【技术实现步骤摘要】
本专利技术主要涉及到计算机系统设计，特指一种基于dram的伊辛架构计算系统的随机电路。
技术介绍
1、随着摩尔定律接近其不可避免的终结，传统冯诺依曼微处理器的性能改进变得越来越具有挑战性。为了进一步提高数据处理性能，有从业者提出了一些特定领域的专用计算体系结构，以满足日益增长的计算需求。在特殊的计算领域，比如组合优化问题，冯诺依曼微处理器的性能很难满足计算需求。近年来，伊辛模型作为解决组合优化问题的一种有前途的方法，引起了人们的新兴趣。基于伊辛模型也诞生了伊辛芯片和伊辛架构计算系统，其中所述是基于伊辛模型的已经设计好版图的芯片；所述伊辛架构计算系统是基于伊辛模型的一个求解组合优化问题的计算系统。
2、现有的伊辛架构计算系统大部分是基于sram的，而sram的存储单元面积较dram较大，因此随机电路不适合直接使用，需要重新设计。
3、但是，dram存储单元由于面积较小，在基于dram构建伊辛架构计算系统时，需要缩小随机电路面积，用以减小随机电路面积的比重。因此目前的随机电路几乎没有完全适用dram的。
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【技术保护点】
1. 一种基于DRAM的伊辛架构计算系统的随机电路，其特征在于，包括控制晶体管R-control、随机脉冲源、传输门及R_ SEL 信号单元；所述随机脉冲源包括行随机脉冲发生器RH和列随机脉冲发生器RC；在所述控制晶体管R-control的控制下，所述R_ SEL 信号单元用来选择当前随机单元的值是由行随机数生成器产生的随机脉冲决定还是由列随机数生成器产生的随机脉冲决定；每个自旋节点在计算过程中分时由若干位列随机脉冲以及若干位行随机脉冲一起构成一个多位的随机数参与自旋的概率翻转计算。
2.根据权利要求1所述的基于DRAM的伊辛架构计算系统的随机电路，其特征...
【技术特征摘要】
1. 一种基于dram的伊辛架构计算系统的随机电路，其特征在于，包括控制晶体管r-control、随机脉冲源、传输门及r_ sel 信号单元；所述随机脉冲源包括行随机脉冲发生器rh和列随机脉冲发生器rc；在所述控制晶体管r-control的控制下，所述r_ sel 信号单元用来选择当前随机单元的值是由行随机数生成器产生的随机脉冲决定还是由列随机数生成器产生的随机脉冲决定；每个自旋节点在计算过程中分时由若干位列随机脉冲以及若干位行随机脉冲一起构成一个多位的随机数参与自旋的概率翻转计算。
2.根据权利要求1所述的基于dram的伊辛架构计算系统的随机电路，其特征在于，所述列随机脉冲构成随机数的高ru位，所述行随机脉冲构成随机数的低rd位。
3. 根据权利要求1或2所述的基于dram的伊辛架构计算系统的随机电路，其特征在于，当所述r_ sel 信号单元中的r_sel为1时，通过传输门选择行随机脉冲发生器rh作为随机脉冲源；反之，选择列随机脉冲发生器rc作为随机脉冲源。
4.根据权利要求1或2所述的基于dr...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪志，邓文雅，郭阳，张见，吴振宇，王耀华，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：
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