【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种半导体沟槽刻蚀方法。
技术介绍
1、半导体（semiconductor）指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种，其中碳化硅（sic）是第三代化合物半导体材料，碳化硅因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，是制作半导体芯片的基础材料。针对现有技术存在以下问题：
2、半导体沟槽刻蚀的方法分为湿法刻蚀与干法刻蚀，在进行湿法刻蚀的过程中，需将半导体放置在湿法刻蚀装置的刻蚀池内，对半导体进行刻蚀，然而现有的大部分湿法刻蚀装置的刻蚀池在倒入对半导体刻蚀的刻蚀剂时，并不能很好的控制刻蚀剂的液位，液位过高可能会导致在刻蚀过程中刻蚀剂溢出刻蚀池，可能会腐蚀周围的材料，且在进行清洗时，需要将半导体进行上下移动保证半导体充分刻蚀，然而在对半导体进行上下移动时，半导体湿法刻蚀装置并不能将半导体固定，可能会导致半导体在清洗时掉入清洗水池中，使半导体损坏无法使用，且在进行刻蚀时会因为半导体与刻蚀剂发生反应所产生一种气体，这种气体往往带有刻蚀剂中的化学材料，如果在刻蚀完成后直接打开湿法刻蚀装置，这种气体融入空气当中可能会
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体沟槽刻蚀方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：
3、一种半导体沟槽刻蚀方法，该半导体沟槽刻蚀方法包括以下步骤：
4、步骤一：清洗碳化硅片，去除表面的杂质和尘埃，确保其纯净度；
5、步骤二：涂抹光刻胶；
6、步骤三：放置紫外线下进行曝光，直至光刻胶发生化学反应；
7、步骤四：曝光后的碳化硅片浸泡在显影液中；
8、步骤五：将显影后的碳化硅片放入湿法刻蚀中；
9、步骤六：去除残留在碳化硅片上的光刻胶。
10、第二方面，现提出一种半导体湿法刻蚀装置，包括湿法刻蚀装置主体，所述湿法刻蚀装置主体的顶部固定连接有储气仓，所述湿法刻蚀装置主体的内壁底部固定连接有刻蚀台，所述刻蚀台的顶部左侧固定连接有半导体传动台，所述刻蚀台的顶部后侧固定连接有液位控制器。
11、本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述刻蚀台包括有刻蚀台底座，所述刻蚀台底座的顶部左侧固定连接有刻蚀池，所述刻蚀台底座的顶部右侧固定连接有刻蚀液储液池，所述刻蚀台底座的顶部前侧固定连接有清洗池，所述清洗池与刻蚀池对齐，所述刻蚀池的内壁右侧固定连接有两个水管，两个所述水管的右端均贯穿至刻蚀液储液池的内壁，所述刻蚀液储液池、清洗池与刻蚀池的顶部固定连接有顶板，所述液位控制器包括有液位控制器放置板，所述液位控制器放置板的底部固定连接在顶板的顶部后侧，所述液位控制器放置板的前侧固定连接有液位控制器主体，所述液位控制器主体的顶部固定连接有双轴电机，所述液位控制器主体的底部左右两侧分别固定连接有线路杆，两个所述线路杆的底部均延伸至刻蚀池的内壁，所述液位控制器主体的左右两侧下方分别固定连接有丝杆限位块，所述双轴电机的左右两侧输出端分别固定连接有锥形齿，两个所述锥形齿远离双轴电机的一侧下方均啮合第二锥形齿，两个所述第二锥形齿的内壁均固定连接有丝杆，两个所述丝杆的底部均贯穿至丝杆限位块的底部且延伸至刻蚀池的内壁，两个所述线路杆的外壁均滑动连接有水位限位块滑轴，两个所述水位限位块滑轴的外壁均固定连接有水位限位块传动块，两个所述水位限位块传动块的内壁均螺纹连接在丝杆的外壁，两个所述水位限位块传动块的前侧均固定连接有水位限位块。
12、本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述半导体传动台包括有传动板，所述传动板的底部固定连接在顶板的顶部左侧，所述传动板的后侧固定连接有电机放置块，所述电机放置块的内壁固定连接有电机，所述电机的输出端贯穿至传动板的内壁且固定连接有传动板丝杆，所述传动板丝杆的前端活动连接在传动板的内壁前侧，所述传动板丝杆的外壁螺纹连接有立板传动块，所述立板传动块的顶部固定连接有立板底板，所述立板底板的右侧内壁固定连接有立板电机，所述立板底板的顶部右侧固定连接有立板，所述立板电机的输出端贯穿至立板的内壁且固定连接有立板丝杆，所述立板丝杆的外壁螺纹连接有传动杆，所述传动杆的右侧贯穿至立板的外壁且固定连接有l形传动杆，所述l形传动杆的底部右侧固定连接有半导体放置外板，所述半导体放置外板的内壁滑动连接有半导体放置内板，所述半导体放置内板的内壁固定连接有多个半导体固定块，所述半导体固定块包括有半导体固定底板，所述半导体固定底板的顶部前后两侧分别固定连接有半导体固定板，两个所述半导体固定板对立面的顶部与底部均固定连接有固定横板，两组所述固定横板的对立面均开设有两个滑槽，两组所述滑槽内壁的左右两侧均滑动连接有滑块，两组所述滑块的外壁均转动连接有转动杆，两组所述转动杆远离滑槽的一侧均转动连接有夹板，两组所述转动杆的对立面均固定连接有弹簧。
13、本专利技术技术方案的进一步改进在于：所述储气仓包括有储气仓主体，所述储气仓主体的底部固定连接在湿法刻蚀装置主体的顶部后侧，所述储气仓主体的前侧固定连接有抽气管，所述抽气管远离储气仓主体的一侧外壁固定连接有抽气口，所述抽气管远离储气仓主体的一端外壁均延伸至抽气口的内壁，所述抽气口的外壁固定连接在湿法刻蚀装置主体的顶部内壁，所述抽气口的内壁固定连接有抽气扇电机，所述抽气扇电机的输出端固定连接有抽气扇。
14、由于采用了上述技术方案，本专利技术相对现有技术来说，至少具有以下有益效果：
15、1、本专利技术提供一种半导体沟槽刻蚀方法，当需要进行刻蚀时，首先将配比好的刻蚀液倒入刻蚀液储液池的内部，之后通过水管流入刻蚀池的内部，同时启动双轴电机传动水位限位块滑轴与水位限位块向下或向上移动，将两侧的水位限位块传动至最高限位与最低限位，从而对刻蚀池内部的刻蚀液进行控制，清洗池内部存储的是清洗水，解决了液位过高可能会导致在刻蚀过程中刻蚀剂溢出刻蚀池，可能会腐蚀周围的材料的问题。
16、2、本专利技术提供一种半导体沟槽刻蚀方法，当需要对半导体进行刻蚀时首先将半导体限位在半导体放置内板内部的多个半导体固定块中，固定在半导体放置内板的内部，之后将半导体放置内板插入半导体固定块的内部，启动电机将半导体放置内板移动至清洗池的顶部，之后启动立板电机传动l形传动杆上下移动，从而使半导体放置内板在清洗池的内部上下移动进行反复的清洗，保证半导体上不残留杂质，清洗完后继续通过传动板传动使半导体放置内板移动至刻蚀池的顶部，由刻蚀池内部的刻蚀液对半导体进行刻蚀，解决了半导体湿法刻蚀装置并不能将半导体固定，可能本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：该半导体沟槽刻蚀方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀台（3）包括有刻蚀台底座（31），所述刻蚀台底座（31）的顶部左侧固定连接有刻蚀池（33），所述刻蚀台底座（31）的顶部右侧固定连接有刻蚀液储液池（32），所述刻蚀台底座（31）的顶部前侧固定连接有清洗池（34），所述清洗池（34）与刻蚀池（33）对齐。
3.根据权利要求2所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀池（33）的内壁右侧固定连接有两个水管（35），两个所述水管（35）的右端均贯穿至刻蚀液储液池（32）的内壁，所述刻蚀液储液池（32）、清洗池（34）与刻蚀池（33）的顶部固定连接有顶板（36）。
4.根据权利要求1所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述液位控制器（4）包括有液位控制器放置板（41），所述液位控制器放置板（41）的底部固定连接在顶板（36）的顶部后侧，所述液位控制器放置板（41）的前侧固定连接有液位控制器主体（42），所述液位控制器主体（42）的顶部固定连接有双
5.根据权利要求4所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述双轴电机（43）的左右两侧输出端分别固定连接有锥形齿（44），两个所述锥形齿（44）远离双轴电机（43）的一侧下方均啮合第二锥形齿（45），两个所述第二锥形齿（45）的内壁均固定连接有丝杆（47），两个所述丝杆（47）的底部均贯穿至丝杆限位块（46）的底部且延伸至刻蚀池（33）的内壁，两个所述线路杆（48）的外壁均滑动连接有水位限位块滑轴（410），两个所述水位限位块滑轴（410）的外壁均固定连接有水位限位块传动块（49），两个所述水位限位块传动块（49）的内壁均螺纹连接在丝杆（47）的外壁，两个所述水位限位块传动块（49）的前侧均固定连接有水位限位块（411）。
6.根据权利要求1所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述半导体传动台（5）包括有传动板（51），所述传动板（51）的底部固定连接在顶板（36）的顶部左侧，所述传动板（51）的后侧固定连接有电机放置块（52），所述电机放置块（52）的内壁固定连接有电机（53），所述电机（53）的输出端贯穿至传动板（51）的内壁且固定连接有传动板丝杆（54），所述传动板丝杆（54）的前端活动连接在传动板（51）的内壁前侧，所述传动板丝杆（54）的外壁螺纹连接有立板传动块（55），所述立板传动块（55）的顶部固定连接有立板底板（56），所述立板底板（56）的右侧内壁固定连接有立板电机（57），所述立板底板（56）的顶部右侧固定连接有立板（58），所述立板电机（57）的输出端贯穿至立板（58）的内壁且固定连接有立板丝杆（59），所述立板丝杆（59）的外壁螺纹连接有传动杆（510），所述传动杆（510）的右侧贯穿至立板（58）的外壁且固定连接有L形传动杆（511），所述L形传动杆（511）的底部右侧固定连接有半导体放置外板（512），所述半导体放置外板（512）的内壁滑动连接有半导体放置内板（513），所述半导体放置内板（513）的内壁固定连接有多个半导体固定块（514）。
7.根据权利要求6所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述半导体固定块（514）包括有半导体固定底板（5141），所述半导体固定底板（5141）的顶部前后两侧分别固定连接有半导体固定板（5142），两个所述半导体固定板（5142）对立面的顶部与底部均固定连接有固定横板（5143），两组所述固定横板（5143）的对立面均开设有两个滑槽（5144），两组所述滑槽（5144）内壁的左右两侧均滑动连接有滑块（5145），两组所述滑块（5145）的外壁均转动连接有转动杆（5146），两组所述转动杆（5146）远离滑槽（5144）的一侧均转动连接有夹板（5148），两组所述转动杆（5146）的对立面均固定连接有弹簧（5147）。
8.根据权利要求7所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述储气仓（2）包括有储气仓主体（21），所述储气仓主体（21）的底部固定连接在湿法刻蚀装置主体（1）的顶部后侧，所述储气仓主体（21）的前侧固定连接有抽气管（22），所述抽气管（22）远离储气仓主体（21）的一侧外壁固定连接有抽气口（23），所述抽气管（22）远离储气仓主体（21）的一端外壁均延伸至抽气口（23）的内壁，所述抽...
【技术特征摘要】
1.一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：该半导体沟槽刻蚀方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀台（3）包括有刻蚀台底座（31），所述刻蚀台底座（31）的顶部左侧固定连接有刻蚀池（33），所述刻蚀台底座（31）的顶部右侧固定连接有刻蚀液储液池（32），所述刻蚀台底座（31）的顶部前侧固定连接有清洗池（34），所述清洗池（34）与刻蚀池（33）对齐。
3.根据权利要求2所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀池（33）的内壁右侧固定连接有两个水管（35），两个所述水管（35）的右端均贯穿至刻蚀液储液池（32）的内壁，所述刻蚀液储液池（32）、清洗池（34）与刻蚀池（33）的顶部固定连接有顶板（36）。
4.根据权利要求1所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述液位控制器（4）包括有液位控制器放置板（41），所述液位控制器放置板（41）的底部固定连接在顶板（36）的顶部后侧，所述液位控制器放置板（41）的前侧固定连接有液位控制器主体（42），所述液位控制器主体（42）的顶部固定连接有双轴电机（43），所述液位控制器主体（42）的底部左右两侧分别固定连接有线路杆（48），两个所述线路杆（48）的底部均延伸至刻蚀池（33）的内壁，所述液位控制器主体（42）的左右两侧下方分别固定连接有丝杆限位块（46）。
5.根据权利要求4所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述双轴电机（43）的左右两侧输出端分别固定连接有锥形齿（44），两个所述锥形齿（44）远离双轴电机（43）的一侧下方均啮合第二锥形齿（45），两个所述第二锥形齿（45）的内壁均固定连接有丝杆（47），两个所述丝杆（47）的底部均贯穿至丝杆限位块（46）的底部且延伸至刻蚀池（33）的内壁，两个所述线路杆（48）的外壁均滑动连接有水位限位块滑轴（410），两个所述水位限位块滑轴（410）的外壁均固定连接有水位限位块传动块（49），两个所述水位限位块传动块（49）的内壁均螺纹连接在丝杆（47）的外壁，两个所述水位限位块传动块（49）的前侧均固定连接有水位限位块（411）。
6.根据权利要求1所述的一种半导体沟槽刻蚀方法，其特征在于：所述半导体传动台（5）包括有传动板（51），所述传动板（51）的底部固定连接在顶板（36）的顶部左侧，所述传动板（51）的后侧固定连接有电机放置块（5...
【专利技术属性】
技术研发人员：张振中，郝建勇，刘玮，王悦，
申请(专利权)人：苏州中瑞宏芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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