【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真随机数发生装置，具体涉及一种新型真随机数发生装置。
技术介绍
1、在计算过程中，硬件随机数发生器(真随机数发生器，trng)是从物理过程而不是计算机程序生成随机数的设备。这种装置通常基于产生低水平，统计随机“噪声”信号的微观现象，例如热噪声，涉及分束器的光电效应和其他量子现象。从理论上讲，这些随机过程是完全不可预测的，理论中对不可预测性的断言需要进行实验测试。硬件随机数发生器通常包括将物理现象的某些方面转换为电信号的转换器，放大器和其他电子电路，以将随机波动的幅度增加到可测量的水平，以及某种类型的模数转换器将输出转换为数字，通常是简单的二进制数字0或1，通过重复采样随机变化的信号，可以获得一系列随机数。
2、目前市面上常用的基于振荡器采样设计的随机数发生器，通常是利用两个独立工作的高、低频振荡器之间的相对关系来得到非确定噪声源，用高抖动低频振荡器采样高频振荡器，从而产生随机数序列，然后增加复杂的电路来改善随机数发生精度，例如需要使用大量的反相器和异或门，这样导致其成本高、电路功耗也较高、且不易集成；这种纯粹依赖硬件生成的随机数发生器，依然存在随机数发生精度不够，且需要提供复杂的硬件电路。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术要解决的问题是提供一种新型真随机数发生装置。
2、为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：一种新型真随机数发生装置，包括供电电流源、关断单元、mos稳压单元、真随机数发生单元、锁存反馈单元、信号使能控制端和输出端
3、在本专利技术中，优选地，所述真随机数发生单元包括两个结构相同的振荡器单元，每个振荡器单元均包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六nmos管、第一电流源、第二电流源和第三电流源，第一nmos管、第二nmos管的漏极与第三nmos管的漏极相连，所述第三nmos管的源极通过第一电容接地，所述第三nmos管的漏极外接有第一pmos管的漏极，且所述第三nmos管的源极外接有第二pmos管的栅极，所述第一pmos管的源极与第二pmos管的源极相连，所述第一pmos管的源极与第二pmos管的源极之间外接有第一电流源，所述第三nmos管的漏极外接有第二电流源，所述第四nmos管的源极通过第二电容接地，所述第四nmos管的源极通过第一pmos管的栅极相连，所述第四nmos管的漏极与第五nmos管、第六nmos管和第二pmos管的漏极相连，所述第四nmos管的漏极外接有第三电流源，所述第一nmos管、第二nmos管、第五nmos管和第六nmos管的源极接地。
4、在本专利技术中，优选地，所述信号使能控制端设置为一与非门，所述真随机数发生单元的clkb端子与所述与非门的输出端相连，所述与非门的第一输入端外接有时钟输入端子，所述与非门的第二输入端外接有使能信号端子。
5、在本专利技术中，优选地，锁存反馈单元包括第一或非门、第二或非门、第三或非门和第四或非门，所述第一或非门、所述第二或非门的第一输入端分别与真随机数发生单元的cur2端子、所述第一或非门的输出端相连，所述第一或非门、所述第二或非门的第二输入端分别与真随机数发生单元的cur3端子、cur2端子相连，所述第一或非门、所述第二或非门的第三输入端分别与所述第二或非门的输出端、所述真随机数发生单元的cur3端子相连，所述第一或非门的输出端与所述第三或非门的第一输入端相连，所述第三或非门的第二输入端与第四或非门的输出端相连，所述第三或非门的输出端与第四或非门的第一输入端相连所述第四或非门的第二输入端与第二或非门的输出端相连，所述第三或非门的输出端和第四或非门的输出端外接有lsh单元的in端子和int端子。
6、本专利技术具有的优点和积极效果是：本专利技术通过两个振荡器单元交替工作，第一振荡器单元结束时的电压决定第二振荡器单元的振荡器的频率，同理第二个振荡器单元震荡结束时的电压决定第一个振荡器单元的频率，当两个振荡器交替工作，两个振荡频率与上一时刻频率有关系，满足很好的随机性；此外，和普通噪声源随机数发生装置产生随机机理完全不同，本随机数发生装置采用新型双振荡器产生随机时钟频率产生真随机数。
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1.一种新型真随机数发生装置，其特征在于，包括供电电流源、关断单元、MOS稳压单元、真随机数发生单元、锁存反馈单元、信号使能控制端和输出端，所述供电电流源和所述关断单元电性连接，所述供电电流源与所述MOS稳压单元电性连接，所述MOS稳压单元和所述真随机数发生单元电性连接，所述真随机数发生单元与所述锁存反馈单元、信号使能控制端电性连接，所述锁存反馈单元外接有输出端。
2.根据权利要求1所述的一种新型真随机数发生装置，其特征在于，所述真随机数发生单元包括两个结构相同的振荡器单元，每个振荡器单元均包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一电流源、第二电流源和第三电流源，第一NMOS管、第二NMOS管的漏极与第三NMOS管的漏极相连，所述第三NMOS管的源极通过第一电容接地，所述第三NMOS管的漏极外接有第一PMOS管的漏极，且所述第三NMOS管的源极外接有第二PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极相连，所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极之间外接有第一电流源，所述第三NMOS管
3.根据权利要求1所述的一种新型真随机数发生装置，其特征在于，所述信号使能控制端设置为一与非门，所述真随机数发生单元的CLKB端子与所述与非门的输出端相连，所述与非门的第一输入端外接有时钟输入端子，所述与非门的第二输入端外接有使能信号端子。
4.根据权利要求1所述的一种新型真随机数发生装置，其特征在于，锁存反馈单元包括第一或非门、第二或非门、第三或非门和第四或非门，所述第一或非门、所述第二或非门的第一输入端分别与真随机数发生单元的CUR2端子、所述第一或非门的输出端相连，所述第一或非门、所述第二或非门的第二输入端分别与真随机数发生单元的CUR3端子、CUR2端子相连，所述第一或非门、所述第二或非门的第三输入端分别与所述第二或非门的输出端、所述真随机数发生单元的CUR3端子相连，所述第一或非门的输出端与所述第三或非门的第一输入端相连，所述第三或非门的第二输入端与第四或非门的输出端相连，所述第三或非门的输出端与第四或非门的第一输入端相连，所述第四或非门的第二输入端与第二或非门的输出端相连，所述第三或非门的输出端和第四或非门的输出端外接有LSH单元的in端子和Int端子。
...【技术特征摘要】
1.一种新型真随机数发生装置，其特征在于，包括供电电流源、关断单元、mos稳压单元、真随机数发生单元、锁存反馈单元、信号使能控制端和输出端，所述供电电流源和所述关断单元电性连接，所述供电电流源与所述mos稳压单元电性连接，所述mos稳压单元和所述真随机数发生单元电性连接，所述真随机数发生单元与所述锁存反馈单元、信号使能控制端电性连接，所述锁存反馈单元外接有输出端。
2.根据权利要求1所述的一种新型真随机数发生装置，其特征在于，所述真随机数发生单元包括两个结构相同的振荡器单元，每个振荡器单元均包括第一nmos管、第二nmos管、第三nmos管、第四nmos管、第五nmos管、第六nmos管、第一电流源、第二电流源和第三电流源，第一nmos管、第二nmos管的漏极与第三nmos管的漏极相连，所述第三nmos管的源极通过第一电容接地，所述第三nmos管的漏极外接有第一pmos管的漏极，且所述第三nmos管的源极外接有第二pmos管的栅极，所述第一pmos管的源极与第二pmos管的源极相连，所述第一pmos管的源极与第二pmos管的源极之间外接有第一电流源，所述第三nmos管的漏极外接有第二电流源，所述第四nmos管的源极通过第二电容接地，所述第四nmos管的源极通过第一pmos管的栅极相连，所述第四nmos管的漏极与第五nmos管、第六n...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐祺，吴大军，陶石，孙陈诚，王志成，王君，
申请(专利权)人：睿思威半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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