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用于产生不同中子能谱的旋转中子靶和中子源系统技术方案

技术编号:40429527 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-20 22:51
本发明专利技术涉及中子源技术领域并公开一种用于产生不同中子能谱的旋转中子靶和中子源系统,所述用于产生不同中子能谱的旋转中子靶包括本体,所述本体转动设置,所述本体上具有束流轰击的轰击区,所述轰击区包括多个子轰击区,所述本体包括多种轰击材料,多种所述轰击材料位于所述轰击区。所述用于产生不同中子能谱的旋转中子靶可以实现不同类型中子能谱的输出,如裂变谱、聚变谱、空间反照快中子谱等,即,本发明专利技术中的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶应用在更多领域,从而拓宽了中子靶的应用领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及中子源,具体地,涉及用于产生不同中子能谱的旋转中子靶和中子源系统


技术介绍

1、中子源是能释放出中子的装置。其中,中子源有很多种,从手持放射源到中子研究设施的研究堆和裂变源。最重要的是,中子应用极其广泛,中子源是中子应用的基础,常见的中子源包括:放射性同位素中子源、加速器中子源、反应堆中子源。其中,加速器中子源是使用人工方法,使带电粒子获得较高能量,并轰击某些靶核,从而引起发射中子的核反应,产生中子。相比于放射性同位素中子源的不可控和反应堆中子源的难可控,加速器中子源对于中子的可控性使得中子源的使用更加方便。

2、在相关技术中,对于一般的加速器中子源,由于加速器的束流粒子类型和靶材的类型,导致加速器产生的中子能谱是固定,无法适用于特定辐射场的情形使用需求。因此,如何生产不同特定中子能谱是本领域技术人员亟待解决的技术问题。


技术实现思路

1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本专利技术的实施例提出一种用于产生不同中子能谱的旋转中子靶和中子源系统,该用于产生不同中子能谱的旋转中子靶可以实现不同类型中子能谱的输出,如裂变谱、聚变谱、空间反照快中子谱等,即,本专利技术中的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶应用在更多领域,从而拓宽了中子靶的应用领域。

2、本专利技术中的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶包括:

3、本体,所述本体转动设置,所述本体上具有束流轰击的轰击区,所述轰击区包括多个子轰击区,所述本体包括多种轰击材料,多种所述轰击材料位于所述轰击区。

4、用于产生不同中子能谱的旋转中子靶可以实现不同类型中子能谱的输出,如裂变谱、聚变谱、空间反照快中子谱等,即,本专利技术中的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶应用在更多领域,从而拓宽了中子靶的应用领域。

5、可选地,所述多种轰击材料为混合形式。

6、可选地,所述子轰击区与所述轰击材料一一对应。

7、可选地,多种所述轰击材料在所述轰击区中所占的面积呈预设比例。

8、可选地,所述本体包括周向布置在以束流方向为中心轴的多个靶片,每个所述靶片上具有与其对应的所述子轰击区,多个所述靶片中的至少两个所述靶片之间的所述轰击材料不同。

9、可选地,多种所述轰击材料包括碳材料、铝材料和铜材料,所述碳材料、所述铝材料和所述铜材料之间的比例为6:7:7。

10、可选地,多种所述轰击材料包括铜材料,其中,所述铜材料的所述本体吸附有氚。

11、可选地,多种所述轰击材料包括铍材料和硼材料。

12、可选地,多种所述轰击材料包括铍材料、硼材料和镁材料,所述铍材料、所述硼材料和所述镁材料之间的比例为1:1:3。

13、本专利技术中的中子源系统包括:

14、加速器,所述加速器用于调节束流的能量;

15、上述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶。

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【技术保护点】

1.一种用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,所述本体包括周向布置在以束流方向为中心轴的多个靶片,每个所述靶片上具有与其对应的所述子轰击区,多个所述靶片中的至少两个所述靶片之间的所述轰击材料不同。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,多种所述轰击材料包括碳材料、铝材料和铜材料,所述碳材料、所述铝材料和所述铜材料之间的比例为6:7:7。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,多种所述轰击材料包括铜材料,其中,所述铜材料的所述本体吸附有氚。

8.根据权利要求1-5中任一项所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,多种所述轰击材料包括铍材料或硼材料。

9.根据权利要求1-5中任一项所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,多种所述轰击材料包括铍材料、硼材料和镁材料,所述铍材料、所述硼材料和所述镁材料之间的比例为1:1:3。

10.一种中子源系统,其特征在于,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,

4.根据权利要求1所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,所述本体包括周向布置在以束流方向为中心轴的多个靶片,每个所述靶片上具有与其对应的所述子轰击区,多个所述靶片中的至少两个所述靶片之间的所述轰击材料不同。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的用于产生不同中子能谱的旋转中子靶,其特征在于,多...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名
申请(专利权)人:中子科学研究院重庆有限公司
类型:发明
国别省市:

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