System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种C/SiC复合材料、抗烧蚀防护件及其应用制造技术_技高网

一种C/SiC复合材料、抗烧蚀防护件及其应用制造技术

技术编号:41219038 阅读:3 留言:0更新日期:2024-05-09 23:39
本发明专利技术属于C/SiC复合材料领域,公开一种C/SiC复合材料的制备方法,包括:(1)、将碳纤维制成碳纤维预制体;(2)、在碳纤维预制体上制备C界面层,C界面层的厚度控制在200~700 nm之间;(3)、采用CVI法在步骤(2)所得工件上制备抗氧化陶瓷层;(4)、采用PIP法对步骤(3)所得工件填充SiC基体;(5)、重复步骤(3)‑(4)至少一次;(6)、采用CVD法对步骤(5)所得工件进行封孔处理,得到目标产品。本发明专利技术制备的C/SiC复合材料在1200~1600℃环境下同时具有抗烧蚀、长寿命的特点。本发明专利技术还公开一种抗烧蚀防护件及其应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于c/sic复合材料领域,具体涉及一种c/sic复合材料、抗烧蚀防护件及其应用。


技术介绍

1、碳纤维增强陶瓷基复合材料(碳陶复合材料)具有耐高温、抗烧蚀、机械性能良好的优点。目前,c/sic复合材料主要是用于发动机喷管、燃烧室等部位,但在1200~1600 ℃环境下服役过程中,碳纤维不可避免地会因为氧化受损,使得材料使用寿命变短。

2、鉴于上述问题,亟待开发一种用于1200~1600 ℃环境下、抗烧蚀、长寿命c/sic复合材料,能提高c/sic复合材料纤维的力学性能从而提高使用寿命,并充分发挥材料本身抗烧蚀的优势。


技术实现思路

1、为克服现有技术中c/sic复合材料易因其碳纤维的氧化而发生断裂失效,本专利技术目的在于提供一种c/sic复合材料、抗烧蚀防护件及其应用。

2、为实现上述目的,本专利技术采取的技术方案如下:

3、一种c/sic复合材料的制备方法,制备步骤如下:

4、(1)、将碳纤维制成碳纤维预制体;

5、(2)、在碳纤维预制体上制备c界面层,c界面层的厚度控制在200~700 nm之间;

6、(3)、采用cvi法在步骤(2)所得工件上制备抗氧化陶瓷层;

7、(4)、采用pip法对步骤(3)所得工件填充sic基体;

8、(5)、重复步骤(3)和(4)的cvi-pip循环至少一次;

9、(6)、采用cvd法对步骤(5)所得工件进行封孔处理,得到目标产品。

10、如此,通过在碳纤维预制体上制备c界面层填补碳纤维预制体缺陷,在此基础上制备抗氧化陶瓷层提高碳纤维预制体的强度,同时还能够对碳纤维预制体表面进行增密处理,进一步降低预制体碳纤维的孔隙率,从而减少碳纤维预制体表面在高温环境时的氧通道,减少碳纤维氧化;采用pip法对工件填充sic基体,使工件具有sic的抗烧蚀性能,同时采用cvi-pip循环工艺则可增加工件中sic的密度,最后进行cvd封孔处理,减少工件的氧通道,从而有效避免因碳纤维氧化导致的工件失效问题,延长其在高温烧蚀环境下的使用寿命。

11、在一些实施例中,c/sic复合材料的制备方法还包括在步骤(1)和步骤(2)之间,将碳纤维预制体置于负压环境中,1500~1800 ℃高温煅烧预处理1~3 h。在一些实施例中,负压环境为真空环境或者微负压环境,微负压环境是指在抽真空后再通入氩气至压力控制在-95 ~ -80 kpa之间。

12、如此,对碳纤维预制体进行高温煅烧预处理,在去除碳纤维表面杂质的同时可以提高石墨化度。碳纤维表面石墨化度低于30 %时,其非晶态碳含量高,纤维材料晶体整体呈无序状态,提高石墨化度可以提高材料的强度和硬度,提升材料的化学稳定性,使碳纤维具有抗氧化性,从而避免因碳纤维氧化引起的力学性能下降,然而,当热处理温度高于1800℃时,碳纤维的石墨化度高于60 %,材料韧性降低,易出现断裂情况。通过控制煅烧温度和煅烧时间,将碳纤维预制体的石墨化度控制在30~60 %,能够在去除碳纤维表面杂质的同时可以提高石墨化度。

13、在一些实施例中,步骤(2)中,采用cvi法制备c界面层,制备过程中沉积速率为10~100 nm/h。

14、在一些实施例中,步骤(2)中,以甲烷或天然气为c源,沉积温度为1000~1100 ℃。

15、如此,碳纤维预制体在经过石墨化处理去除表面杂质后,存在很多细小的缝隙缺陷,通过在碳纤维预制体上cvi慢速沉积可在碳纤维预制体表面获得一个纳米级c界面层,而慢速沉积可使c充分渗透到碳纤维预制体内部,有效填补碳纤维预制体的缝隙缺陷,使其具有更高的韧性和稳定性。

16、在一些实施例中,步骤(3)中,抗氧化陶瓷层为sic层或bn层,且抗氧化陶瓷层的厚度≤1000 nm;

17、其中,当抗氧化陶瓷层为sic层时,cvi的条件为:沉积温度1000~1200 ℃,通入h2、ar气、甲基三氯硅烷,h2流量为1~10 slm ,h2∶ar∶甲基三氯硅烷摩尔比为1∶1∶(5~10);

18、当抗氧化陶瓷层为bn层时,cvi的条件为:沉积温度1000~1200 ℃,通入bf3、nh3、ar气,bf3的流量为1~10 slm,bf3∶nh3∶ar摩尔比为1∶1∶(1~5)。

19、如此,由于sic层和bn层均具有高硬度、高强度、高耐热性和高耐腐蚀性,同时工艺简单,容易获得。sic和bn抗氧化陶瓷层不仅能够提高碳纤维预制体的强度,同时还通过化学气相渗透对碳纤维预制体表面进行增密处理,从而进一步降低碳纤维预制体的孔隙率,减少碳纤维预制体表面在高温环境时的氧通道,避免氧气进入碳纤维内部造成碳纤维氧化。

20、在一些实施例中,步骤(4)中,pip法为依次进行浸渍、固化、裂解工序,浸渍、固化、裂解的过程如下:

21、浸渍:将工件放进浸渍罐中,对浸渍罐进行抽真空至100 pa以下,靠负压将浆料吸入浸渍罐中,保持压力1~2 h,随后通入氮气打压,浸渍压力2~4 mpa,保压时间2~4 h;浆料为液体酚醛树脂以及分散剂,分散剂的用量为液体酚醛树脂质量的0.1~30 wt%;

22、固化:将浸渍完成的工件在常温、0.1~2 mpa下固化2~5 h;

23、裂解:将固化完成的工件在1200~1300 ℃下裂解0.5~1 h。

24、在一些实施例中,重复步骤(3)-(4)过程4~6次。

25、如此,设计重复进行cvi-pip循环,cvi制备的抗氧化陶瓷层可以对pip结束后制备的c/sic复合材料内部产生的微孔进行填充,降低整体孔隙率,抗氧化陶瓷层在增加整个工件密度的同时,还能够避免c/sic复合材料在服役环境中表面涂层失效后,基体内部微孔全部暴露造成碳纤维氧化,从而有效提升材料的使用寿命。

26、在一些实施例中,步骤(6)的封孔处理过程为:将工件放入沉积炉中,对沉积炉抽真空至100 pa以下,升温至1000~1200 ℃,保温,通入h2、ar气、甲基三氯硅烷,其中h2流量为5~20 slm,h2∶ar∶甲基三氯硅烷摩尔比为1∶1∶(5~10),沉积时间20~40 h。

27、如此,采用cvd法对工件进行最终的封孔处理,能够在工件形成均匀的c界面层,增加表面抗烧蚀的能力。cvd法制备界面层为“附着-结晶”形式,制备的界面层晶粒较大,界面层较厚,不会对基体孔隙进行填充,而是覆盖在孔隙表面,因此在工件表面形成的界面层具有较高的均匀性,可以增加材料表面抗烧蚀的能力。

28、本申请还公开一种抗烧蚀防护件,由前文制备方法制备的c/sic复合材料制成。

29、本申请还公开一种抗烧蚀防护件的应用,应用的环境温度为1200~1600 ℃。

30、本专利技术通过控制碳纤维预制体石墨化度在30~60 %,同时采用慢速沉积制备c界面层,加上采用cvi法在预制体碳纤维表面沉积抗氧化陶瓷层、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种C/SiC复合材料的制备方法,其特征在于,制备步骤如下:

2.如权利要求1所述的C/SiC复合材料的制备方法,其特征在于:还包括在步骤(1)和步骤(2)之间,将碳纤维预制体置于负压环境中,1500~1800 ℃高温煅烧预处理1~3 h。

3.如权利要求2所述的C/SiC复合材料的制备方法,其特征在于:负压环境为真空环境或者微负压环境,微负压环境是指在抽真空后再通入氩气至压力控制在-95 ~ -80 kPa之间。

4.如权利要求1所述的C/SiC复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,采用CVI法制备C界面层,制备过程中沉积速率为10~100 nm/h。

5.如权利要求4所述的C/SiC复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,以甲烷或天然气为C源,沉积温度为1000~1100 ℃。

6.如权利要求1所述的C/SiC复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(3)中,抗氧化陶瓷层为SiC层或BN层,且抗氧化陶瓷层的厚度≤1000 nm;

7.如权利要求1所述的C/SiC复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(4)中,PIP法为依次进行浸渍、固化、裂解工序,浸渍、固化、裂解的过程如下:

8.如权利要求1所述的C/SiC复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(6)的封孔处理过程为:将工件放入沉积炉中,对沉积炉抽真空至100 Pa以下,升温至1000~1200 ℃,保温,通入H2、Ar气、甲基三氯硅烷,其中H2流量为5~20 SLM,H2∶Ar∶甲基三氯硅烷摩尔比为1∶1∶(5~10),沉积时间20~40 h。

9.一种抗烧蚀防护件,其特征在于:由权利要求1~8之任意一项所述制备方法制备的C/SiC复合材料制成。

10.一种如权利要求9所述的抗烧蚀防护件的应用,其特征在于:应用的环境温度为1200~1600 ℃。

...

【技术特征摘要】

1.一种c/sic复合材料的制备方法,其特征在于,制备步骤如下:

2.如权利要求1所述的c/sic复合材料的制备方法,其特征在于:还包括在步骤(1)和步骤(2)之间,将碳纤维预制体置于负压环境中,1500~1800 ℃高温煅烧预处理1~3 h。

3.如权利要求2所述的c/sic复合材料的制备方法,其特征在于:负压环境为真空环境或者微负压环境,微负压环境是指在抽真空后再通入氩气至压力控制在-95 ~ -80 kpa之间。

4.如权利要求1所述的c/sic复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,采用cvi法制备c界面层,制备过程中沉积速率为10~100 nm/h。

5.如权利要求4所述的c/sic复合材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)中,以甲烷或天然气为c源,沉积温度为1000~1100 ℃。

6.如权利要求1所述的c/sic复合材料的制备方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴恒李江涛郭琛魏庆渤
申请(专利权)人:巩义市泛锐熠辉复合材料有限公司
类型:发明
国别省市:

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