一种二极管结构制造技术

本发明专利技术公开了一种二极管结构，包括：第一n型半导体层，包括SnO<subgt;2</subgt;或Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;类化合物半导体；第二n型半导体层，与第一n型半导体层半导体相同，设于第一n型半导体层上表面，其上表面包括第一、二区域；第一p型半导体层，设于第一区域，上表面包括第三至五区域；第三n型半导体层，与第一n型半导体层半导体相同，第一、二部分分别设于第三、四区域；第二p型半导体层，设于第五区域；第一电极，设于第一n型半导体层下表面；绝缘层和第二电极，依次设于第二区域，并延伸至第三n型半导体层上表面部分区域；第三电极，设于第二电极上表面，并随第三n型半导体层上表面剩余区域延伸至第二p型半导体层上表面。本发明专利技术的二极管导通压降低，反向漏电流小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种二极管结构。

技术介绍

1、半导体材料经过几十年的发展，从第一代的半导体材料锗和硅，到第二代的半导体材料砷化镓和磷化铟，再到第三代的半导体材料如碳化硅、氮化镓、氮化硼等，以及氧化物半导体材料包括氧化镓、氧化锌、氧化锡等。材料的发展迭代，使得半导体的性能越来越优，半导体的尺寸越来越小。

2、硅是目前最常用的用于半导体器件和功率器件的材料。其原材料储量丰富，晶体生长工艺成熟且高效；然而硅材料的禁带宽度为1.1ev，且击穿场强仅为40v/μm，在一些高电压、高温度的领域，其应用存在较大的局限性。

3、当下如火如荼的第三代半导体材料例如碳化硅、氮化镓，其材料特性相对于硅而言，有较大幅度的提升。例如碳化硅的禁带宽度约为3.3ev，是硅的3倍；击穿场强约为300v/μm，是硅的7倍有余。例如氮化镓的禁带宽度约为3.44ev，是硅的3倍有余；击穿场强约为500v/μm，是硅的10倍有余。这些材料特性的提升，使得碳化硅和氮化镓能够使用于更高压、更高温的应用场景，扩宽半导体材料的应用边界。p>

4、然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二极管结构，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述二极管结构，其特征在于，所述第一区域位于所述第二n型半导体层(3)上表面中央，所述第三区域位于所述第一p型半导体层(4)上表面左边，所述第四区域位于所述第一p型半导体层(4)上表面右边，所述第五区域位于所述第一p型半导体层(4)上表面中央。

3.根据权利要求1所述二极管结构，其特征在于，所述第一区域包括第一左区域和第一右区域，分别位于所述第二n型半导体层(3)上表面左边和右边；所述第三区域位于所述第一左区域中靠近右边的区域，所述第四区域位于所述第一右区域中靠近左边的区域；所述第五区域包括第五左区域和...

【技术特征摘要】

1.一种二极管结构，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述二极管结构，其特征在于，所述第一区域位于所述第二n型半导体层(3)上表面中央，所述第三区域位于所述第一p型半导体层(4)上表面左边，所述第四区域位于所述第一p型半导体层(4)上表面右边，所述第五区域位于所述第一p型半导体层(4)上表面中央。

3.根据权利要求1所述二极管结构，其特征在于，所述第一区域包括第一左区域和第一右区域，分别位于所述第二n型半导体层(3)上表面左边和右边；所述第三区域位于所述第一左区域中靠近右边的区域，所述第四区域位于所述第一右区域中靠近左边的区域；所述第五区域包括第五左区域和第五右区域，所述第五左区域位于所述第一左区域中靠近左边的区域，所述第五右区域位于所述第一右区域中靠近右边的区域。

4.根据权利要求1至3任一项所述二极管结构，其特征在于：所述第二n型半导体层(3)包括sno2类化合物半导体，其电子载流子浓度为：＜...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹向阳，谢弟银，李静，
申请(专利权)人：广州华瑞升阳投资有限公司，
类型：发明
国别省市：