System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光模块,具体涉及一种800g dr8光模块。
技术介绍
1、800g dr8光模块包含:pcb板、八个光发射组件、两个四通道阵列探测器芯片以及两个四通道光纤阵列,pcb板上沿pcb板宽度方向按预定间距并排布置八个光发射组件,通常按照1mm的最小间距摆放;
2、两个四通道光纤阵列分别与两个四通道阵列探测器芯片耦合,四通道阵列探测器芯片相邻通道间距可以为250um、500um和700um,250um间距的四通道阵列探测器芯片光电串扰比较大,750um间距的四通道阵列探测器芯片尺寸偏大,所以通常采用500um间距的四通道阵列探测器芯片;
3、由于pcb板布局空间有限,即使8个光发射组件按照1mm的最小间距摆放,此时,依旧不能并排放下两个四通道阵列探测器芯片,如图1所示的摆放方式存在干涉,所以目前常规摆放方式如图2所示,即,将两个四通道阵列探测器芯片前后摆放,以此达到摆放下的目的,但该摆放方式存在3个问题,分别如下:
4、1)后移的四通道阵列探测器芯片在pcb板上的rf线(射频走线)变长,导致高频电性能变差;
5、2)后移的四通道阵列探测器芯片所耦合的四通道光纤阵列的光纤长度变短,导致光纤弯曲的应力更大、难以封装;
6、3)发射的八通道光纤阵列和两个接收四通道光纤阵列是相连在一起的,具体是相连在两个mt光口上,因为有两个四通道光纤阵列需要耦合到对应的两个四通道阵列探测器芯片,实际耦合操作时是先耦合一个四通道光纤阵列,然后再耦合另外一个四通道光纤阵列,而在耦合第二个
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种800g dr8光模块,以克服上述现有技术中的不足。
2、本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种800g dr8光模块,包括:pcb板,pcb板上沿其宽度方向按预定间距并排布置八个光发射组件,pcb板上在最边上的一个光发射组件的外侧布置一个八通道光纤阵列,pcb板上在八通道光纤阵列的出光侧以前、后分布且错位的形式固定两个四通道阵列探测器芯片,两个四通道阵列探测器芯片错位距离为四通道阵列探测器芯片中相邻通道中心间距的1/2;八通道光纤阵列以长、短相间的形式延伸出八根裸光纤,每根裸光纤的端部具有斜向上倾斜的反射面;八根裸光纤中的四根长裸光纤与靠前的四通道阵列探测器芯片耦合,四根短裸光纤与靠后的四通道阵列探测器芯片耦合。
3、本专利技术的有益效果是:
4、采用一个八通道光纤阵列替换两个四通道光纤阵列,并将两个四通道阵列探测器芯片以前、后分布且错位的形式布置,相比现有技术而言,整体宽度尺寸明显缩小,然后八通道光纤阵列以长、短相间的形式延伸出八根裸光纤,其中4根长裸光纤与靠前的四通道阵列探测器芯片耦合,而4根短裸光纤则与靠后的四通道阵列探测器芯片耦合;
5、该方式使得原有pcb板的空间也满足让2个四通道阵列探测器芯片和8个光发射组件并排布置,且让2个四通道阵列探测器芯片在pcb板上的rf线均比较短,从而不影响高频电性能,此外,八通道光纤阵列的光纤也都比较长,满足封装要求,由于将两个四通道光纤阵列替换为一个八通道光纤阵列,所以只用耦合1次,简化了工序,降低了工艺难度,同时由于只用耦合1次,所以相比现有技术而言可以避免碰坏四通道阵列探测器芯片。
6、在上述技术方案的基础上,本专利技术还可以做如下改进。
7、进一步,四通道阵列探测器芯片中相邻通道中心间距为0.5mm,两个四通道阵列探测器芯片错位距离为0.25mm,八通道光纤阵列所延伸出的八根裸光纤中相邻两根裸光纤的中心间距为0.25mm。
8、采用上述进一步的有益效果为:依旧可以采用现有500um间距的四通道阵列探测器芯片,以不影响性能,且2个四通道阵列探测器芯片所构成的整体结构在宽度方向的尺寸相比现有技术而言大约缩小了2mm空间。
9、进一步,八根裸光纤中长、短裸光纤的长度差值为0.5mm,两个四通道阵列探测器芯片的光敏面中心距离为0.5mm。
10、进一步,裸光纤的反射面倾斜角度为40°~45°。
11、进一步,裸光纤的反射面倾斜角度为42°。
12、进一步,pcb板上在每个四通道阵列探测器芯片的外侧各固定一个tia芯片。
13、进一步,八通道光纤阵列中底板面积小于盖板的底面积,盖板底面上开设八道用以固定光纤的倒v槽,底板的高度高于tia芯片的高度,盖板靠近裸光纤的一端悬空,两个tia芯片中靠近盖板的tia芯片处在盖板的下方。
14、进一步,八通道光纤阵列的宽度为3mm。
15、更进一步,pcb板上在八通道光纤阵列的内侧沿pcb板宽度方向按1mm间距并排布置八个光发射组件。
16、更进一步,pcb板的宽度小于等于14mm。
17、采用上述进三步的有益效果为:相比现有技术而言,可以缩小pcb板的宽度,从而满足更多种模块封装形式,比如,qsfp-dd,osfp等,而现有技术并不能满足该种模块的封装形式。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种800G DR8光模块,包括:PCB板(1),所述PCB板(1)上沿其宽度方向按预定间距并排布置八个光发射组件(4),其特征在于,所述PCB板(1)上在最边上的一个光发射组件(4)的外侧布置一个八通道光纤阵列(2),所述PCB板(1)上在八通道光纤阵列(2)的出光侧以前、后分布且错位的形式固定两个四通道阵列探测器芯片(3),两个四通道阵列探测器芯片(3)错位距离为所述四通道阵列探测器芯片(3)中相邻通道中心间距的1/2;所述八通道光纤阵列(2)以长、短相间的形式延伸出八根裸光纤(210),每根裸光纤(210)的端部具有斜向上倾斜的反射面;八根裸光纤(210)中的四根长裸光纤(210)与靠前的四通道阵列探测器芯片(3)耦合,四根短裸光纤(210)与靠后的四通道阵列探测器芯片(3)耦合。
2.根据权利要求1所述一种800G DR8光模块,其特征在于,所述四通道阵列探测器芯片(3)中相邻通道中心间距为0.5mm,两个四通道阵列探测器芯片(3)错位距离为0.25mm,八通道光纤阵列(2)所延伸出的八根裸光纤(210)中相邻两根裸光纤(210)的中心间距为0.25mm。
3.根据权利要求1或2所述一种800G DR8光模块,其特征在于,八根裸光纤(210)中长、短裸光纤(210)的长度差值为0.5mm,两个四通道阵列探测器芯片(3)的光敏面中心距离为0.5mm。
4.根据权利要求1所述一种800G DR8光模块,其特征在于,所述裸光纤(210)的反射面倾斜角度为40°~45°。
5.根据权利要求4所述一种800G DR8光模块,其特征在于,所述裸光纤(210)的反射面倾斜角度为42°。
6.根据权利要求1所述一种800G DR8光模块,其特征在于,所述PCB板(1)上在每个四通道阵列探测器芯片(3)的外侧各固定一个TIA芯片(5)。
7.根据权利要求6所述一种800G DR8光模块,其特征在于,所述八通道光纤阵列(2)中底板(220)面积小于盖板(230)的底面积,所述盖板(230)底面上开设八道用以固定光纤的倒V槽(231),所述底板(220)的高度高于TIA芯片(5)的高度,所述盖板(230)靠近裸光纤(210)的一端悬空,两个TIA芯片(5)中靠近盖板(230)的TIA芯片(5)处在盖板(230)的下方。
8.根据权利要求1所述一种800G DR8光模块,其特征在于,所述八通道光纤阵列(2)的宽度为3mm。
9.根据权利要求8所述一种800G DR8光模块,其特征在于,所述PCB板(1)上在八通道光纤阵列(2)的内侧沿PCB板(1)宽度方向按1mm间距并排布置八个光发射组件(4)。
10.根据权利要求9所述一种800G DR8光模块,其特征在于,所述PCB板(1)的宽度小于等于14mm。
...【技术特征摘要】
1.一种800g dr8光模块,包括:pcb板(1),所述pcb板(1)上沿其宽度方向按预定间距并排布置八个光发射组件(4),其特征在于,所述pcb板(1)上在最边上的一个光发射组件(4)的外侧布置一个八通道光纤阵列(2),所述pcb板(1)上在八通道光纤阵列(2)的出光侧以前、后分布且错位的形式固定两个四通道阵列探测器芯片(3),两个四通道阵列探测器芯片(3)错位距离为所述四通道阵列探测器芯片(3)中相邻通道中心间距的1/2;所述八通道光纤阵列(2)以长、短相间的形式延伸出八根裸光纤(210),每根裸光纤(210)的端部具有斜向上倾斜的反射面;八根裸光纤(210)中的四根长裸光纤(210)与靠前的四通道阵列探测器芯片(3)耦合,四根短裸光纤(210)与靠后的四通道阵列探测器芯片(3)耦合。
2.根据权利要求1所述一种800g dr8光模块,其特征在于,所述四通道阵列探测器芯片(3)中相邻通道中心间距为0.5mm,两个四通道阵列探测器芯片(3)错位距离为0.25mm,八通道光纤阵列(2)所延伸出的八根裸光纤(210)中相邻两根裸光纤(210)的中心间距为0.25mm。
3.根据权利要求1或2所述一种800g dr8光模块,其特征在于,八根裸光纤(210)中长、短裸光纤(210)的长度差值为0.5mm,两个四通道阵列探测器芯片(3)的光敏面中心距离为0.5mm。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员:方文银,彭开盛,
申请(专利权)人:武汉钧恒科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。