【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及电子电路，特别是涉及一种放大器以及射频接收系统。
技术介绍
1、随着无线通信技术和集成电路的快速发展，射频集成电路作为这两者的桥梁，也成为当下大家研究的重点，对于射频集成电路设计的要求也越来越高。其中，放大器是射频集成电路中的一个重要模块，位于射频集成电路前端，用于放大天线接收到的信号。放大器提供的增益越大，整体电路噪声性能越好。
2、然而，现有的放大器，对信号放大的增益小。
技术实现思路
1、为克服相关技术中存在的问题，本申请提供了一种放大器以及射频接收系统，其可提高放大器的增益。
2、根据本申请实施例的第一方面，提供一种放大器，包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第一偏置电阻、第二偏置电阻、第三偏置电阻、第四偏置电阻、第五偏置电阻、第六偏置电阻、第七偏置电阻以及第八偏置电阻；
3、第一pmos管的栅极、第一nmos管的栅极、第四pmos管的栅极以及第四nmos管的栅极均为放大器的正相输入端，均与正相输入信号连接；第二pmos管的栅极、第二nmos管的栅极、第三pmos管的栅极以及第三nmos管的栅极均为放大器的反相输入端，均与反相输入信号连接；第一pmos管的漏极以及第一nmos管的漏极均为放大器的反相输出端；第二pmos管的漏极以及第二nmos管的漏极均为放大器的正相输出端；
4、第一pmos管的栅极还经第一偏置电阻与
5、第二pmos管的栅极还经第三偏置电阻与第一偏置电压连接，第二pmos管的源极与第四nmos管的源极连接；第四nmos管的漏极与直流电源连接；第四nmos管的栅极还经第四偏置电阻与第二偏置电压连接；
6、第一nmos管的栅极还经第五偏置电阻与第三偏置电压连接，第一nmos管的源极与第三pmos管的源极连接；第三pmos管的漏极接地；第三pmos管的栅极还经第六偏置电阻与第四偏置电压连接；
7、第二nmos管的栅极还经第七偏置电阻与第三偏置电压连接，第二nmos管的源极与第四pmos管的源极连接；第四pmos管的漏极接地；第四pmos管的栅极还经第八偏置电阻与第四偏置电压连接。
8、根据本申请实施例的第二方面，提供一种射频接收系统，包括天线、单端差分转换器、放大器以及变频器；
9、单端差分转换器的第一端与天线连接，单端差分转换器的第二端接地，单端差分转换器的第三端与放大器的正相输入端连接，单端差分转换器的第四端与放大器的反相输入端连接，放大器的正相输出端与变频器的第一输入端连接，放大器的反相输出端与变频器的第二输入端连接；
10、放大器包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第一偏置电阻、第二偏置电阻、第三偏置电阻、第四偏置电阻、第五偏置电阻、第六偏置电阻、第七偏置电阻以及第八偏置电阻；
11、第一pmos管、第一nmos管、第四pmos管以及第四nmos管的栅极均为放大器的正相输入端；第二pmos管、第二nmos管、第三pmos管以及第三nmos管的栅极均为放大器的反相输入端；第一pmos管的漏极、第一nmos管的漏极均为放大器的反相输出端，第二pmos管的漏极、第二nmos管的漏极均为放大器的正相输出端；
12、第一pmos管的栅极还经第一偏置电阻与第一偏置电压连接，第一pmos管的源极与第三nmos管的源极连接；第三nmos管的漏极与直流电源连接；第三nmos管的栅极还经第二偏置电阻与第二偏置电压连接；
13、第二pmos管的栅极还经第三偏置电阻与第一偏置电压连接，第二pmos管的源极与第四nmos管的源极连接；第四nmos管的漏极与直流电源连接；第四nmos管的栅极还经第四偏置电阻与第二偏置电压连接；
14、第一nmos管的栅极还经第五偏置电阻与第三偏置电压连接，第一nmos管的源极与第三pmos管的源极连接；第三pmos管的漏极接地；第三pmos管的栅极还经第六偏置电阻与第四偏置电压连接；
15、第二nmos管的栅极还经第七偏置电阻与第三偏置电压连接，第二nmos管的源极与第四pmos管的源极连接；第四pmos管的漏极接地；第四pmos管的栅极还经第八偏置电阻与第四偏置电压连接。
16、本申请实施例通过正相输入信号和反相输入信号分别驱动四个mos管的栅极，增大了第一pmos管和第一nmos管栅源电压的变化，提高了第一pmos管的跨导和第一nmos管的跨导，使反相输出信号幅度增加；增大了第二pmos管和第二nmos管栅源电压的变化，提高了第二pmos管的跨导和第二nmos管的跨导，使正相输出信号幅度增加，从而提高了放大器的增益。并且，第一pmos管、第一nmos管、第三pmos管以及第三nmos管串联，第二pmos管、第二nmos管、第四pmos管以及第四nmos管串联，均复用一路电流，减小了电流的消耗。
17、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。
18、为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本专利技术。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种放大器，其特征在于，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一偏置电阻、第二偏置电阻、第三偏置电阻、第四偏置电阻、第五偏置电阻、第六偏置电阻、第七偏置电阻以及第八偏置电阻；
2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，还包括第一隔直单元、第二隔直单元、第三隔直单元、第四隔直单元、第五隔直单元、第六隔直单元、第七隔直单元以及第八隔直单元；
3.根据权利要求2所述的放大器，其特征在于：
4.根据权利要求1至3任意一项所述的放大器，其特征在于：
5.根据权利要求1至3任意一项所述的放大器，其特征在于：
6.一种射频接收系统，其特征在于，包括天线、单端差分转换器、放大器以及变频器；
7.根据权利要求6所述的射频接收系统，其特征在于：
8.根据权利要求7所述的射频接收系统，其特征在于：
9.根据权利要求6至8任意一项所述的射频接收系统，其特征在于：
10.根据权利要求6至8任意一所述
...【技术特征摘要】
1.一种放大器，其特征在于，包括第一pmos管、第二pmos管、第三pmos管、第四pmos管、第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第一偏置电阻、第二偏置电阻、第三偏置电阻、第四偏置电阻、第五偏置电阻、第六偏置电阻、第七偏置电阻以及第八偏置电阻；
2.根据权利要求1所述的放大器，其特征在于，还包括第一隔直单元、第二隔直单元、第三隔直单元、第四隔直单元、第五隔直单元、第六隔直单元、第七隔直单元以及第八隔直单元；
3.根据权利要求2所述的放大器，其特征在于：<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，李正平，张千文，韩富强，
申请(专利权)人：国芯科技广州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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