【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及dcdc，更具体的说是涉及一种供电电压选择电路、方法及具有该电路的dcdc芯片。
技术介绍
1、传统的高压dcdc芯片内部通常只产生一路内部供电电压，以对芯片内部电路进行供电，当在低压条件时，由于内部的供电电压也会受到影响而降低，这样会导致dcdc芯片内部的其他模块的性能变差，进而造成芯片的整体工作性能降低。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种供电电压选择电路、方法及具有该电路的dcdc芯片，可在低压时，保证dcdc芯片内部结构的供电电压不受影响，进而实现更高的工作性能。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种供电电压选择电路，包括：第一电压产生模块、第二电压产生模块和高压判断选择模块；
4、所述第一电压产生模块用于在dcdc芯片初始上电后，产生第一供电电压；
5、所述第二电压产生模块用于在dcdc芯片工作后，产生第二供电电压；
6、所述高压判断选择模块用于实时比较第一供电电压和第二供电电压，选择两者中数值较高的一方作为最终的内部供电电压，并为dcdc芯片的内部电路供电。
7、进一步的，所述第一电压产生模块包括：第一电阻、第二电阻、第一齐纳二极管和第一mos管；
8、所述第一mos管的漏极和所述第一电阻的一端均连接dcdc芯片的电压输入管脚vin；所述第一mos管的栅极分别连接所述第一齐纳二极管的阴极和所述第一电阻的另一端；所
9、所述第一齐纳二极管的阳极和所述第二电阻的另一端均接地。
10、进一步的，所述第二电压产生模块包括：普通二极管、第一电容和第二齐纳二极管；
11、所述普通二极管的阳极接入dcdc芯片的自举电压管脚bst，阴极分别连接所述第一电容的一端和所述第二齐纳二极管的阴极；
12、所述第一电容的另一端和所述第二齐纳二极管的阳极均接地；
13、所述第二齐纳二极管的阴极电压作为所述第二供电电压。
14、进一步的，所述第二电压产生模块包括：第二mos管、控制单元、第二电容和第三齐纳二极管；
15、所述控制单元的一端连接所述第二mos管的栅极，另一端分别连接所述第二mos管的源极和所述第一电压产生模块的第一电压输出端；
16、所述第二mos管的源极连接dcdc芯片的自举电压管脚bst；
17、所述第二mos管的漏极分别连接所述第二电容一端和所述第三齐纳二极管的阴极；
18、所述第二电容另一端和所述第三齐纳二极管的阳极均接地；
19、所述第三齐纳二极管的阴极电压作为所述第二供电电压。
20、进一步的，所述控制单元包括：第五mos管、第一反相器、第三电阻和第四电阻；所述第五mos管的栅极连接所述第一电压产生模块的第一电压输出端，漏极连接所述第三电阻的一端，源极分别连接所述第一反相器的输入端和所述第四电阻的一端；所述第三电阻的另一端连接至dcdc芯片的自举电压管脚bst，所述第四电阻的另一端接地；所述第一反相器的输出端连接所述第二mos管的栅极。
21、进一步的，所述高压判断选择模块包括高压选择器、第三mos管和第四mos管；
22、所述高压选择器具有正向输入端、负向输入端、第一输出端和第二输出端；所述高压选择器的正向输入端和所述第三mos管的源极均连接所述第一电压产生模块的输出端；所述高压选择器的负向输入端和所述第四mos管的源极均连接所述第二电压产生模块的输出端；所述高压选择器的第一输出端连接所述第三mos管的栅极；所述高压选择器的第二输出端连接所述第四mos管的栅极；
23、所述第三mos管的漏极与所述第四mos管的漏极彼此连接，且所述第三mos管的漏极电压或所述第四mos管的漏极电压作为最终的内部供电电压。
24、进一步的，所述第三mos管和所述第四mos管同为nmos管或pmos管；当所述第一供电电压高于所述第二供电电压时，所述第三mos管导通，所述第四mos管截止；当所述第一供电电压低于所述第二供电电压时，所述第三mos管截止，所述第四mos管导通。
25、进一步的，所述高压选择器包括：比较器、第二反相器和第三反相器；
26、所述比较器的正向输入端连接所述第一电压产生模块的输出端，所述比较器的负向输入端连接所述第二电压产生模块的输出端，所述比较器的输出端连接所述第二反相器的输入端；
27、所述第二反相器的输出端分别连接所述第三mos管的栅极和所述第三反相器的输入端；
28、所述第三反相器的输出端连接所述第四mos管的栅极。
29、第二方面，本专利技术提供一种内部电压提升方法，包括以下步骤：
30、在dcdc芯片初始上电后，产生第一供电电压；
31、在dcdc芯片工作后，产生第二供电电压；
32、实时比较第一供电电压和第二供电电压，选择两者中数值较高的一方作为最终的内部供电电压，并为dcdc芯片的内部电路供电。
33、第三方面，本专利技术提供一种dcdc芯片，包括上述的供电电压选择电路。
34、进一步的，外围电路中，该dcdc芯片的自举电压管脚bst通过自举电容连接开关管脚sw，开关管脚sw连接lc滤波网络后得到外部输出电压。
35、经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：
36、本专利技术在高压dcdc芯片内部在传统的一路电压产生模块的基础上，又额外引入一路电压产生模块，芯片初始上电后，传统电压产生模块的产生第一供电电压，芯片工作后，额外引入的电压产生模块产生第二供电电压，高压判断选择模块实时比较第一供电电压和第二供电电压的数值大小，并选择较高的一路电压作为最终电压，为芯片内部电路进行供电。这样，在传统供电电压降低的情况下，采用新引入的一路供电电压对芯片的内部电路供电，使内部电路的供电电压不会受到影响，确保芯片整体工作性能。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种供电电压选择电路，其特征在于，包括：第一电压产生模块、第二电压产生模块和高压判断选择模块；
2.根据权利要求1所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述第一电压产生模块包括：第一电阻、第二电阻、第一齐纳二极管和第一MOS管；
3.根据权利要求1所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述第二电压产生模块包括：普通二极管、第一电容和第二齐纳二极管；
4.根据权利要求1所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述第二电压产生模块包括：第二MOS管、控制单元、第二电容和第三齐纳二极管；
5.根据权利要求4所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述控制单元包括：第五MOS管、第一反相器、第三电阻和第四电阻；所述第五MOS管的栅极连接所述第一电压产生模块的第一电压输出端，漏极连接所述第三电阻的一端，源极分别连接所述第一反相器的输入端和所述第四电阻的一端；所述第三电阻的另一端连接至DCDC芯片的自举电压管脚BST，所述第四电阻的另一端接地；所述第一反相器的输出端连接所述第二MOS管的栅极。
6.根据权利要求1-5任一项所
7.根据权利要求6所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述第三MOS管和所述第四MOS管同为NMOS管或PMOS管；当所述第一供电电压高于所述第二供电电压时，所述第三MOS管导通，所述第四MOS管截止；当所述第一供电电压低于所述第二供电电压时，所述第三MOS管截止，所述第四MOS管导通。
8.根据权利要求6所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述高压选择器包括：比较器、第二反相器和第三反相器；
9.一种供电电压选择方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.一种DCDC芯片，其特征在于，该DCDC芯片内部包括如权利要求1-8任一项所述的供电电压选择电路，外围电路中，该DCDC芯片的自举电压管脚BST通过自举电容连接开关管脚SW，开关管脚SW连接LC滤波网络后得到外部输出电压。
...【技术特征摘要】
1.一种供电电压选择电路，其特征在于，包括：第一电压产生模块、第二电压产生模块和高压判断选择模块；
2.根据权利要求1所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述第一电压产生模块包括：第一电阻、第二电阻、第一齐纳二极管和第一mos管；
3.根据权利要求1所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述第二电压产生模块包括：普通二极管、第一电容和第二齐纳二极管；
4.根据权利要求1所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述第二电压产生模块包括：第二mos管、控制单元、第二电容和第三齐纳二极管；
5.根据权利要求4所述的一种供电电压选择电路，其特征在于，所述控制单元包括：第五mos管、第一反相器、第三电阻和第四电阻；所述第五mos管的栅极连接所述第一电压产生模块的第一电压输出端，漏极连接所述第三电阻的一端，源极分别连接所述第一反相器的输入端和所述第四电阻的一端；所述第三电阻的另一端连接至dcdc芯片的自举电压管脚bst，所述第四电阻的另一端接地；所述第一反相器的输...
【专利技术属性】
技术研发人员：张小龙，樊海星，樊宇轩，
申请(专利权)人：上海芯启程微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。