功率半导体模块和功率半导体堆叠制造技术

本技术涉及功率半导体模块(20)和功率半导体堆叠，功率半导体模块包括：‑导电基底(2)；‑导电顶部(6)；‑至少两个功率半导体器件(3)，布置在导电基底(2)和导电顶部(6)之间，这些半导体器件(3)各自被配置成用于至少1A的电流和/或用于至少50V的电压；‑绝缘间隔物层(4)，布置在功率半导体器件(3)上并且至少部分地布置在导电基底(2)和导电顶部(6)之间；以及‑至少两个竖直连接元件(5)，从功率半导体器件(3)穿过间隔物层(4)并且将导电顶部(6)与功率半导体器件(3)导电地连接，其中，间隔物层(4)和竖直连接元件(5)被配置成用于补偿功率半导体器件(3)的高度差异。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本技术涉及一种功率半导体模块。此外，提供了一种功率半导体堆叠。本技术还涉及一种用于制造功率半导体模块的方法。

技术介绍

1、文件us 9,648,722 b2和us 9,681,558 b2涉及包括嵌入式半导体芯片的功率半导体部件。

2、文件de 10 2016 125 657 a1、ep 1 672 692 a1、us2011/0266665 a1、us2013/0146991a1、us2010/0038774 a1、us2016/0111554 a1和gb 1 353 602 a涉及半导体器件。

技术实现思路

1、因此，亟待解决的问题是提供一种可以高效地电连接的功率半导体模块和功率半导体堆叠。

2、该目的尤其通过如独立权利要求中定义的功率半导体模块、功率半导体堆叠和方法来实现。在从属权利要求中详述了示例性的进一步的实施例。

3、例如，功率半导体模块包括在导电基底和导电顶部之间的多个半导体芯片。具有竖直连接元件的间隔物层也位于导电基底和导电顶部之间，并且借助于该间隔物层，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率半导体模块(20)，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块(20)，其特征在于，所述至少一个导电基底(2)和所述至少一个导电顶部(6)分别限定两个平行的安装平面(21、22)，并且

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(20)，其特征在于，包括栅极导体(9)，所述栅极导体连接到所述功率半导体器件(3)的相应栅极并且嵌入在所述间隔物层(4)内。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(20)，其特征在于，包括导电基底板(1)和导电顶板(7)，借此所述至少一个导电基底(2)布置在所述基底板(1)上并且所述顶板(7)...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种功率半导体模块(20)，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块(20)，其特征在于，所述至少一个导电基底(2)和所述至少一个导电顶部(6)分别限定两个平行的安装平面(21、22)，并且

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(20)，其特征在于，包括栅极导体(9)，所述栅极导体连接到所述功率半导体器件(3)的相应栅极并且嵌入在所述间隔物层(4)内。

4.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(20)，其特征在于，包括导电基底板(1)和导电顶板(7)，借此所述至少一个导电基底(2)布置在所述基底板(1)上并且所述顶板(7)导电地布置在所述至少一个导电顶部(6)上，使得所述至少一个导电基底(2)、所述至少一个导电顶部(6)和所述间隔物层(4)夹在所述基底板(1)与所述顶板(7)之间。

5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·舒德勒，柳春雷，S·基辛，G·塞尔瓦托，F·莫恩，
申请(专利权)人：日立能源有限公司，
类型：新型
国别省市：