【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于磁芯材料，具体是指一种纳米晶磁芯固化剂及其制备方法。
技术介绍
1、纳米晶磁粉芯是一种以非晶软磁复合材料为基础，具有高饱和才感应强度、高磁导率和低磁损等特点的合金软磁复合材料，广泛应用于配电变压器、中高频变压器和功率因数校正器等
中，纳米晶磁芯以铁为基体材料，形成fecunbsib非晶磁芯，经过晶化退火处理后，形成的非晶和纳米晶双相结构；纳米晶磁芯的形成需要进行高温晶化退火处理，温度大约为550℃，经过热处理的纳米晶磁芯脆性增加，对外部应力敏感，容易产生碎屑等缺陷，因此需要进行适当的封装处理；常见的封装工艺中使用环氧树脂为封装材料，环氧树脂的成本较低、固化成型简单、耐腐蚀和耐化学品的性能较好，但是热导率和热稳定性较低；电子元件在中高频的工作中产生热量几种，随着热量的积累，导致电子器件的性能降低，当电子元件的温度每超过额定温度2℃，产品性能下降10%左右，为了提高电子设备的性能稳定性，封装材料需要具有较高的导热性能，同时，为了保证纳米晶磁芯的电磁性能，封装材料还应该具有较低的介电常数和介质损耗；氮化硼材料由n原子和b原子通过共价连接而成，n原子和b原子之间的共价键键能高于c-c键，化学性质比石墨更加稳定，常用语聚合物填充材料，能够在聚合物复合材料中形成到导热通路，提高聚合物复合材料的导热性能，但bn由于化学性质稳定，材料表面的活性较低，在聚合物中的分散性较差，容易发生团聚作用，造成导热通路的连接不畅，造成声子在填料未连接处发生散射，限制复合材料热导率的提高。
技术实现思路p>
1、针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种纳米晶磁芯固化剂及其制备方法，为了解决导热性能低的问题，本专利技术提出通过将氮化硼进行n-乙烯基吡咯烷酮进行改性处理，再与氢化丁腈橡胶进行反应后形成增强型复合物，提高氮化硼在环氧树脂基体中的分散能力，从而提高纳米晶磁芯固化剂的导热性能和电击穿性能。
2、为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案如下：本专利技术提出了一种纳米晶磁芯固化剂，所述固化剂包括如下重量份的组分：环氧树脂70-100份、固化剂60-80份、偶联剂1-3份、消泡剂0.6-1.2份、流平剂1.2-2.5份、增强型复合物20-40份；
3、优选地，所述固化剂为脂肪胺固化剂、聚酰胺固化剂、间苯二胺固化剂；
4、优选地，所述偶联剂包括钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂中的至少一种；
5、优选地，所述消泡剂包括聚醚消泡剂、聚硅氧烷消泡剂中的至少一种；
6、优选地，所述增强型复合物的原料由以下重量份组成：氢化丁腈橡胶10-20份、n-乙烯基吡咯烷酮1-2份、氮化硼10-12份、引发剂0.3-0.6份；
7、优选地，所述增强型复合物的制备方法具体包括以下步骤：
8、s1、将氮化硼和2-甲基咪唑锌盐进行混合，以玛瑙小球进行球磨处理，常温环境中以400-600rpm转速球磨20-24h后，将球磨混合物分散于异丙醇中，以2000-2500rpm进行低速离心15min后，收集上清液，以8000-10000rpm进行高速离心10-15min，去除上清液后，真空干燥，得到h-bn纳米片；
9、s2、将步骤s1所制备的h-bn纳米片置于去离子水中，在500w条件下，进行超声分散处理3-5h，调节ph值至8.0-9.0，加入n-乙烯基吡咯烷酮，置于磁力搅拌器上，以300-400rpm搅拌反应3-4h，得到改性氮化硼；
10、s3、将氢化丁腈橡胶置于甲乙酮中，加入步骤s2所制备的改性氮化硼，在氮气氛围中，常温下以150rpm搅拌0.5-1h，加入引发剂溶液，将温度升高至100-120℃，进行反应5-7h，反应结束后，用无水乙醇进行洗涤，干燥去除溶剂，得到增强型复合物；
11、优选地，在步骤s1中，所述氮化硼和锌基配位化合物之间的质量比为3-5:1；
12、优选地，在步骤s1中，球磨处理中氮化硼和玛瑙小球的质量比为1:90-100；玛瑙小球的平均直径为8mm；
13、优选地，在步骤s1中，所述球磨混合物在异丙醇中的质量分数为0.5-1%；
14、优选地，在步骤s2中，所述h-bn纳米片在去离子水中的质量分数为1.0-1.5%；
15、优选地，在步骤s3中，所述氢化丁腈橡胶在甲乙酮溶剂中的质量分数为5-10%；
16、优选地，在步骤s3中，所述引发剂包括过氧化二苯甲酰、过氧化甲乙酮中的至少一种；
17、优选地，在步骤s3中，所述引发剂溶液为引发剂按照质量分数0.6-1.2%溶解于甲乙酮中。
18、本专利技术还提供一种纳米晶磁芯固化剂的制备方法，具体包括以下步骤：
19、将环氧树脂、偶联剂、消泡剂和流平剂进行搅拌混合，混合物均匀后极性脱气处理，加入增强型复合物，搅拌混合均匀后，加入固化剂，在搅拌机以200-300rpm下搅拌20-30min，得到纳米晶磁芯固化剂。
20、本专利技术取得的有益效果如下：
21、本专利技术提供一种纳米晶磁芯固化剂及其制备方法，通过将氮化硼进行n-乙烯基吡咯烷酮进行改性处理，再与氢化丁腈橡胶进行反应后形成增强型复合物，提高氮化硼在环氧树脂基体中的分散能力，从而提高纳米晶磁芯固化剂的导热性能和电击穿性能；氮化硼具有六元环结构，能够与具有芳香性的化合物通过π-π相互作用进行连接，能够在更大成程度上保留氮化硼固有性质，促进了氮化硼在聚合物基体中的分散性能；n-乙烯基吡咯烷酮通过吡咯杂环的芳香性对氮化硼进行非共价改性后，在氮化硼上引入了c=c，能够与氢化丁腈橡胶在引发剂的促进下发生接枝反应，接枝改性后的氢化丁腈橡胶能够弥补环氧树脂固化后的缺陷，有助于环氧树脂聚合物内部形成均一稳定的界面结构，消除基体内部分缺陷，从而促进初始电子的运动，提高电子跃迁的效率，能够有效提高复合材料的电气强度。
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1.一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述固化剂包括如下重量份的组分：环氧树脂70-100份、固化剂60-80份、偶联剂1-3份、消泡剂0.6-1.2份、流平剂1.2-2.5份、增强型复合物20-40份；
2.根据权利要求1所述的一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述固化剂为脂肪胺固化剂、聚酰胺固化剂、间苯二胺固化剂中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述偶联剂包括钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述消泡剂包括聚醚消泡剂、聚硅氧烷消泡剂中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述引发剂包括过氧化二苯甲酰、过氧化甲乙酮中的至少一种。
6.一种根据权利要求1-5任一项所述的纳米晶磁芯固化剂的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：将环氧树脂、偶联剂、消泡剂和流平剂进行搅拌混合，混合物均匀后极性脱气处理，加入增强型复合物，搅拌混合均匀后，加入固化剂，在搅拌机以200-300rpm下搅拌20
7.根据权利要求6所述的一种纳米晶磁芯固化剂的制备方法，其特征在于：所述增强型复合物的制备方法具体包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的一种纳米晶磁芯固化剂的制备方法，其特征在于：在步骤S1中，所述氮化硼和锌基配位化合物之间的质量比为3-5:1；球磨处理中氮化硼和玛瑙小球的质量比为1:90-100；玛瑙小球的平均直径为8mm；所述球磨混合物在异丙醇中的质量分数为0.5-1%。
9.根据权利要求8所述的一种纳米晶磁芯固化剂的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，所述h-BN纳米片在去离子水中的质量分数为1.0-1.5%。
10.根据权利要求9所述的一种纳米晶磁芯固化剂的制备方法，其特征在于：在步骤S3中，所述氢化丁腈橡胶在甲乙酮溶剂中的质量分数为5-10%；所述引发剂包括过氧化二苯甲酰、过氧化甲乙酮中的至少一种；所述引发剂溶液为引发剂按照质量分数0.6-1.2%溶解于甲乙酮中。
...【技术特征摘要】
1.一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述固化剂包括如下重量份的组分：环氧树脂70-100份、固化剂60-80份、偶联剂1-3份、消泡剂0.6-1.2份、流平剂1.2-2.5份、增强型复合物20-40份；
2.根据权利要求1所述的一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述固化剂为脂肪胺固化剂、聚酰胺固化剂、间苯二胺固化剂中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述偶联剂包括钛酸酯偶联剂、铝酸酯偶联剂中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述消泡剂包括聚醚消泡剂、聚硅氧烷消泡剂中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的一种纳米晶磁芯固化剂，其特征在于：所述引发剂包括过氧化二苯甲酰、过氧化甲乙酮中的至少一种。
6.一种根据权利要求1-5任一项所述的纳米晶磁芯固化剂的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：将环氧树脂、偶联剂、消泡剂和流平剂进行搅拌混合，混合物均匀后极性脱气处理，加入增强型复合物，搅拌混合...
【专利技术属性】
技术研发人员：江沐风，江向荣，
申请(专利权)人：朗峰新材料启东有限公司，
类型：发明
国别省市：
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