【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
1、随着显示技术的不断发展，显示产品的应用领域越来越广泛，显示产品的类型也越来越多。显示产品内部一般采用晶体管结构实现驱动功能，晶体管结构的电极会通过覆盖其的绝缘层上的过孔与其他导电结构实现电连接，在该过孔为贯穿多层绝缘层的深孔时，在进行深孔制作工艺时，可能在深孔的孔壁上形成底切结构，导致形成在深孔内的导电结构出现断裂，从而导致导电结构与晶体管的电极之间出现搭接不良。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种显示基板及其制作方法、显示装置，用于解决深孔内的导电结构容易出现断裂，进而影响显示基板良率的问题。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、本专利技术的第一方面提供一种显示基板，包括：衬底基板，以及沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置于所述衬底基板上的第一导电层，第一绝缘层，第二绝缘层和第二导电层；所述第一绝缘层包括第一过孔，所述第二绝缘层包括第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔连通，所述第二导电层通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述第一导电层相耦接；所述显示基板还包括：
4、刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层至少覆盖所述第一过孔的孔壁，所述刻蚀阻挡层的至少部分位于所述第二导电层和所述第一过孔的孔壁之间。
5、可选的，所述刻蚀阻挡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述第一过孔的孔壁，所述第二部分位于所述第一绝缘层背向所述衬底基板的表面
6、可选的，所述刻蚀阻挡层采用导电材料制作，所述刻蚀阻挡层与所述第二导电层电连接。
7、可选的，所述显示基板还包括导电膜层，所述刻蚀阻挡层与所述导电膜层同层同材料设置。
8、可选的，所述导电膜层包括公共电极，所述刻蚀阻挡层与所述公共电极同层同材料设置。
9、可选的，所述显示基板还包括晶体管结构，所述第一导电层包括所述晶体管结构的电极；所述第二导电层包括像素电极；所述第一绝缘层包括有机绝缘层；所述第二绝缘层包括第二钝化层。
10、可选的，所述显示基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层的至少部分位于所述刻蚀阻挡层和所述晶体管结构的电极之间，所述第一钝化层包括第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔连通，所述第二导电层通过所述第二过孔，所述第一过孔和所述第三过孔与所述第一导电层相耦接。
11、可选的，所述刻蚀阻挡层在所述衬底基板上的正投影，位于所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影的内部。
12、可选的，所述刻蚀阻挡层靠近所述衬底基板的端部，与所述第三过孔的孔壁远离所述衬底基板的边缘部分平齐。
13、基于上述显示基板的技术方案，本专利技术的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。
14、基于上述显示基板的技术方案，本专利技术的第三方面提供一种显示基板的制作方法，用于制作上述显示基板，所述制作方法包括：
15、在衬底基板上制作第一导电层；
16、在所述第一导电层背向所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包括第一过孔；
17、制作刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层至少覆盖所述第一过孔的孔壁；
18、制作第二绝缘层，所述第二绝缘层包括第二过孔；
19、制作第二导电层，所述第二导电层的至少部分位于所述第二绝缘层背向所述衬底基板的一侧，所述刻蚀阻挡层的至少部分位于所述第二导电层和所述第一过孔的孔壁之间，所述第二导电层通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述第一导电层相耦接。
20、可选的，所述显示基板包括导电膜层，所述制作刻蚀阻挡层的步骤具体包括：
21、通过一次构图工艺，同时形成所述刻蚀阻挡层和所述导电膜层。
22、可选的，所述显示基板还包括晶体管结构，所述第一导电层包括所述晶体管结构的电极；所述第二导电层包括像素电极；所述第一绝缘层包括有机绝缘层；所述第二绝缘层包括第二钝化层；
23、所述制作第一导电层的步骤具体包括：制作所述晶体管结构的电极；
24、所述制作方法还包括：在所述晶体管结构的电极背向所述衬底基板的一侧形成第一钝化材料层；
25、所述制作第二绝缘层的步骤具体包括：形成第二钝化材料层，通过一次构图工艺，对所述第二钝化材料层和所述第一钝化材料层进行构图，形成包括第二过孔的第二钝化层，以及包括第三过孔的第一钝化层；
26、所述制作第二导电层的步骤具体包括：制作像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔，所述第一过孔和所述第三过孔与所述第一导电层相耦接。
27、本专利技术提供的技术方案中，设置显示基板包括：层叠设置于所述衬底基板上的第一导电层，第一绝缘层，第二绝缘层和第二导电层；所述第一绝缘层包括第一过孔，所述第二绝缘层包括第二过孔，所述第二导电层通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述第一导电层相耦接；设置显示基板还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层至少覆盖所述第一过孔的孔壁，所述刻蚀阻挡层的至少部分位于所述第二导电层和所述第一过孔的孔壁之间。上述设置所述刻蚀阻挡层覆盖所述第一过孔的孔壁，使得在采用构图工艺形成所述第二绝缘层上的第二过孔时，所述刻蚀阻挡层能够保护所述第一过孔的孔壁不受到构图工艺中刻蚀工艺的影响，保证了所述第一过孔的孔壁的完整性，避免了在所述第一过孔的孔壁与所述第二绝缘层之间出现undercut现象，降低了所述第二导电层在所述第一过孔和所述第二过孔内发生断裂的概率，有效提升了显示基板的制作良率。
28、本专利技术提供的技术方案中，在包括高迁移率氧化物器件的情况下，可设置所述第一导电层包括高迁移率氧化物器件的电极，设置所述第二导电层包括与该电极连接的其他导电结构。这种设置方式能够保证所述其他导电结构在通过贯穿绝缘层的深孔(包括第一过孔和第二过孔)与高迁移率氧化物器件的电极耦接时，所述其他导电结构不容易在深孔内发生断裂，保证了显示基板的良率。
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1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板，以及沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置于所述衬底基板上的第一导电层，第一绝缘层，第二绝缘层和第二导电层；所述第一绝缘层包括第一过孔，所述第二绝缘层包括第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔连通，所述第二导电层通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述第一导电层相耦接；所述显示基板还包括：
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述第一过孔的孔壁，所述第二部分位于所述第一绝缘层背向所述衬底基板的表面；所述第二过孔的孔壁在所述衬底基板上的正投影，与所述第二部分在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层采用导电材料制作，所述刻蚀阻挡层与所述第二导电层电连接。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括导电膜层，所述刻蚀阻挡层与所述导电膜层同层同材料设置。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述导电膜层包括公共电极，所述刻蚀阻挡层与所述公共电极同层同
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括晶体管结构，所述第一导电层包括所述晶体管结构的电极；所述第二导电层包括像素电极；所述第一绝缘层包括有机绝缘层；所述第二绝缘层包括第二钝化层。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层的至少部分位于所述刻蚀阻挡层和所述晶体管结构的电极之间，所述第一钝化层包括第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔连通，所述第二导电层通过所述第二过孔，所述第一过孔和所述第三过孔与所述第一导电层相耦接。
8.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层在所述衬底基板上的正投影，位于所述第一钝化层在所述衬底基板上的正投影的内部。
9.根据权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层靠近所述衬底基板的端部，与所述第三过孔的孔壁远离所述衬底基板的边缘部分平齐。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9中任一项所述的显示基板。
11.一种显示基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1～9中任一项所述的显示基板，所述制作方法包括：
12.根据权利要求11所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板包括导电膜层，所述制作刻蚀阻挡层的步骤具体包括：
13.根据权利要求11所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述显示基板还包括晶体管结构，所述第一导电层包括所述晶体管结构的电极；所述第二导电层包括像素电极；所述第一绝缘层包括有机绝缘层；所述第二绝缘层包括第二钝化层；
...【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板，以及沿远离所述衬底基板的方向依次层叠设置于所述衬底基板上的第一导电层，第一绝缘层，第二绝缘层和第二导电层；所述第一绝缘层包括第一过孔，所述第二绝缘层包括第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔连通，所述第二导电层通过所述第二过孔和所述第一过孔与所述第一导电层相耦接；所述显示基板还包括：
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述第一过孔的孔壁，所述第二部分位于所述第一绝缘层背向所述衬底基板的表面；所述第二过孔的孔壁在所述衬底基板上的正投影，与所述第二部分在所述衬底基板上的正投影至少部分交叠。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层采用导电材料制作，所述刻蚀阻挡层与所述第二导电层电连接。
4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括导电膜层，所述刻蚀阻挡层与所述导电膜层同层同材料设置。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述导电膜层包括公共电极，所述刻蚀阻挡层与所述公共电极同层同材料设置。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括晶体管结构，所述第一导电层包括所述晶体管结构的电极；所述第二导电层包括像素电极；所述第一绝缘层包括有机绝缘层；所述第二绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇潮，王海涛，张有为，孙智磊，李燕龙，成军，闫梁臣，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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