【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及超导块体及超导块体的制造方法。
技术介绍
1、已知有一种具有超导性的作为超导块体的铁系化合物多晶体。例如，在专利文献1中记载了一种由ba0.6k0.4fe2as2构成的超导块体，其中ba0.6k0.4fe2as2是具有超导性的铁系化合物的一例。以下，将如ba0.6k0.4fe2as2那样用k置换了一部分ba而得到的铁系化合物称为k掺杂ba122。
2、这样的超导块体在磁场下及冷却下会捕集磁通，由此作为磁铁发挥功能。利用这样的超导块体而得的磁铁例如可以用作磁场发生源来适用于采用了核磁共振(nuclearmagnetic resonance，nmr)法的磁共振图像(magnetic resonance imaging，mri)装置等中。
3、(现有技术文献)
4、专利文献1：日本特表2018-512737号公报
技术实现思路
1、(专利技术要解决的课题)
2、在专利文献1中，以ba、k、fe和as的摩尔比为0.6:0.42:2:2的方式调制起始物料，使用热等静压(hip)法，得到k掺杂ba122的预烧结体。接着，通过粉碎加工将该烧结体粉末化后，使用冷等静压(cip)法，将粉末状的k掺杂ba122颗粒化。接着，将k掺杂ba122的颗粒用银箔包套后插入钢管中，并实施cip。通过该cip，将包含样品的钢管的直径缩减约10％。接着，通过hip，得到k掺杂ba122的最终烧结体。以下，将得到k掺杂ba122的最终烧结体的工序称为正式烧
3、在正式烧结工序采用hip的情况下，所制造的超导块体的临界电流密度会明显低于具有超导性的铁系化合物的单晶的临界电流密度。由此可以说，通过在正式烧结工序中采用hip的制造方法来制造的超导块体不能充分发挥具有超导性的铁系化合物的潜力。换言之，现有的铁系化合物的超导块体的临界电流密度尚有提高的余地。
4、另外，作为在正式烧结工序中采用的除hip以外的烧结方法，可以举出放电等离子体烧结(spark plasma sintering，sps)法和热压法。但是，即使在正式烧结工序中采用sps或热压法，也与在正式烧结工序中采用hip时的情况相同，即所得到的超导块体的临界电流密度明显低于具有超导性的铁系化合物的单晶的临界电流密度。
5、本专利技术是鉴于上述课题而完成的，其目的在于相较于以往技术来提高铁系化合物的超导块体的临界电流密度。
6、(用以解决问题的技术手段)
7、为了解决上述课题，本专利技术的一个方式的超导块体是铁系超导体的多晶，并且基于lotgering法的c轴的取向度为0.2以上。
8、为了解决上述课题，本专利技术的一个方式的制造方法中，所述超导块体是铁系超导体的多晶，所述制造方法包括正式烧结工序：以颗粒的主面尺寸与该颗粒的厚度的比变大的方式，沿着主面的法线方向对作为预烧结体的所述颗粒一边单轴加压一边烧结，从而得到所述超导块体。
9、(专利技术的效果)
10、根据本专利技术的一个方式，与以往技术相比，能够提高铁系化合物的超导块体的临界电流密度。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种超导块体，其是铁系超导体的多晶体，并且该超导块体的基于Lotgering法得到的c轴的取向度为0.2以上。
2.根据权利要求1所述的超导块体，其中，
3.根据权利要求1或2所述的超导块体，
4.根据权利要求3所述的超导块体，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的超导块体，
6.根据权利要求1～5中任一项所述的超导块体，其中，
7.一种超导块体的制造方法，其中，
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，
9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其中，
10.根据权利要求7～9中任一项所述的制造方法，其中，
11.根据权利要求7～10中任一项所述的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种超导块体，其是铁系超导体的多晶体，并且该超导块体的基于lotgering法得到的c轴的取向度为0.2以上。
2.根据权利要求1所述的超导块体，其中，
3.根据权利要求1或2所述的超导块体，
4.根据权利要求3所述的超导块体，
5.根据权利要求1～4中任一项所述的超导块体，
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：石田茂之，荻野拓，帕瓦库玛尔奈克·苏加利，土屋佳则，伊豫彰，永崎洋，吉田良行，川岛健司，神谷良久，
申请(专利权)人：国立研究开发法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。