一种半导体工艺流程中真空泵前级直流除尘装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体工艺流程中真空泵前级直流除尘装置，其特征在于，包括冷凝模块、静电排斥模块和收集模块依次竖直设置在真空室与真空泵之间的排气管道上；收集模块的底部具有收集槽和排气口；其中，所述冷凝模块用于对从真空室排出的废气进行冷却，促进废气中的颗粒物凝结生长为颗粒后进入静电排斥模块内；所述静电排斥模块用于利用产生的等离子体形成一自由电荷分布区域和一静电场，使所输入废气流经自由电荷分布区域时使废气中的颗粒物带电，然后利用静电场排斥引导带电的颗粒物运动进入收集槽；所述收集模块的排气口通过排气管与所述真空泵连接，用于将滤除颗粒物的残气排出。本装置能够实现无颗粒物排放，有效保护后级真空泵等设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制作工艺中颗粒物去除，涉及一种半导体工艺流程中真空泵前级直流除尘装置。

技术介绍

1、目前半导体制造领域的真空系统如图1所示：真空泵通过前级真空管道与真空腔室相连接，并维持腔室内的真空环境；真空泵排气通过排气管道与尾气处理设备相连接，尾气处理设备将有害气体进行处理之后，通过尾气排放进到工厂的厂务排放总管道。真空腔室里面对半导体产品进行加工，腔室内发生各种物理化学反应，进行气态与固态的转换，如：sih4(气态)+nh3(气态)→si3n4(固态)+h2(气态)，而且大多数时间，化合反应并不充分，从而生成各种副产物，这也是颗粒物产生的主要来源。

2、在半导体制造工艺中会不可避免的形成许多微纳米级的颗粒物，这些颗粒物的出现不仅降低了晶圆的良品率，还会对真空室和排气系统形成污染。因此，去除颗粒污染物是半导体制造工艺中的关键一环。颗粒物一方面来源于工厂加工生产环境，另一方面来源于流片工艺中复杂气相反应生成的各种尺度的固体颗粒物，其中在流片过程中产生的颗粒物是最主要来源。据统计，对于1mm设计线宽的4m dram生产中，其污染颗粒50％本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体工艺流程中真空泵前级直流除尘装置，其特征在于，包括冷凝模块、静电排斥模块和收集模块；所述冷凝模块、静电排斥模块和收集模块依次竖直设置在真空室与真空泵之间的排气管道上；所述收集模块的底部具有收集槽和排气口；其中，

2.根据权利要求1所述的半导体工艺流程中真空泵前级直流除尘装置，其特征在于，所述静电排斥模块包括一圆筒B，所述圆筒B内设有第一球冠形金属孔板和第二球冠形金属孔板；其中，第一球冠形金属孔板作为负电极，第二球冠形金属孔板作为正电极，第一球冠形金属孔板位于第二球冠形金属孔板下方；所述收集模块包括一圆筒C，所述圆筒C的内壁底部边缘设有所述收集槽、中心区域为所述排...

【技术特征摘要】

1.一种半导体工艺流程中真空泵前级直流除尘装置，其特征在于，包括冷凝模块、静电排斥模块和收集模块；所述冷凝模块、静电排斥模块和收集模块依次竖直设置在真空室与真空泵之间的排气管道上；所述收集模块的底部具有收集槽和排气口；其中，

2.根据权利要求1所述的半导体工艺流程中真空泵前级直流除尘装置，其特征在于，所述静电排斥模块包括一圆筒b，所述圆筒b内设有第一球冠形金属孔板和第二球冠形金属孔板；其中，第一球冠形金属孔板作为负电极，第二球冠形金属孔板作为正电极，第一球冠形金属孔板位于第二球冠形金属孔板下方；所述收集模块包括一圆筒c，所述圆筒c的内壁底部边缘设有所述收集槽、中心区域为所述排气口；所述第一球冠形金属孔板、第二球冠形金属孔板的顶部朝上；所述第一球冠形金属孔板用于放电击穿气体产生等离子体形成一自由电荷分布区域，以及通过所述等离子体分别在所述圆筒b的内壁表面、第一球冠形金属孔板的表面和第二球冠形金属孔板的表面形成鞘层电场，所述第一球冠形金属孔板、第二球冠形金属孔板表面的鞘层电场用于对带电的颗粒物进行排斥后向所述圆筒b的侧壁靠近下滑，所述圆筒b表面的鞘层电场用于对带电的颗粒物进行排斥后远离所述圆筒b内壁表面并下滑进入所述集尘模块的收集槽。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺流程中真空泵前级直流除尘装置，其特征在于，所述第一球冠形金属孔板上的金属孔的孔径不大于7mm，所述第一球冠形金属孔板的厚度为0.5mm、网格半径为3mm；所述第二球冠形金属孔板上的金属孔的孔径不大于7mm，所述第二球冠形金属孔板的厚度为0.5mm、网格半径为3mm。

【专利技术属性】
技术研发人员：张华霞，冯小军，
申请(专利权)人：保定途普拉斯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：