System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种增加4G模块通信距离的电路及实现方法技术_技高网

一种增加4G模块通信距离的电路及实现方法技术

技术编号:41198730 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-07 22:26
一种增加4G模块通信距离的电路及实现方法,属于专网通信技术领域,开关电路Ⅰ的RFC端连接射频插座XS3,开关电路Ⅰ的RF1端连接低噪声放大电路Ⅰ的输出,开关电路Ⅰ的RF2端连接功率放大电路的输入;开关电路Ⅱ的ANT端连接射频插座XS5,开关电路Ⅱ的TX端连接功率放大电路的输出,开关电路Ⅱ的RX端连接低噪声放大电路Ⅰ的输入;低噪声放大电路Ⅱ的输入端连接插座XS6,低噪声放大电路Ⅱ的输出端连接插座XS4,低噪声放大电路Ⅱ的控制端分别连接开关电路Ⅰ的控制端和低噪声放大电路Ⅰ的控制端;提高了设备的输出功率,放宽了传输线缆的损耗限制,延长基站之间的间距,降低基站布置密度,从而降低LTE通信系统成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于专网通信,具体涉及一种增加4g模块通信距离的电路及实现方法。


技术介绍

1、现在的城市轨道交通大部分利用lte系统完成车地之间的无线通信,这个lte系统中的主要通信设备如机车数据接入单元、机车台、固定台等都用到了4g模块--实现无线收发的高度集成的电路单元,由于4g模块的发射功率一般较小(23dbm左右),这些设备都是把天线直接接到4g模块的收发端口和接收端口,这样4g模块的发射功率经过空间传输损耗和传输线缆的损耗,到达基站的接收机成为了较小的信号,为了保证可靠通信,此信号必须大于到达基站的接收机的灵敏度,并且要有一定的裕量,由于空间传输损耗是固定的,只能靠减少传输线缆损耗,这就制约了基站之间的距离,一般要求基站间距在1000-1200米,这样的基站布置密度,使得通信系统成本较高。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是克服现有技术的不足而提供一种增加4g模块通信距离的电路及实现方法,采用本专利技术的电路后由于提高了设备的输出功率,放宽了传输线缆的损耗限制,这样可以延长基站之间的间距,降低基站布置密度,从而降低lte通信系统成本。

2、本专利技术采用的技术方案是:一种增加4g模块通信距离的电路,包括开关电路ⅰ、开关电路ⅱ、功率放大电路、低噪声放大电路ⅰ、低噪声放大电路ⅱ;所述开关电路ⅰ的rfc端连接射频插座xs3,开关电路ⅰ的rf1端连接低噪声放大电路ⅰ的输出,开关电路ⅰ的rf2端连接功率放大电路的输入;所述开关电路ⅱ的ant端连接射频插座xs5,开关电路ⅱ的tx端连接功率放大电路的输出,开关电路ⅱ的rx端连接低噪声放大电路ⅰ的输入;所述低噪声放大电路ⅱ的输入端连接插座xs6,所述低噪声放大电路ⅱ的输出端连接插座xs4,低噪声放大电路ⅱ的控制端分别连接开关电路ⅰ的控制端和低噪声放大电路ⅰ的控制端;开关电路ⅰ用于切换r/t端到功率放大电路输入端或低噪声放大电路ⅰ输出端的路径;开关电路ⅱ用于切换主天线端到功率放大电路输出端或低噪声放大电路ⅰ输入端的路径;功率放大电路用于放大r/t端过来的4g模块的发射信号;低噪声放大电路ⅰ用于放大主天线端口的接收信号;低噪声放大电路ⅱ用于放大辅天线端口的接收信号。

3、一种增加4g模块通信距离的实现方法,步骤如下:本专利技术电路的插座xs3接4g模块的射频收发端口,插座xs4接4g模块的射频接收端口,4g模块工作时输出发射状态电平与接收状态电平,发射时发射状态电平为高,接收时接收状态电平为高,发射状态电平作为本电路的发控制,接收状态电平作为本电路的收控制,4g模块在发射信号传输到插座xs3,加到开关电路ⅰ的高隔离度spdt开关n1的rfc端,高隔离度spdt开关n1的控制端为2脚,连接到收控制,在发射状态下,收控制为低电平,高隔离度spdt开关n1的3脚与12脚接通,4g模块的发射信号即通过高隔离度spdt开关n1加到了功率ldmos晶体管vt1的栅极,发控制信号为高电平,通过电感l1加到功率ldmos晶体管vt1的栅极,功率放大器处于放大状态,输入到栅极的模块发射信号被放大,增益约为13db,功率ldmos晶体管vt1的输出加到开关电路ⅱ的大功率spdt开关n2的14脚tx端,大功率spdt开关n2受发控制信号控制,2脚ant端与14脚接通,经放大的信号就加到了主天线射频插座xs5上,实现了4g模块发射功率的放大,从而增加场强覆盖距离;在接收状态下,射频插座xs5收到的信号加到开关电路ⅱ的大功率spdt开关n2的2脚,此时控制大功率spdt开关n2的发控制信号为低电平,2脚与7脚接通,信号加到低噪声放大电路ⅰ的输入端,低噪声放大电路ⅰ在收控制电平的控制下处于放大状态,放大后的信号加到开关电路ⅰ里的高隔离度spdt开关n1的9脚,加在高隔离度spdt开关n1控制脚上的收控制为高电平,9脚与3脚接通,经低噪声放大电路ⅰ放大后的信号通过开关电路ⅰ加到了插座xs3;在接收状态下,插座xs6收到的信号加到低噪声放大电路ⅱ的输入端,低噪声放大电路ⅱ在收控制电平的控制下处于放大状态,放大后的信号加到插座xs4,实现对设备接收信号的放大,提升了设备接收微弱信号的能力,进而增加通信距离。

4、本专利技术产生的有益效果是:功率放大电路使得整机的发射功率达到33dbm,比原来提高10db,低噪声放大器使得4g模块接收的信号放大10db,通信距离比以前有大幅度提高,可以降低基站布置密度,节约lte通信系统建网成本。

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【技术保护点】

1.一种增加4G模块通信距离的电路,其特征在于:包括开关电路Ⅰ、开关电路Ⅱ、功率放大电路、低噪声放大电路Ⅰ、低噪声放大电路Ⅱ;

2.根据权利要求1所述的增加4G模块通信距离的电路,其特征在于:电路的具体连接关系如下:开关电路Ⅰ的高隔离度SPDT开关N1的1脚接插座XS1的2脚,为+5V电源,2脚通过电阻R9接插座XS2的3脚,3脚通过电容C14接射频插座XS3,9脚接电容C16一端,12脚接电容C8的一端,9脚、10脚、11脚和17脚接地;低噪声放大电路Ⅰ的超低噪声放大器N3的1脚接电感L5和电阻R6一端,电感L5另一端接超低噪声放大器N3的2脚和电容C10的一端,电阻R6的另一端接电感L6、电容C12的一端和三极管VT5的集电极,电感L6另一端接超低噪声放大器N3的7脚和开关电路Ⅰ的电容C16另一端,三极管VT5的发射极接+5V电源,三极管VT5的基极通过电阻R7接三极管VT4的集电极,三极管VT4的基极接电阻R10的一端,超低噪声放大器N3的9脚、三极管VT4的发射极和电容C12的另一端接地;低噪声放大电路Ⅱ超低噪声放大器N4的1脚接电感L8和电阻R12的一端,电感L8的另一端接超低噪声放大器N4的2脚和电容C17的一端,电容C17的另一端接插座XS6,电阻R12的另一端接电感L9、电容C18的一端和三极管VT7的集电极,电感L9另一端接超低噪声放大器N4的7脚和电容C16的一端,电容C16的另一端接插座XS4,三极管VT7的发射极接+5V电源,三极管VT7的基极接通过电阻R11接三极管VT6的集电极,三极管VT6的基极通过电阻R13接低噪声放大电路Ⅰ电阻R10的另一端,都接到插座XS2的3脚;功率放大电路的功率LDMOS晶体管VT1的栅极连接电容C5和电感L1一端,电容C5的另一端连接开关电路Ⅰ的电容C8的另一端,电感L1另一端连接插座XS2的2脚,功率LDMOS晶体管VT1的漏极连接电感L2和电容C4的一端,电感L2另一端连接电容C3、电容C1和电容C2的一端连接插座XS1的1脚,为+24V电源,电容C3、电容C1和电容C2的另一端及功率LDMOS晶体管VT1的源极接地;开关电路Ⅱ的大功率SPDT开关N2的7脚接电感L3和电容C9的一端,电感L3另一端接三极管VT3的集电极、电阻R1和电阻R3的一端,电阻R1的另一端接+24V电源,三极管VT3的基极通过电阻R4接插座XS2的2脚,电阻R3的另一端接三极管VT2的基极,三极管VT2的集电极接电阻R2、电阻R5和电感L4的一端,电阻R2另一端接+24V电源,电阻R5的另一端接大功率SPDT开关N2的9脚,电感L4的另一端接大功率SPDT开关N2的14脚和功率放大电路电容C4的另一端,大功率SPDT开关N2的2脚接电感L7和电容C15的一端,电容C15的另一端接射频插座XS5,电感L7的另一端接电阻R8和电容C11的一端,电阻R8的另一端接电容C13的一端及+5V电源,大功率SPDT开关N2的1脚、3脚、6脚、8脚、13脚、15脚、17脚、三极管VT2发射极、三极管VT3发射极、电容C13和电容C11的另一端接地;高隔离度SPDT开关N1的型号为HMC849A;大功率SPDT开关N2的型号为SKY12208;超低噪声放大器N3的型号为MGA634P8;超低噪声放大器N4型号为MGA634P8;功率LDMOS晶体管VT1的型号为BLF6G20LS-110;三极管VT2、三极管VT3、三极管VT4和三极管VT6的型号均为BC846B;三极管VT5和三极管VT7的型号均为DTB123YK。

3.一种采用权利要求2所述的增加4G模块通信距离的电路实现方法,其特征在于:步骤如下:本专利技术电路的插座XS3接4G模块的射频收发端口,插座XS4接4G模块的射频接收端口,4G模块工作时输出发射状态电平与接收状态电平,发射时发射状态电平为高,接收时接收状态电平为高,发射状态电平作为本电路的发控制,接收状态电平作为本电路的收控制,4G模块在发射信号传输到插座XS3,加到开关电路Ⅰ的高隔离度SPDT开关N1的RFC端,高隔离度SPDT开关N1的控制端为2脚,连接到收控制,在发射状态下,收控制为低电平,高隔离度SPDT开关N1的3脚与12脚接通,4G模块的发射信号即通过高隔离度SPDT开关N1加到了功率LDMOS晶体管VT1的栅极,发控制信号为高电平,通过电感L1加到功率LDMOS晶体管VT1的栅极,功率放大器处于放大状态,输入到栅极的模块发射信号被放大,增益约为13dB,功率LDMOS晶体管VT1的输出加到开关电路Ⅱ的大功率SPDT开关N2的14脚TX端,大功率SPDT开关N2受发控制信号控制,2脚ANT端与14脚接通,经放大的信号就加到了主天线射频插座XS5上,实现了...

【技术特征摘要】

1.一种增加4g模块通信距离的电路,其特征在于:包括开关电路ⅰ、开关电路ⅱ、功率放大电路、低噪声放大电路ⅰ、低噪声放大电路ⅱ;

2.根据权利要求1所述的增加4g模块通信距离的电路,其特征在于:电路的具体连接关系如下:开关电路ⅰ的高隔离度spdt开关n1的1脚接插座xs1的2脚,为+5v电源,2脚通过电阻r9接插座xs2的3脚,3脚通过电容c14接射频插座xs3,9脚接电容c16一端,12脚接电容c8的一端,9脚、10脚、11脚和17脚接地;低噪声放大电路ⅰ的超低噪声放大器n3的1脚接电感l5和电阻r6一端,电感l5另一端接超低噪声放大器n3的2脚和电容c10的一端,电阻r6的另一端接电感l6、电容c12的一端和三极管vt5的集电极,电感l6另一端接超低噪声放大器n3的7脚和开关电路ⅰ的电容c16另一端,三极管vt5的发射极接+5v电源,三极管vt5的基极通过电阻r7接三极管vt4的集电极,三极管vt4的基极接电阻r10的一端,超低噪声放大器n3的9脚、三极管vt4的发射极和电容c12的另一端接地;低噪声放大电路ⅱ超低噪声放大器n4的1脚接电感l8和电阻r12的一端,电感l8的另一端接超低噪声放大器n4的2脚和电容c17的一端,电容c17的另一端接插座xs6,电阻r12的另一端接电感l9、电容c18的一端和三极管vt7的集电极,电感l9另一端接超低噪声放大器n4的7脚和电容c16的一端,电容c16的另一端接插座xs4,三极管vt7的发射极接+5v电源,三极管vt7的基极接通过电阻r11接三极管vt6的集电极,三极管vt6的基极通过电阻r13接低噪声放大电路ⅰ电阻r10的另一端,都接到插座xs2的3脚;功率放大电路的功率ldmos晶体管vt1的栅极连接电容c5和电感l1一端,电容c5的另一端连接开关电路ⅰ的电容c8的另一端,电感l1另一端连接插座xs2的2脚,功率ldmos晶体管vt1的漏极连接电感l2和电容c4的一端,电感l2另一端连接电容c3、电容c1和电容c2的一端连接插座xs1的1脚,为+24v电源,电容c3、电容c1和电容c2的另一端及功率ldmos晶体管vt1的源极接地;开关电路ⅱ的大功率spdt开关n2的7脚接电感l3和电容c9的一端,电感l3另一端接三极管vt3的集电极、电阻r1和电阻r3的一端,电阻r1的另一端接+24v电源,三极管vt3的基极通过电阻r4接插座xs2的2脚,电阻r3的另一端接三极管vt2的基极,三极管vt2的集电极接电阻r2、电阻r5和电感l4的一端,电阻r2另一端接+24v电源,电阻r5的另一端接大功率spdt开关n2的9脚,电感l4的另一端接大功率spdt开关n2的14脚和功率放大电路电容c4的另一端,大功率spdt开关n2的2脚接电感l7和电容c15的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵云龙庞艳霞赵超高海健姚金龙李东建
申请(专利权)人:天津七一二移动通信有限公司
类型:发明
国别省市:

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