【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体器件的加工,尤其涉及一种光电耦合器引线框架限流结构。
技术介绍
1、传统点胶工艺实施过程包括一、打开点胶管上盖;二、在点胶管内注入硅胶;三、完成注入后盖上胶管上盖;四、通过压力器挤压出点胶针前端的少量硅胶,目的是排出空气,然后使用无尘海绵棒清扫点胶针头多余硅胶;五、设定点胶压力及点胶时间,通过显微镜确认点胶针位置及点胶状态;六、完成首片产品点胶后,全数检查确认正常后开始生产;
2、线性光电耦合器引线框架限流设计,线性光电耦合器封装用引线框架,在点胶工艺实施过程中,为了点胶形状的一致性及固定性,但在点胶过程中,硅胶流淌的位置不受控制,无固定形状,且无法控制硅胶的停止流淌;
3、现有技术存在由于硅胶流淌的位置不受控制,从而导致固定后的硅胶封装无固定形状且无法控制硅胶的停流状态的问题。
技术实现思路
1、本技术提供一种光电耦合器引线框架限流结构,以解决上述
技术介绍
中存在的现有技术存在由于硅胶流淌的位置不受控制,从而导致固定后的硅胶封装无固定形状且无法控制硅胶的停流状态的问题;
2、本技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:一种光电耦合器引线框架限流结构,包括:
3、引线框架,所述引线框架表面分布框架基岛,所述框架基岛表面设置引流限位孔;
4、所述引线框架表面设置第一框架基岛,所述第一框架基岛表面设置第一流向左限位孔和第一流向右限位孔,所述第一框架基岛侧方设置第二框架基岛和第三框架基岛,所述第二框架基岛表面设置
5、第一框架基岛表面液态硅胶,沿第一流向左限位孔流向第二框架基岛,并沿第二流向限位孔流向第三框架基岛;
6、同时;
7、第一框架基岛表面液态硅胶,沿第一流向右限位孔流向第三框架基岛,并沿第三流向限位孔流向第二框架基岛;
8、停流并干涸的液态硅胶形成覆盖第一框架基岛、第二框架基岛、第三框架基岛的整体的有形胶体限流封装。
9、进一步,所述第一流向左限位孔指向第二框架基岛,所述第二流向限位孔指向第三框架基岛。
10、进一步,所述第一流向右限位孔指向第三框架基岛,所述第三流向限位孔指向第二框架基岛。
11、进一步,所述第一流向左限位孔和第一流向右限位孔分别呈对称外斜向长方孔。
12、进一步,所述第二流向限位孔和第三流向限位孔分别呈对称水平长方孔。
13、有益效果:
14、1、本方案采用所述引线框架表面分布框架基岛,所述框架基岛表面设置引流限位孔;所述引线框架表面设置第一框架基岛,所述第一框架基岛表面设置第一流向左限位孔和第一流向右限位孔,所述第一框架基岛侧方设置第二框架基岛和第三框架基岛,所述第二框架基岛表面设置第二流向限位孔,所述第三框架基岛表面设置第三流向限位孔;第一框架基岛表面液态硅胶,沿第一流向左限位孔指向流向第二框架基岛,并沿第二流向限位孔指向流向第三框架基岛;同时;第一框架基岛表面液态硅胶,沿第二流向左限位孔指向流向第三框架基岛,并沿第三流向限位孔指向流向第三框架基岛;停流并干涸的液态硅胶形成覆盖第一框架基岛、第二框架基岛、第三框架基岛的整体的有形胶体限流封装,由于在引线框架的基岛位置增加限流孔,限流孔控制液态硅胶的流向,如本实例中,液态硅胶在第一框架基岛,通过第一流向左限位孔、第二流向限位孔的指引下,流向第三框架基岛,同时,液态硅胶在第一框架基岛,通过第一流向右限位孔、第三流向限位孔的指引下,流向第二框架基岛,在上述两个流向的驱动下,形成对流,且覆盖第一框架基岛、第二框架基岛、第三框架基岛,在用于限制点胶后透明树脂向外流淌,最大限度控制胶体形状,因此,限流孔的功能是点胶工序实施时,使液态硅胶流淌有序可控,硅胶至限流孔时减小及停止流淌,最大限度控制胶体形状。
15、2、本方案采用所述第一流向左限位孔指向第二框架基岛,所述第二流向限位孔指向第三框架基岛,所述第一流向右限位孔指向第三框架基岛,所述第三流向限位孔指向第二框架基岛,由于限位孔的方向决定了液态硅胶的流淌方向,因此,科学的限位孔能够最大限度控制液态硅胶的流淌,并控制好最终封装形状。
16、3、本方案采用述第一流向左限位孔和第一流向右限位孔分别呈对称外斜向长方孔,所述第二流向限位孔和第三流向限位孔分别呈对称水平长方孔,由于条形孔的形状更有利于液态硅胶流淌,并将限流孔的设计位置与硅胶流淌的位置匹配一致,最终决定了液态硅胶流向,且使得最终的硅胶封装对称有形。
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1.一种光电耦合器引线框架限流结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述一种光电耦合器引线框架限流结构,其特征在于:所述第一流向左限位孔指向第二框架基岛,所述第二流向限位孔指向第三框架基岛。
3.根据权利要求1所述一种光电耦合器引线框架限流结构,其特征在于:所述第一流向右限位孔指向第三框架基岛,所述第三流向限位孔指向第二框架基岛。
4.根据权利要求1所述一种光电耦合器引线框架限流结构,其特征在于:所述第一流向左限位孔和第一流向右限位孔分别呈对称外斜向长方孔。
5.根据权利要求1所述一种光电耦合器引线框架限流结构,其特征在于:所述第二流向限位孔和第三流向限位孔分别呈对称水平长方孔。
【技术特征摘要】
1.一种光电耦合器引线框架限流结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述一种光电耦合器引线框架限流结构,其特征在于:所述第一流向左限位孔指向第二框架基岛,所述第二流向限位孔指向第三框架基岛。
3.根据权利要求1所述一种光电耦合器引线框架限流结构,其特征在于:所述第一流向右限位孔指向第三框架...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈志荣,朱卫根,
申请(专利权)人:苏州优达光电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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