System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法技术_技高网

经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法技术

技术编号:41175888 阅读:4 留言:0更新日期:2024-05-07 22:12
本公开内容提供经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,包含以下步骤:(a)提供高分子聚合物层;(b)使用大气冷等离子体装置等离子体活化丙烯酸,以对高分子聚合物层进行表面改质,获得丙烯酸修饰层;(c)将丙烯酸修饰层浸泡于包含钙离子的第一溶液中,获得含钙修饰层;以及(d)将含钙修饰层浸泡于包含磷酸盐的第二溶液中,获得经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层。经由使用大气冷等离子体装置等离子体活化丙烯酸,简化制造时间、降低高分子聚合物层的损伤、以及提升氢氧基磷灰石修饰效率。

【技术实现步骤摘要】

本公开内容是关于一种改质高分子聚合物层的制造方法,且特别是关于氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法。


技术介绍

1、随着老龄化趋势的加剧,关节损伤、骨损伤患者人数不断增加。因此,对医用植入体材料(通常包含高分子聚合物,例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯所制备而得的人工韧带)的性能要求也随之提高。然而,现行的人工韧带材料通常为疏水性表面,生物兼容性不佳,不利细胞贴附。

2、因此,如何提升人工韧带材料的亲水性以及生物兼容性,是所欲解决的问题。


技术实现思路

1、本公开提供经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,包含以下步骤:(a)提供高分子聚合物层;(b)使用大气冷等离子体装置等离子体活化丙烯酸,以对高分子聚合物层进行表面改质,获得丙烯酸修饰层;(c)将丙烯酸修饰层浸泡于包含钙离子的第一溶液中,获得含钙修饰层;以及(d)将含钙修饰层浸泡于包含磷酸盐的第二溶液中,获得经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层。经由使用大气冷等离子体装置等离子体活化丙烯酸,简化制造时间、降低高分子聚合物层的损伤、以及提升氢氧基磷灰石修饰效率。

2、根据本公开一实施方式,步骤(b)包含将丙烯酸以及氩气导入容置于v字形中空管的第一中空部件中的中空金属电极中,从而产生丙烯酸等离子体自v字形中空管的底部开口对高分子聚合物层进行表面改质。

3、根据本公开一实施方式,步骤(b)更包含使用容置于v字形中空管的第二中空部件中的针状金属电极对高分子聚合物层进行表面改质,其中第一中空部件以及第二中空部件交会形成底部开口。

4、根据本公开一实施方式,步骤(b)包含在25℃至70℃的温度中等离子体活化丙烯酸。

5、根据本公开一实施方式,步骤(b)包含以10-5安培至1安培的电流等离子体活化丙烯酸。

6、根据本公开一实施方式,步骤(b)包含对高分子聚合物层进行表面改质持续0.5秒至20秒。

7、根据本公开一实施方式,步骤(c)中的第一溶液中钙离子的浓度为0.1摩尔浓度至0.5摩尔浓度,以及第二溶液中磷酸盐的浓度为0.05摩尔浓度至0.3摩尔浓度。

8、根据本公开一实施方式,步骤(c)中的第一溶液为四水合硝酸钙溶液,以及步骤(d)中的第二溶液为磷酸氢二铵溶液。

9、根据本公开一实施方式,步骤(c)或步骤(d)中的浸泡时间为0.25小时至1小时。

10、根据本公开一实施方式,更包含重复步骤(c)以及步骤(d),将改质高分子聚合物层交互浸泡于第一溶液以及第二溶液中,持续1次至5次循环。

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【技术保护点】

1.一种经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:

2.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(b)包含将所述丙烯酸以及氩气导入容置于V字形中空管的第一中空部件中的中空金属电极中,从而产生丙烯酸等离子体自所述V字形中空管的底部开口对所述高分子聚合物层进行表面改质。

3.如权利要求2所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,所述步骤(b)更包含使用容置于所述V字形中空管的第二中空部件中的针状金属电极对所述高分子聚合物层进行表面改质,其中所述第一中空部件以及所述第二中空部件交会形成所述底部开口。

4.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(b)包含在25℃至70℃的温度中等离子体活化所述丙烯酸。

5.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(b)包含以10-5安培至1安培的电流等离子体活化所述丙烯酸。

6.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(b)包含对所述高分子聚合物层进行表面改质持续0.5秒至20秒。

7.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(c)中的所述第一溶液中所述钙离子的浓度为0.1摩尔浓度至0.5摩尔浓度,以及所述第二溶液中所述磷酸盐的浓度为0.05摩尔浓度至0.3摩尔浓度。

8.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(c)中的所述第一溶液为四水合硝酸钙溶液,以及步骤(d)中的所述第二溶液为磷酸氢二铵溶液。

9.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(c)或步骤(d)中的浸泡时间为0.25小时至1小时。

10.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,更包含重复步骤(c)以及步骤(d),将所述改质高分子聚合物层交互浸泡于所述第一溶液以及所述第二溶液中,持续1次至5次循环。

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【技术特征摘要】

1.一种经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:

2.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(b)包含将所述丙烯酸以及氩气导入容置于v字形中空管的第一中空部件中的中空金属电极中,从而产生丙烯酸等离子体自所述v字形中空管的底部开口对所述高分子聚合物层进行表面改质。

3.如权利要求2所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,所述步骤(b)更包含使用容置于所述v字形中空管的第二中空部件中的针状金属电极对所述高分子聚合物层进行表面改质,其中所述第一中空部件以及所述第二中空部件交会形成所述底部开口。

4.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(b)包含在25℃至70℃的温度中等离子体活化所述丙烯酸。

5.如权利要求1所述的经由氢氧基磷灰石修饰的改质高分子聚合物层的制造方法,其特征在于,步骤(b)包含以10-5安培至1安培的电流等离子体活化所述丙烯酸。

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【专利技术属性】
技术研发人员:陈韦佑李瑞生许惠如
申请(专利权)人:财团法人纺织产业综合研究所
类型:发明
国别省市:

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