【技术实现步骤摘要】
本技术涉及射频开关，具体涉及一种射频开关用的电平转换电路。
技术介绍
1、在低掷数射频开关中，gaas phemt技术能提供良好的功率和线性度性能，同时占用较少的芯片面积，具有更小的封装尺寸；对soi mosfet开关，由于有集成正负电压发生器的要求以及较低的功率容量和较高的fet损耗，因此通常会占用较大的芯片面积，但是由于其能够在低于+1.6v的电压下工作，并且能够灵活地在芯片上集成cmos逻辑电路，使得soimosfet开关在低控制电压和高掷数开关应用中具有一定的优势，例如公开号为cn217985030u的技术专利就公开了一种电源选择器电路及射频开关，该专利通过如图1所示的电源选择器电路来实现电压源v1和电压源v2的切换，其中当电压源v1是高电平时，电压源v2是低电平，当电压源v2是高电平时，电压源v1是低电平。
2、随着射频开关的应用领域不断变化，电压源v1或者电压源v2的最高电压能达到5v，但是对于图1所示的电路中的电平转换器，由于其包括的mos管的耐压值大多是2.5v，因此当电压源的电压为5v时，由于5v电压直接输入到mos管的栅极，因此存在mos管击穿爆炸的问题。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
的不足，本技术提供了一种射频开关用的电平转换电路，所要解决的技术问题是现有射频开关用的电平转换电路在接入5v电压时存在mos管击穿的问题。
2、为解决以上技术问题，本技术提供了如下技术方案：一种射频开关用的电平转换电路，包括第一开关管、第二开关管、第一压降
3、所述第一开关管的输入端用于输入第一电压源，所述第二开关管的输入端用于输入第二电压源，所述第一开关管的控制端和第二开关管的控制端用于输入控制信号；
4、所述第一开关管的输入端通过第一压降单元与第一开关管的输出端电连接，所述第一开关管的输出端通过第一电阻支路与第一主支路电连接，所述第一从支路与第二主支路电连接；
5、所述第二开关管的输入端通过第二压降单元与第二开关管的输出端电连接，所述第二开关管的输出端通过第二电阻支路与第三主支路电连接，所述第三从支路分别与所述第二从支路和信号整形单元电连接。
6、在某种实施方式中，所述第一开关管和第二开关管均为pmos管，所述pmos管的源极为开关管的输入端，所述pmos管的栅极为开关管的控制端，所述pmos管的漏极为开关管的输出端。
7、在某种实施方式中，所述第一压降单元包括二极管d1，所述第二压降单元包括二极管d2，第一开关管的输入端与二极管d1的正极电连接，第一开关管的输出端与二极管d1的负极电连接，第二开关管的输入端与二极管d2的正极电连接，第二开关管的输出端与二极管d2的负极电连接。
8、在某种实施方式中，所述第一电阻支路包括串联的电阻r4和电阻r5，电阻r4的第一连接端与第一开关管的输出端电连接，电阻r5的第二连接端与所述第一主支路电连接；
9、所述第二电阻支路包括电阻r6，电阻r6的第一连接端与第二开关管的输出端电连接，电阻r6的第二连接端与第三主支路电连接。
10、在某种实施方式中，所述第一主支路包括nmos管n7，所述第一从支路包括nmos管n5，所述nmos管n7的漏极分别与第一电阻支路、nmos管n7的栅极和nmos管n5的栅极电连接，nmos管n5的源极和nmos管n7的源极接地，nmos管n5的漏极与第二主支路电连接。
11、在某种实施方式中，所述第三主支路包括nmos管n8，所述第三从支路包括nmos管n6，所述nmos管n8的漏极分别与第二电阻支路、nmos管n8的栅极和nmos管n6的栅极电连接，nmos管n8的源极和nmos管n6的源极接地，nmos管n6的漏极与第二从支路电连接。
12、在某种实施方式中，所述第二主支路包括pmos管p5，所述第二从支路包括pmos管p6，pmos管p5的源极和pmos管p6的源极电连接，pmos管p5的栅极分别与pmos管p5的漏极、nmos管n5的漏极和pmos管p6的栅极电连接，pmos管p6的漏极与nmos管n6的漏极和信号整形单元电连接。
13、在某种实施方式中，所述信号整形单元包括m个反相器，m为偶数，所有反相器依次串联。
14、在某种实施方式中，所述信号整形单元包括n个反相器，n为奇数，当n大于1时，所有反相器依次串联。
15、本技术与现有技术相比所具有的有益效果是：本技术通过第一压降单元、第一电阻支路来降低压降以及通过第二压降单元和第二电阻支路来降低压降，然后利用第一电流镜、第二电流镜和第三电流镜来实现电压转换，并通过信号整形单元对输出信号进行整形，使输出信号的波形符合要求，从而避免高压击穿mos管和提高信号转换速度。
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1.一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，包括第一开关管、第二开关管、第一压降单元、第二压降单元、第一电阻支路、第二电阻支路、第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜和信号整形单元；所述第一电流镜包括第一主支路和第一从支路，所述第二电流镜包括第二主支路和第二从支路，所述第三电流镜包括第三主支路和第三从支路；
2.根据权利要求1所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第一开关管和第二开关管均为PMOS管，所述PMOS管的源极为开关管的输入端，所述PMOS管的栅极为开关管的控制端，所述PMOS管的漏极为开关管的输出端。
3.根据权利要求1所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第一压降单元包括二极管D1，所述第二压降单元包括二极管D2，第一开关管的输入端与二极管D1的正极电连接，第一开关管的输出端与二极管D1的负极电连接，第二开关管的输入端与二极管D2的正极电连接，第二开关管的输出端与二极管D2的负极电连接。
4.根据权利要求1所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第一电阻支路包括串联的电阻R4和电阻R5，电阻R
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第一主支路包括NMOS管N7，所述第一从支路包括NMOS管N5，所述NMOS管N7的漏极分别与第一电阻支路、NMOS管N7的栅极和NMOS管N5的栅极电连接，NMOS管N5的源极和NMOS管N7的源极接地，NMOS管N5的漏极与第二主支路电连接。
6.根据权利要求5所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第三主支路包括NMOS管N8，所述第三从支路包括NMOS管N6，所述NMOS管N8的漏极分别与第二电阻支路、NMOS管N8的栅极和NMOS管N6的栅极电连接，NMOS管N8的源极和NMOS管N6的源极接地，NMOS管N6的漏极与第二从支路电连接。
7.根据权利要求6所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第二主支路包括PMOS管P5，所述第二从支路包括PMOS管P6，PMOS管P5的源极和PMOS管P6的源极电连接，PMOS管P5的栅极分别与PMOS管P5的漏极、NMOS管N5的漏极和PMOS管P6的栅极电连接，PMOS管P6的漏极与NMOS管N6的漏极和信号整形单元电连接。
8.根据权利要求7所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述信号整形单元包括M个反相器，M为偶数，所有反相器依次串联。
9.根据权利要求7所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述信号整形单元包括N个反相器，N为奇数，当N大于1时，所有反相器依次串联。
...【技术特征摘要】
1.一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，包括第一开关管、第二开关管、第一压降单元、第二压降单元、第一电阻支路、第二电阻支路、第一电流镜、第二电流镜、第三电流镜和信号整形单元；所述第一电流镜包括第一主支路和第一从支路，所述第二电流镜包括第二主支路和第二从支路，所述第三电流镜包括第三主支路和第三从支路；
2.根据权利要求1所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第一开关管和第二开关管均为pmos管，所述pmos管的源极为开关管的输入端，所述pmos管的栅极为开关管的控制端，所述pmos管的漏极为开关管的输出端。
3.根据权利要求1所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第一压降单元包括二极管d1，所述第二压降单元包括二极管d2，第一开关管的输入端与二极管d1的正极电连接，第一开关管的输出端与二极管d1的负极电连接，第二开关管的输入端与二极管d2的正极电连接，第二开关管的输出端与二极管d2的负极电连接。
4.根据权利要求1所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第一电阻支路包括串联的电阻r4和电阻r5，电阻r4的第一连接端与第一开关管的输出端电连接，电阻r5的第二连接端与所述第一主支路电连接；
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种射频开关用的电平转换电路，其特征在于，所述第一主支路包括nmos管n7，...
【专利技术属性】
技术研发人员：丁佳佳，赵云，黄小妍，郭天生，赵鹏，
申请(专利权)人：上海乾合微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：
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