【技术实现步骤摘要】
本技术涉及薄膜传感器，特别涉及一种用于制备应变敏感栅薄膜的金属掩模版压紧结构。
技术介绍
1、薄膜式应变传感器由于其厚度在微米甚至纳米级别，对变形的测量灵敏度、准确程度相对于粘接应变片有大幅提升，并且不会对基底的变形产生影响，能够实现对应变变化迅速、准确的测量，同时由于薄膜式应变传感器与弹性体之间仅有一层微米级绝缘膜，容易通过弹性体散热，因此允许通过比其他种类应变片更高的电流，获得更大的输出信号，常用于航空航天、机器人等领域。
2、目前在制备薄膜式传感器的应变敏感栅图形过程中，由于金属掩模版未能与待镀膜区域完全贴合，导致制备的应变敏感栅结构、尺寸与金属掩模版待转移的尺寸不一致，且局部位置存在衍射现象，极大影响了薄膜传感器的输出性能。
技术实现思路
1、本技术解决了相关技术中的问题，提出一种用于制备应变敏感栅薄膜的金属掩模版压紧结构，通过外圈压紧结构压紧金属掩模版的外侧，通过内圈压紧结构将金属掩模版的内侧与待镀膜区域压紧，通过支撑结构保证金属掩模版在受内圈压紧结构压紧时不产生向内...
【技术保护点】
1.一种用于制备应变敏感栅薄膜的金属掩模版压紧结构，其特征在于：包括外圈压紧结构(2)、内圈压紧结构(3)、支撑结构(7)和紧固件(4)，所述外圈压紧结构(2)为一内圈设有凸台的圆环结构且放置在金属掩模版(5)上方，所述凸台压紧所述金属掩模版(5)外圈部，所述内圈压紧结构(3)放置在所述金属掩模版(5)上方，所述支撑结构(7)设置在所述金属掩模版(5)的下方，所述紧固件(4)依次穿过内圈压紧结构(3)、金属掩模版(5)和支撑结构(7)。
2.根据权利要求1所述的用于制备应变敏感栅薄膜的金属掩模版压紧结构，其特征在于：所述内圈压紧结构(3)为一带有中心通孔的
<...【技术特征摘要】
1.一种用于制备应变敏感栅薄膜的金属掩模版压紧结构，其特征在于：包括外圈压紧结构(2)、内圈压紧结构(3)、支撑结构(7)和紧固件(4)，所述外圈压紧结构(2)为一内圈设有凸台的圆环结构且放置在金属掩模版(5)上方，所述凸台压紧所述金属掩模版(5)外圈部，所述内圈压紧结构(3)放置在所述金属掩模版(5)上方，所述支撑结构(7)设置在所述金属掩模版(5)的下方，所述紧固件(4)依次穿过内圈压紧结构(3)、金属掩模版(5)和支撑结构(7)。
2.根据权利要求1所述的用于制备应变敏感栅薄膜的金属掩模版压紧结构，其特征在于：所述内圈压紧结构(3)为一带有中心通孔的圆盘结构。
3.根据权利要求1所述的用于制备应变敏感栅薄膜的金属掩模版压紧结构，其特征在于：...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏洪兴，崔元洋，沈文强，王晓东，娄志峰，靳宇，牟联树，张海豹，
申请(专利权)人：遨博北京智能科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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