【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及中子源，具体地，涉及一种用于中子源的气态靶和中子源设备。
技术介绍
1、中子源是能释放出中子的装置。其中，中子源有很多种，从手持放射源到中子研究设施的研究堆和裂变源。最重要的是，中子应用极其广泛，中子源是中子应用的基础，常见的中子源包括：放射性同位素中子源、加速器中子源、反应堆中子源。其中，使用中子源进行辐照或者中子治疗时，希望辐照区域中子通量密度越大越好，但是，目前加速器中子源基本都是点源或直线型源，中子各向发射，可以利用的中子份额小，辐照区域中子通量密度小。
2、在现有技术中，如何提高辐照区域的中子通量密度是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的实施例提出一种用于中子源的气态靶和中子源设备，该用于中子源的气态靶能够在偏转磁场生成组件的作用下，带电离子沿反应腔的长度方向在反应腔内运动，并与反应腔内的反应气体反应产生中子，该中子可以在内弯曲侧形成一个高通量密度的中子辐照区，即，可以在中子辐照区内进行中子辐照。
2、本专利技术实施例的用于中子源的气态靶包括：
3、本体，所述本体具有容纳反应气体的反应腔，所述反应腔沿第一方向延伸设置，所述反应腔朝第二方向弯曲设置，所述反应腔具有在所述第二方向相对设置的内弯曲侧和外弯曲侧；
4、偏转磁场生成组件，所述偏转磁场生成组件设在所述本体的外侧，使带电离子沿所述反应腔的长度方向运动；
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6、根据本专利技术的用于中子源的气态靶，在偏转磁场生成组件的作用下，带电离子沿反应腔的长度方向在反应腔内运动，并与反应腔内的反应气体反应产生中子，该中子可以在内弯曲侧形成一个高通量密度的中子辐照区，即，可以在中子辐照区内进行中子辐照。该用于中子源的气态靶不仅提高中子利用率，而且还可以用一个中子源解决中子治疗、中子辐照加工等应用场景中多角度照射的需求。
7、可选地，所述偏转磁场生成组件设置有多个，多个所述偏转磁场生成组件沿所述反应腔的长度方向间隔布置。
8、可选地，所述偏转磁场生成组件包括：
9、二极铁，所述二极铁为环形结构，所述二极铁具有未闭环的缺口部，所述缺口部加持在所述本体上，且所述二极铁的内侧临近所述外弯曲侧，所述二极铁的外侧临近所述内弯曲侧；
10、第一通电线圈，所述第一通电线圈缠绕在所述二极铁上。
11、可选地，在所述反应腔的长度方向上，所述二极铁的两端中的至少一端具有切角。
12、可选地，所述切角的角度为3度至9度。
13、可选地，所述第一通电线圈上的电流可调节。
14、可选地，所述反应腔的弧度范围为0度至360度。
15、可选地，所述反应腔包括第一腔段和第二腔段；
16、所述本体包括直线腔，直线腔位于所述第一腔段和所述第二腔段之间，所述直线腔的一端与所述第一腔段连通，所述直线腔的另一端与所述第二腔段连通；
17、所述用于中子源的气态靶包括聚焦磁场生成组件，所述聚焦磁场生成组件包括聚焦铁和第二通电线圈，所述聚焦铁围绕所述本体设置，所述聚焦铁的位置与所述直线腔对应，所述第二通电线圈围绕在所述聚焦铁上。
18、可选地，所述第二通电线圈上的电流可调节。
19、本专利技术中的具体实施例的中子源设备包括：
20、离子源系统，所述离子源系统用于提供离子源；
21、束流加速系统，所述束流加速系统用于对所述离子源系统排出的束流进行加速；
22、上述的用于中子源的气态靶，所述用于中子源的气态靶接收经所述束流加速系统加速的束流，所述束流与所述用于中子源的气态靶中的所述反应气体反应，以产生中子。
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1.一种用于中子源的气态靶，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，所述偏转磁场生成组件包括：
4.根据权利要求3所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，
8.根据权利要求1-7中任一项所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，
9.根据权利要求8所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，
10.一种中子源设备，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种用于中子源的气态靶，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，所述偏转磁场生成组件包括：
4.根据权利要求3所述的用于中子源的气态靶，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的用于中子源的气态靶，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，闫少健，
申请(专利权)人：中子科学研究院重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：
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