【技术实现步骤摘要】
本技术涉及氮化镓适配器,具体涉及一种快装式氮化镓适配器。
技术介绍
1、氮化镓电源适配器是一种基于氮化镓半导体材料制造的功率转换器。与传统的硅基电源适配器相比,氮化镓电源适配器具有更高的功率密度、更高的效率和更好的热耐受性。
2、现有的氮化镓适配器,其多由上壳体、电路板和下壳体构成,电路板装入下壳体后,上壳体和下壳体之间利用超声波焊接固定,虽然结构简单,但超声波焊接的要求较高、效率不高,且焊接控制不恰当容易存在段差等质量问题。
技术实现思路
1、为了克服现有技术中存在的缺点和不足,本技术的目的在于提供一种快装式氮化镓适配器。
2、本技术的目的通过下述技术方案实现:一种快装式氮化镓适配器,包括内壳主体、容设于内壳主体的电路板、盖封于内壳主体一侧开口的封装外框、以及盖设于内壳主体一端开口的线材端盖,所述线材端盖的周沿开设有与所述内壳主体一端卡接配合的第一卡槽,所述内壳主体一端开口处开设有与所述线材端盖的周沿卡接配合的第二卡槽。
3、优选的,所述封装外框的内壁凸伸有卡扣,所述内壳主体开设有与卡扣扣合的扣槽。
4、优选的,所述封装外框的内壁凸伸有第一凸轨,所述内壳主体的外壁开设有与第一凸轨卡接配合的第一凹轨。
5、优选的,所述封装外框的内侧壁凸伸有第二凸轨,所述线材端盖的一侧开设有与第二凸轨卡接配合的第二凹轨。
6、优选的,所述内壳主体的内壁凸伸有两个间隔设置的限位夹板,两个限位夹板之间形成与所述电路板的底部卡接配合的
7、优选的,所述线材端盖开设有容置凹槽,所述快装式氮化镓适配器还包括固定连接于所述容置凹槽的线材夹紧组件。
8、优选的,所述封装外框的底部固定连接有防滑条。
9、优选的,所述封装外框的内侧壁开设有让位凹槽,所述电路板的一侧伸入并胶黏于让位凹槽。
10、本技术的有益效果在于:本技术的快装式氮化镓适配器,采用内壳主体、电路板、封装外框和线材端盖,封装外框盖封于内壳主体一侧开口,且线材端盖的周沿开设有与内壳主体一端卡接配合的第一卡槽,内壳主体一端开口处开设有与所述线材端盖的周沿卡接配合的第二卡槽;组装时,在内壳主体中装入电路板后,利用线材端盖的周沿的第一卡槽和内壳主体一端开口处第二卡槽配合,使线材端盖卡接于内壳主体一端开口处,再利用封装外框盖封于内壳主体一侧开口,完成安装,且稳固性好,相比传统的超声波焊接方式,该快装式氮化镓适配器的组装效率更高,避免出现焊接控制精度不恰当而存在段差等质量问题。
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1.一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:包括内壳主体、容设于内壳主体的电路板、盖封于内壳主体一侧开口的封装外框、以及盖设于内壳主体一端开口的线材端盖,所述线材端盖的周沿开设有与所述内壳主体一端卡接配合的第一卡槽,所述内壳主体一端开口处开设有与所述线材端盖的周沿卡接配合的第二卡槽。
2.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:所述封装外框的内壁凸伸有卡扣,所述内壳主体开设有与卡扣扣合的扣槽。
3.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:所述封装外框的内壁凸伸有第一凸轨,所述内壳主体的外壁开设有与第一凸轨卡接配合的第一凹轨。
4.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:所述封装外框的内侧壁凸伸有第二凸轨,所述线材端盖的一侧开设有与第二凸轨卡接配合的第二凹轨。
5.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:所述内壳主体的内壁凸伸有两个间隔设置的限位夹板,两个限位夹板之间形成与所述电路板的底部卡接配合的限位槽。
6.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在
7.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:所述封装外框的底部固定连接有防滑条。
8.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:所述封装外框的内侧壁开设有让位凹槽,所述电路板的一侧伸入并胶黏于让位凹槽。
...【技术特征摘要】
1.一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:包括内壳主体、容设于内壳主体的电路板、盖封于内壳主体一侧开口的封装外框、以及盖设于内壳主体一端开口的线材端盖,所述线材端盖的周沿开设有与所述内壳主体一端卡接配合的第一卡槽,所述内壳主体一端开口处开设有与所述线材端盖的周沿卡接配合的第二卡槽。
2.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:所述封装外框的内壁凸伸有卡扣,所述内壳主体开设有与卡扣扣合的扣槽。
3.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:所述封装外框的内壁凸伸有第一凸轨,所述内壳主体的外壁开设有与第一凸轨卡接配合的第一凹轨。
4.根据权利要求1所述的一种快装式氮化镓适配器,其特征在于:所述封装外框的内侧壁...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄友林,
申请(专利权)人:东莞市辉越光电有限公司,
类型:新型
国别省市:
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