System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种中高频段电磁屏蔽胶及其制备方法、使用方法技术_技高网

一种中高频段电磁屏蔽胶及其制备方法、使用方法技术

技术编号:41157353 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-30 18:21
本发明专利技术属于电磁屏蔽胶技术领域,具体涉及一种中高频段电磁屏蔽胶及其制备方法、使用方法,其中,所述中高频段电磁屏蔽胶,由以下组分及组分质量份数组成:8‑18份聚乙烯醇、6‑12份纳米银粉、3‑8份亚微米银粉、12‑20份氧化石墨烯、0.5‑1.2份偶联剂、22‑30份去离子水。本发明专利技术提供了一种中高频段电磁屏蔽胶,不仅具备良好的电磁屏蔽性能,而且成本远低于现有的导电银胶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电磁屏蔽胶,具体涉及一种中高频段电磁屏蔽胶及其制备方法。


技术介绍

1、现代化时代是一个电子信息化的时代,各种电器设备都会不间断的产生各种电磁辐射;尤其是我们身边普遍存在的消费类电子产品:如手机、智能手表、无人机等。这类产品的辐射主要集中在750mhz-30ghz频段,如果不加以控制,很可能会产生互相干扰,从而导致设备工作不良甚至更严重的后果。因此,很多元器件都产生了将这些电磁辐射屏蔽在外,或者将自身产生的电磁辐射屏蔽在内的需求。

2、现有技术中,解决电磁辐射一般采用加设金属屏蔽罩或涂覆电磁屏蔽涂层的方式来实现电磁屏蔽;这两种方式一般存在以下缺陷:

3、1、加设金属屏蔽罩的屏蔽方式:成本高、实施复杂、体积大。

4、2、涂覆电磁屏蔽涂层的屏蔽方式:目前常规的电磁屏蔽涂层通常只能屏蔽750mhz-4ghz的信号,为了屏蔽4ghz以上的信号往往需要采用导电银胶作为电磁屏蔽涂层。由于导电银胶中90%以上的成分为纯银粉,因此一般价格昂贵,很难在普通的消费电子产品中进行推广和应用。即使不计成本使用了导电银胶,但是鉴于银胶涂层工艺往往需要使用180℃以上的温度来进行高温固化,这对很多电子产品而言是不可承受的,因此这也严重的限制了导电银胶的适用范围。

5、综上,研发一种可有效解决电磁屏蔽成本问题、固化问题的技术,对于促进现代化信息的发展,具有划时代的意义。


技术实现思路

1、为了解决所述现有技术的不足,本专利技术提供了一种中高频段电磁屏蔽胶,采用特定形态的纳米银粉和亚微米银粉为基础材料,在聚乙烯醇、偶联剂的协助作用下,在液相中可形成以银为核心的电通路。同时,采用可溶于水相的氧化石墨烯作为填充剂,一方面,由于氧化石墨烯本身是优秀的导体,可以降低体系的电阻,和银构成的电通路构成了复配增效,因此可使体系整体具备良好的电磁屏蔽性能;而且石墨烯本身具有良好的电磁吸收能力,也可进一步提高屏蔽胶的屏蔽能力。另一方面,由于石墨烯的价格远低于银的价格,再加之本体系中银的使用量也远少于现有技术导电银胶中的银,因此本屏蔽胶的成本远低于现有的导电银胶。

2、另外,本专利技术中的中高频段电磁屏蔽胶在水体系中以纳米银粉和亚微米银粉为基础材料,采用氧化石墨烯为填料,所以相对于现有技术中含约90%银粉的导电凝胶而言,在使用过程中往往需要较低的温度、较短的时间即可实现胶层固化。而且聚乙烯醇在本体系内既是分散剂也是溶剂,可为产品提供良好的涂布性能。

3、本专利技术所要达到的技术效果通过以下技术方案来实现:

4、本专利技术中中高频段电磁屏蔽胶,由以下组分及组分质量份数组成:

5、

6、进一步地,所述中高频段电磁屏蔽胶,由以下组分及组分重量份数组成:

7、

8、进一步地,所述聚乙烯醇的聚合度为3000-4500,醇解度为85mol%-90mol%,4%水溶液粘度6.0mpa·s-8.0mpa·s。

9、进一步地,所述纳米银粉为球状结构,直径d50 30nm-50nm,d100 80nm-100nm。

10、进一步地,所述亚微米银粉为片状结构,宽厚比为(8-20):1。

11、进一步地,所述亚微米银粉直径d50 150nm-300nm,d100 600um-900um。

12、进一步地,所述氧化石墨烯的厚度为0.55nm-1.2nm,直径为0.5um-3um。

13、进一步地,所述偶联剂为硅烷类偶联剂,包括kh550、kh560、kh570、kh792、dl602、dl171其中的一种或多种。

14、本专利技术中中高频段电磁屏蔽胶的制备方法,包括以下步骤:

15、s01、加入去离子水,加热至70℃;

16、s02、加入聚乙烯醇,保持温度并搅拌至完全溶解;

17、s03、加入偶联剂,保持温度并搅拌混合均匀;

18、s04、顺序加入纳米银粉和亚微米银粉,保温搅拌至分散均匀;

19、s05、加入氧化石墨烯,保持70℃,搅拌2小时;

20、s06、冷却至室温,密闭保存即得所述中高频段电磁屏蔽胶。

21、本专利技术中中高频段电磁屏蔽胶的使用方法,包括以下步骤:

22、s10、在待屏蔽物表面涂布高触变绝缘胶10um-80um,以80℃-150℃的温度烘烤不超过25min;

23、s20、在形成的高触变绝缘胶层表面涂布所述中高频段电磁屏蔽胶30um-180um,以80℃-150℃的温度烘烤不超过25min;

24、s30、在待屏蔽物料表面涂布稀释的高触变绝缘胶0-30um,以80℃-150℃的温度烘烤不超过25min;

25、在s10和s30步骤中,所述高触变绝缘胶的触变指数>7,100μm涂布厚度下,人工汗液浸泡的绝缘性保持时间>12h;

26、在s30步骤中,所述高触变绝缘胶用c1-c4一元醇中的至少一种稀释2-10倍。

27、综上所述,本专利技术至少具有以下有益之处:

28、1、本专利技术中的中高频段电磁屏蔽胶,采用特定形态的纳米银粉和亚微米银粉为基础材料,在聚乙烯醇、偶联剂的协助作用下,在液相中可形成以银为核心的电通路。同时,采用可溶于水相的氧化石墨烯作为填充剂,一方面,由于氧化石墨烯本身是优秀的导体,可以降低体系的电阻,和银构成的电通路构成了复配增效,因此可使体系整体具备良好的电磁屏蔽性能;而且石墨烯本身具有良好的电磁吸收能力,也可进一步提高屏蔽胶的屏蔽能力。另一方面,由于石墨烯的价格远低于银的价格,再加之本体系中银的使用量也远少于现有技术导电银胶中的银,因此本屏蔽胶的成本远低于现有的导电银胶。

29、2、本专利技术中的中高频段电磁屏蔽胶,在水体系中以纳米银粉和亚微米银粉为基础材料,采用氧化石墨烯为填料,所以相对于现有技术中含约90%银粉的导电凝胶而言,在使用过程中往往需要较低的温度、较短的时间即可实现胶层固化。而且聚乙烯醇在本体系内既是分散剂也是溶剂,可为产品提供良好的涂布性能。

30、3、本专利技术中中高频段电磁屏蔽胶的制备方法,利用简单的控温、搅拌方式即可实现中高频段电磁屏蔽胶的制备,无需复杂的操作,制备方式简单、高效。

31、4、本专利技术中中高频段电磁屏蔽胶的使用方法,与高触变绝缘胶结合,在150℃温度条件下、25min固化时间内,即可实现胶层的固化,固化温度低,固化时间短、效率高。

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【技术保护点】

1.一种中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,由以下组分及组分重量份数组成:

2.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,由以下组分及组分重量份数组成:

3.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,所述聚乙烯醇的聚合度为3000-4500,醇解度为85mol%-90mol%,4%水溶液粘度6.0mPa·S-8.0mPa·S。

4.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,所述纳米银粉为球状结构,直径D50 30nm-50nm,D100 80nm-100nm。

5.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,所述亚微米银粉为片状结构,宽厚比为(8-20):1。

6.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,所述亚微米银粉直径D50150nm-300nm,D100 600um-900um。

7.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,所述氧化石墨烯的厚度为0.55nm-1.2nm,直径为0.5um-3um。

8.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,所述偶联剂为硅烷类偶联剂,包括KH550、KH560、KH570、KH792、DL602、DL171其中的一种或多种。

9.权利要求1-8之一所述一种中高频段电磁屏蔽胶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

10.权利要求1-8之一所述一种中高频段电磁屏蔽胶的使用方法,其特征在于,包括以下步骤:

...

【技术特征摘要】

1.一种中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,由以下组分及组分重量份数组成:

2.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,由以下组分及组分重量份数组成:

3.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,所述聚乙烯醇的聚合度为3000-4500,醇解度为85mol%-90mol%,4%水溶液粘度6.0mpa·s-8.0mpa·s。

4.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,所述纳米银粉为球状结构,直径d50 30nm-50nm,d100 80nm-100nm。

5.根据权利要求1所述的中高频段电磁屏蔽胶,其特征在于,所述亚微米银粉为片状结构,宽厚比为(8-20):1。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈柔伊苏政纬
申请(专利权)人:火星新材料科技深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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