态下,所述第二电解质-可渗透层(9)在垂直于所述导电表面(3)的方向上比所述第一电解质-可渗透层(8)延伸得更多。

4.如权利要求1-3中任一项所述的装置(1),其中所述第一电解质-可渗透层(8)由纤维素形成。

5.如权利要求1-4中任一项所述的装置(1),其中所述第二电解质-可渗透层(9)为海绵。

6.如权利要求1-...

【专利技术属性】
技术研发人员:奥拉夫·伯莱姆F·达辛格S·奎德努F·鲁斯塔
申请(专利权)人:纳米线有限公司
类型:发明
国别省市:

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