【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高磁导率mnzn铁氧体,尤其涉及一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺。
技术介绍
1、一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,该二次烧结工艺的最高保持温度为一次烧结工艺的最高保持温度±50℃,保持时间为0.5-5小时,从室温升至最高保持温度的升温速率为2.5℃/分钟-5.0℃/分钟,升温过程及温度保持过程气氛为空气或氧气气氛。
2、该二次烧结工艺的最高保持温度为1330-1420℃。
3、所述的二次烧结工艺降温段的氧气浓度(po2)与对应温度(t)存在以下关系:
4、b取值为6-8。
5、所述的二次烧结工艺降温段900℃至室温的氧气浓度小于100ppm。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,解决了上述提出的技术问题。
2、为解决上述技术问题,本专利技术提供的一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,该二次烧结工艺的最高保持温度为一次烧结工艺的最高保持温度±50℃,保持时间为0.5-
...【技术保护点】
1.一种高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于:该二次烧结工艺的最高保持温度为一次烧结工艺的最高保持温度±50℃,保持时间为0.5-5小时,从室温升至最高保持温度的升温速率为2.5℃/分钟-5.0℃/分钟,升温过程及温度保持过程气氛为空气或氧气气氛。
2.如权利要求1所述的高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于:该二次烧结工艺的最高保持温度为1330-1420℃。
3.根据权利要求1-2所述的的高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于;所述的二次烧结工艺降温段的氧气浓度(PO2)与对应温度(T)存在以下关系:
...
【技术特征摘要】
1.一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于:该二次烧结工艺的最高保持温度为一次烧结工艺的最高保持温度±50℃,保持时间为0.5-5小时,从室温升至最高保持温度的升温速率为2.5℃/分钟-5.0℃/分钟,升温过程及温度保持过程气氛为空气或氧气气氛。
2.如权利要求1所述的高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于:该二次烧结工艺的...
【专利技术属性】
技术研发人员:任南荣,朱剑文,包吴美,
申请(专利权)人:湖州乐通电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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