【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，具体涉及一种过压保护电路与电子产品。
技术介绍
1、在电子设备的设计和应用中，过压保护是一个关键的考虑因素。过压是指电源电压超出设备所能承受的最大电压限制，这种情况可能由于多种原因造成，如电源波动、错误的电源适配器使用、电网故障，甚至是雷击等自然因素。如果没有适当的保护措施，过压可能导致电子设备的关键组件损坏，影响设备性能，甚至导致设备完全损坏。
2、传统的过压保护方案，如简单的熔断器或稳压器，虽然在一定程度上能够提供保护，但它们通常存在响应速度慢、不能精确控制保护电压水平等缺点。这些传统方案在现代高精度、高可靠性要求的电子设备中显得不够有效。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本专利技术提供了一种既经济又有效的过压保护电路与电子产品。
2、本专利技术的其中一实施例提供一种过压保护电路，包括电压检测模块，连接电源，电压检测模块包括稳压源tl431，电阻r11，电阻r12、电阻r13、晶体管q1和mos管m3，所述稳压源tl431的第一引脚分别连接电阻r12的一端和电阻r13的一端，所述电阻r13的另一端连接晶体管q1的基极，晶体管q1的发射极通过电阻r11连接mos管m3的栅极，mos管m3的漏极连接输出电压；输入电压采样模块，并联于所述电压检测模块两端，包括串联的分压电阻r10和r17，所述稳压源tl431的参考端连接到分压电阻r10与r17之间；当输入电源的电压高于所述稳压源tl431的参考电压时，晶体管q1导通，导致mos管m
3、可选地，所述过压保护电路还包括反接保护电路，所述反接保护电路一端连接电源，另一端连接电阻r10，当输入电源极性正确时反接保护电路导通，当输入电源反接时，反接保护电路不导通。
4、可选地，所述反接保护电路包括mos管m4，电阻r9和电阻r15，所述mos管m4的栅极通过电阻r15接地，mos管m4的漏极连接电源，mos管m4的源极连接电阻r9的一端，电阻r9的另一端连接mos管m4的栅极。
5、可选地，所述反接保护电路还包括去耦电容c3，所述去耦电容c3的一端连接mos管m4的源极，另一端连接mos管m4的栅极。
6、可选地，所述的过压保护电路还包括电阻r14，所述电阻r14的一端连接稳压源tl431的参考端，另一端连接mos管m3的栅极。
7、可选地，所述过压保护电路还包括电阻r16，所述电阻r16的一端分别连接电阻r14的另一端和mos管m3的栅极，电阻r16的另一端接地。
8、可选地，所述过压保护电路还包括电阻r18，所述电阻r18的一端连接mos管m3的漏极，电阻r18的另一端接地。
9、可选地，所述过压保护电路还包括电容c4，所述电容c4的一端连接mos管m3的漏极，电容c4的另一端接地。
10、可选地，所述过压保护电路还包括电容c2，所述电容c2的一端连接mos管m3的源极，另一端连接mos管m3的栅极。
11、本专利技术的另一实施例还提供一种电子产品，包括上述任一项所述的过压保护电路。
12、本专利技术实施例提供的技术方案中，包括电压检测模块和输入电压采样模块，电压检测模块连接电源，包括稳压源tl431，电阻r11，电阻r12、电阻r13、晶体管q1和mos管m3，输入电压采样模块并联于所述电压检测模块两端，包括串联的分压电阻r10和r17，稳压源tl431的参考端连接到分压电阻r10与r17之间，当输入电源的电压高于稳压源tl431的参考电压时，晶体管q1导通，导致mos管m3断开，切断电路的电压输出，相比于现有技术，本专利技术通过检测输入电压与稳压源tl431的参考电压的大小，来控制晶体管q1的通断，进而控制mos管m3的通断，实现对负载的过压保护，同时，利用晶体管q1实现对稳压源tl43的分压，可以实现精确的电压参考和稳定，确保电压在特定的安全范围内，还简化了电路结构，降低了电路成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括反接保护电路，所述反接保护电路一端连接电源，另一端连接电阻R10，当输入电源极性正确时反接保护电路导通，当输入电源反接时，反接保护电路不导通。
3.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述反接保护电路包括MOS管M4，电阻R9和电阻R15，所述MOS管M4的栅极通过电阻R15接地，MOS管M4的漏极连接电源，MOS管M4的源极连接电阻R9的一端，电阻R9的另一端连接MOS管M4的栅极。
4.根据权利要求3所述的过压保护电路，其特征在于，所述反接保护电路还包括去耦电容C3，所述去耦电容C3的一端连接MOS管M4的源极，另一端连接MOS管M4的栅极。
5.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述的过压保护电路还包括电阻R14，所述电阻R14的一端连接稳压源TL431的参考端，另一端连接MOS管M3的栅极。
6.根据权利要求5所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括电阻R16，所述
7.根据权利要求5所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括电阻R18，所述电阻R18的一端连接MOS管M3的漏极，电阻R18的另一端接地。
8.根据权利要求7所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括电容C4，所述电容C4的一端连接MOS管M3的漏极，电容C4的另一端接地。
9.根据权利要求7所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括电容C2，所述电容C2的一端连接MOS管M3的源极，另一端连接MOS管M3的栅极。
10.一种电子产品，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的过压保护电路。
...【技术特征摘要】
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括反接保护电路，所述反接保护电路一端连接电源，另一端连接电阻r10，当输入电源极性正确时反接保护电路导通，当输入电源反接时，反接保护电路不导通。
3.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述反接保护电路包括mos管m4，电阻r9和电阻r15，所述mos管m4的栅极通过电阻r15接地，mos管m4的漏极连接电源，mos管m4的源极连接电阻r9的一端，电阻r9的另一端连接mos管m4的栅极。
4.根据权利要求3所述的过压保护电路，其特征在于，所述反接保护电路还包括去耦电容c3，所述去耦电容c3的一端连接mos管m4的源极，另一端连接mos管m4的栅极。
5.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述的过压保护电路还包括电阻r14，所述电阻r14的一端连...
【专利技术属性】
技术研发人员：瞿翔楠，缪建国，张蔚，
申请(专利权)人：深圳矽递科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。