【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于存储器设计领域，特别涉及一种片上存储器及其访问方法。
技术介绍
1、在复杂的存储设备中，往往需要大带宽且灵活度高的存储器，来适应复杂的应用场景。针对以上需求，可以直接提高物理内存的接口宽度，但由于片上资源紧张，会在提高带宽的同时带来更大的面积损耗，增加流片成本。为了适配系统，进行多个存储器开发或通过增加逻辑冗余，则会导致芯片内部系统交互的复杂度大幅提升，以至于成本增加从而导致项目难以收敛。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种片上存储器，旨在提高存储器的并发度、灵活度及适配度。
2、根据本专利技术的第一方面，提供了一种片上存储器，包括：
3、所述开关模块与主机端以及多个存储体相连接，用于将主机端的多路读写访问请求通过内部逻辑存储空间映射到相应的存储体，
4、所述存储体由多个存储块组成，用于根据所述读写访问请求对多个存储块进行并行访问。
5、优选地，所述开关模块包含的逻辑存储空间分为多个层，每一层都均匀映射到多个存储体，每一层具有相应的交织粒度，根据存储体的数量以及所述交织粒度将读写访问请求映射到相应的存储体。
6、优选地，当确定起始选择位j和选择比特数k时，映射到的存储体编号为addr[j：j+k]，其中j＝log2(sg)，k＝log2(n)，sg为交织粒度，n为存储体数量。
7、优选地，所述交织粒度以及所述逻辑存储空间的层数为寄存器可配置值。
8、优选地，当存在两个连续的
9、根据本专利技术的第二方面，提供了一种根据第一方面的片上存储器的访问方法，包括：
10、接收主机端的多路读写访问请求，通过开关模块的内部逻辑存储空间将所述读写访问请求映射到相应的存储体，
11、根据所述读写访问请求对存储体中的多个存储块进行并行访问。
12、优选地，所述将所述读写访问请求映射到相应的存储体，进一步包括：
13、所述开关模块包含的逻辑存储空间分为多个层，每一层都均匀映射到多个存储体，每一层具有相应的交织粒度，根据存储体的数量以及所述交织粒度将读写访问请求映射到相应的存储体。
14、优选地，当确定起始选择位j和选择比特数k时，映射到的存储体编号为addr[j：j+k]，其中j＝log2(sg)，k＝log2(n)，sg为交织粒度，n为存储体数量。
15、优选地，该方法还包括：通过寄存器预先配置所述交织粒度以及所述逻辑存储空间的层数。
16、优选地，所述对存储体中的多个存储块进行并行访问，进一步包括：
17、当存在两个连续的读写访问请求命中当前存储体中的同一个存储块时，在第一个时钟周期对两个读写访问请求进行仲裁，将其中一个请求进行反压，其余时钟周期执行并行访问。
18、相比于相关技术，本专利技术的技术方案具备以下优点：
19、可以同时对存储器多个block进行读写访问，提高了访问并发度。根据场景需求来合理设置逻辑存储层的结构，从而提高了利用率。通过使用多个bank构成block，在block内部形成交织访问bank，从而实现每一个cycle均可进行读写，使得带宽显著提高。
20、本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可以通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构和流程来实现和获取。
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1.一种片上存储器，包括开关模块和多个存储体，
2.根据权利要求1所述的片上存储器，其特征在于，所述开关模块包含的逻辑存储空间分为多个层，每一层都均匀映射到多个存储体，每一层具有相应的交织粒度，根据存储体的数量以及所述交织粒度将读写访问请求映射到相应的存储体。
3.根据权利要求2所述的片上存储器，其特征在于，当确定起始选择位j和选择比特数k时，映射到的存储体编号为addr[j：j+k]，其中j＝log2(sg)，k＝log2(n)，sg为交织粒度，n为存储体数量。
4.根据权利要求2所述的片上存储器，其特征在于，所述交织粒度以及所述逻辑存储空间的层数为寄存器可配置值。
5.根据权利要求1所述的片上存储器，其特征在于，当存在两个连续的读写访问请求命中当前存储体中的同一个存储块时，在第一个时钟周期对两个读写访问请求进行仲裁，将其中一个请求进行反压，其余时钟周期执行并行访问。
6.一种根据权利要求1-5任一项所述的片上存储器的访问方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将所述读写访问
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当确定起始选择位j和选择比特数k时，映射到的存储体编号为addr[j：j+k]，其中j＝log2(sg)，k＝log2(n)，sg为交织粒度，n为存储体数量。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对存储体中的多个存储块进行并行访问，进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种片上存储器，包括开关模块和多个存储体，
2.根据权利要求1所述的片上存储器，其特征在于，所述开关模块包含的逻辑存储空间分为多个层，每一层都均匀映射到多个存储体，每一层具有相应的交织粒度，根据存储体的数量以及所述交织粒度将读写访问请求映射到相应的存储体。
3.根据权利要求2所述的片上存储器，其特征在于，当确定起始选择位j和选择比特数k时，映射到的存储体编号为addr[j：j+k]，其中j＝log2(sg)，k＝log2(n)，sg为交织粒度，n为存储体数量。
4.根据权利要求2所述的片上存储器，其特征在于，所述交织粒度以及所述逻辑存储空间的层数为寄存器可配置值。
5.根据权利要求1所述的片上存储器，其特征在于，当存在两个连续的读写访问请求命中当前存...
【专利技术属性】
技术研发人员：文炳成，张辅云，段延亮，马吉，姬强，苗嘉，赵业，
申请(专利权)人：无锡众星微系统技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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