一种晶圆键合自动连通管路制造技术

本技术公开了一种晶圆键合自动连通管路，主要涉及晶圆键合领域。包括密封外管道，所述密封外管道连通离子束刻蚀机与热压炉，使得离子束刻蚀机与热压炉之间连通；所述密封外管道内部设有晶圆移动装置和晶圆辅助定位输送装置；所述晶圆移动装置为传送带，所述晶圆辅助定位输送装置包括升降气缸、晶圆取出气缸和晶圆送入气缸。本技术的有益效果在于：能够实现从离子束刻蚀机到热压炉的过程无需人工手动操作，并且全程处于真空状态，减少对晶圆的损伤。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶圆键合领域，具体是一种晶圆键合自动连通管路。

技术介绍

1、本技术基于专利技术专利离子束刻蚀激活表面直接键合法，该方法已经申请专利技术专利，

2、半导体产业与科技密切相关。目前，碳化硅(sic)和氮化镓(gan)等宽禁带半导体材料(指宽近带＞2.3ev)正逐渐崭露头角，具备高功率、耐高温、耐高压等优越性能。相比传统硅晶圆，这些材料体系具有高击穿电场、高热导率和高电子饱和速率等特性。因此，在5g通信、新能源、航空航天等多个领域得到广泛应用。晶圆键合作为目前主流的关键技术，对半导体产业至关重要。该技术通过一系列物理过程将两个或多个基板或晶圆片相互连接，形成高质量的异质结构。在半导体产业的微纳加工工艺中，键合技术扮演着非常重要的角色。

3、表面处理是影响晶圆键合质量的重要因素，其中表面的凹凸不平和环境中的污染源至关重要。目前，主流的表面处理方法包括等离子体活化清理表面(申请公布号cn115116861a)。该方法利用等离子体清理晶圆表面，并可能形成非晶层以便进行键合。然而，由于等离子体能量较低(>10ev)，只适用于特定本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆键合自动连通管路，其特征在于：包括密封外管道(1)，

2.根据权利要求1所述一种晶圆键合自动连通管路，其特征在于：所述升降气缸(5)活动设置于密封外管道(1)顶部。

3.根据权利要求1所述一种晶圆键合自动连通管路，其特征在于：所述传送带(4)靠近热压炉一侧设有限位卡块(8)。

4.根据权利要求1所述一种晶圆键合自动连通管路，其特征在于：所述晶圆取出气缸(6)和晶圆送入气缸(7)反向设置于升降气缸(5)底部。

5.根据权利要求1所述一种晶圆键合自动连通管路，其特征在于：所述晶圆取出气缸(6)一端设有取出装置(9)。

【技术特征摘要】

1.一种晶圆键合自动连通管路，其特征在于：包括密封外管道(1)，

2.根据权利要求1所述一种晶圆键合自动连通管路，其特征在于：所述升降气缸(5)活动设置于密封外管道(1)顶部。

3.根据权利要求1所述一种晶圆键合自动连通管路，其特征在于：所述传送带(4)靠近热压炉一...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘法辰，黄思瑜，
申请(专利权)人：刘法辰，
类型：新型
国别省市：