半导体器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件，包括衬底及由下至上依次堆叠于所述衬底上的第一功能层和第二功能层，所述第一功能层的边缘位于所述第二功能层的边缘内，所述第二功能层中具有至少一个可视区，所述第一功能层的至少部分边缘位于所述可视区内，通过所述可视区可以直接看到所述第一功能层的边缘，从而能够准确地测量所述第一功能层被横向钻刻的尺寸。相应的，本发明专利技术还提供了一种半导体器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、在制备诸如mems麦克风或滤波器等半导体器件时，某些膜层需要进行横向钻刻（undercut），刻蚀完成后，需要利用光学测量方法精确测量undercut的尺寸（被undercut的膜层的边缘与其上层膜的相应边缘之间的距离），从而监控半导体制程的稳定性，保证膜层能够满足功能需求。

2、然而，进行横向钻刻的膜层的上层膜通常都是需要保留的功能层，不能被去除，且上层膜通常都是不透光或者透光率低的，从而影响undercut的尺寸的精确测量，导致测量结果不准确。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，以解决现有的半导体器件在制备过程中无法精确测量横向钻刻的尺寸的问题。

2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件，包括：

3、衬底；

4、第一功能层和第二功能层，由下至上依次堆叠于所述衬底上，所述第一功能层的边缘位于所述第二功能层的边缘内；以及，

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【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述可视区为露出所述第一功能层的边缘的镂空区域。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述可视区内填充有透明材料。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述透明材料的透光率大于80%；和/或，所述第二功能层的材料的透光率小于50%。

5.如权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述透明材料为氧化硅、氮化硅或ITO。

6.如权利要求1~4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述可视区包括多个子区域，所述子区域沿平行于所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述可视区为露出所述第一功能层的边缘的镂空区域。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述可视区内填充有透明材料。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述透明材料的透光率大于80%；和/或，所述第二功能层的材料的透光率小于50%。

5.如权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述透明材料为氧化硅、氮化硅或ito。

6.如权利要求1~4中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述可视区包括多个子区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐希锐，
申请(专利权)人：芯联越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：