一种SiC-TiC复相陶瓷及其制备方法和应用技术

技术编号:41219180 阅读:22 留言:0更新日期:2024-05-09 23:39
本发明专利技术属于陶瓷材料技术领域,公开了一种SiC‑TiC复相陶瓷及其制备方法和应用。该方法是将氮化硅、炭黑和金属钛混合,加入溶剂和球磨介质经混料、球磨、干燥、过筛,得到混合粉体;将混合粉体在100~300MPa冷等静压压制成型,得到陶瓷素坯;在坩埚内表面刷上一层BN,将陶瓷素坯放入坩埚,真空条件下,升温至1500~1600℃保温,再升温至1800~1900℃保温,制得SiC‑TiC复相陶瓷。本发明专利技术的SiC‑TiC复相陶瓷在室温下的维式硬度为25~30GPa,断裂韧性为3~5MPa·m1/2,抗弯强度为450~650MPa。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于陶瓷材料,更具体地,涉及一种sic-tic复相陶瓷及其制备方法和应用。


技术介绍

1、sic陶瓷具有高硬度、抗磨损、耐腐蚀、抗氧化、耐高温、高温强度高等优良特性,不仅应用于高温窑具、燃烧喷嘴、热交换器、密封环、滑动轴承等传统工业领域,还可作为防弹装甲材料、空间反射镜、半导体晶圆制备中夹具材料及核燃料包壳材料。由于sic是由si-c四面体组成的共价键性很强的三维晶体,具有金刚石型结构,烧结时的扩散速率相当低,同时其颗粒表面覆盖的氧化层起到扩散势垒的作用,阻碍扩散进行。因此,纯sic很难烧结致密,要制备致密样品,通常采用热压、热等静压、反应烧结及添加烧结助剂的常压烧结等工艺实现。其中,热压和热等静压烧结工艺由于受到设备限制,很难制备大尺寸和形状复杂的制品;常压烧结过程中制品收缩较大,容易造成制品变形、开裂,难以制备大尺寸及复杂形状的制品;反应烧结工艺在较低的温度(通常在硅的熔点1410℃以上)下实现制品的致密化,烧结过程中制品的体积几乎不变化。因此,反应烧结工艺是制备大尺寸、复杂形状碳化佳制品的最有效方法。由反应烧结法制备的碳化硅因温度低和净尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC-TiC复相陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下具体步骤:

2.根据权利要求1所述的SiC-TiC复相陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述氮化硅的粒径为1~3μm,所述氮化硅的纯度为99%以上,所述炭黑的粒径为100~300nm,所述炭黑的纯度为99.9%以上,金属钛的粒径为~1μm。

3.根据权利要求1所述的SiC-TiC复相陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述球磨介质为SiC球,所述溶剂为无水乙醇。

4.根据权利要求1所述的SiC-TiC复相陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述氮化硅:炭黑:金属钛的摩尔比为(0.8~...

【技术特征摘要】

1.一种sic-tic复相陶瓷的制备方法,其特征在于,包括如下具体步骤:

2.根据权利要求1所述的sic-tic复相陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤s1中所述氮化硅的粒径为1~3μm,所述氮化硅的纯度为99%以上,所述炭黑的粒径为100~300nm,所述炭黑的纯度为99.9%以上,金属钛的粒径为~1μm。

3.根据权利要求1所述的sic-tic复相陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤s1中所述球磨介质为sic球,所述溶剂为无水乙醇。

4.根据权利要求1所述的sic-tic复相陶瓷的制备方法,其特征在于,步骤s1中所述氮化硅:炭黑:金属钛的摩尔比为(0.8~1):(3~5):(1~3);所述球磨介质、溶剂和混合粉体的质量比为(5~1...

【专利技术属性】
技术研发人员:肖琼王在峰卢天平李延星
申请(专利权)人:湖南省拓道新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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