【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、在用于诸如垂直金属氧化物半导体场效晶体管(vertical metal-oxide-semiconductor field effect transistor，vmosfet)或垂直绝缘栅双极晶体管(verticalinsulated gate bipolar transistor，vigbt)的垂直功率晶体管的平面技术中，沟道沿着半导体晶片的表面形成，且漂移区包括位于本体之间的半导体区，所述本体围绕mosfet或igbt的源极区。虽然垂直晶体管并不在结型场效应晶体管(junction field transistor，jfet)模式下工作，但是位于本体区之间的所述半导体区通常称为jfet区。在n沟道vmosfet或vigbt中，本体区为p型(通常称为p阱)，且jfet区为n型。
2、在一些此类晶体管中，比如碳化硅(sic)vmosfet，jfet区的中央是栅极电介质的长期可靠性的薄弱点。因此，此类vmosfet的设计应在jfet区与栅极电介质之间的接面(interface)附近提供足够的电场屏蔽。
<...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽穿过所述半导体层的深度大于其中一个所述掺杂体的底部与所述半导体层之间的冶金结的深度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽穿过所述半导体层的整个厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述沟槽用于为所述栅极电介质提供对重离子轰击造成的电介质击穿的抗扰性。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：<...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽穿过所述半导体层的深度大于其中一个所述掺杂体的底部与所述半导体层之间的冶金结的深度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽穿过所述半导体层的整个厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述沟槽用于为所述栅极电介质提供对重离子轰击造成的电介质击穿的抗扰性。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
8.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：
9.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述衬垫氧化物的组成不同于所述沟槽电介质的组成。
11.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体衬底包括碳化硅，并且所述半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·G·斯德鲁拉，A·金德伦汉森，
申请(专利权)人：模拟电力转换有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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