一种高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺制造技术

技术编号:41102702 阅读:17 留言:0更新日期:2024-04-25 13:58
本发明专利技术公开了一种高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺,涉及高磁导率MnZn铁氧体技术领域,将一次烧结过程中被氧化或尺寸偏大的MnZn铁氧体磁心置于窑中加热,从室温升至二次烧结最高保持温度为空气或氧气气氛,二次烧结的最高保持温度为一次烧结最高保持温度±50℃,保温时间为0.5‑5h,保温阶段气氛为空气或氧气气氛,降温工艺可按一次烧结工艺进行控制。通过实施本发明专利技术,可以将因氧化而表面颜色异常和磁导率低的MnZn铁氧体废磁心变为表面颜色正常和高磁导率的磁心,也可使因一次烧结温度偏低或保温时间偏短而出现尺寸偏大的产品经二次烧结后变为尺寸符合规格要求的磁心。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高磁导率mnzn铁氧体,尤其涉及一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺。


技术介绍

1、一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,该二次烧结工艺的最高保持温度为一次烧结工艺的最高保持温度±50℃,保持时间为0.5-5小时,从室温升至最高保持温度的升温速率为2.5℃/分钟-5.0℃/分钟,升温过程及温度保持过程气氛为空气或氧气气氛。

2、该二次烧结工艺的最高保持温度为1330-1420℃。

3、所述的二次烧结工艺降温段的氧气浓度(po2)与对应温度(t)存在以下关系:

4、b取值为6-8。

5、所述的二次烧结工艺降温段900℃至室温的氧气浓度小于100ppm。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,解决了上述提出的技术问题。

2、为解决上述技术问题,本专利技术提供的一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,该二次烧结工艺的最高保持温度为一次烧结工艺的最高保持温度±50℃,保持时间为0.5-5小时,从室温升至最本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于:该二次烧结工艺的最高保持温度为一次烧结工艺的最高保持温度±50℃,保持时间为0.5-5小时,从室温升至最高保持温度的升温速率为2.5℃/分钟-5.0℃/分钟,升温过程及温度保持过程气氛为空气或氧气气氛。

2.如权利要求1所述的高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于:该二次烧结工艺的最高保持温度为1330-1420℃。

3.根据权利要求1-2所述的的高磁导率MnZn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于;所述的二次烧结工艺降温段的氧气浓度(PO2)与对应温度(T)存在以下关系:

4.权利要求1-3所...

【技术特征摘要】

1.一种高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于:该二次烧结工艺的最高保持温度为一次烧结工艺的最高保持温度±50℃,保持时间为0.5-5小时,从室温升至最高保持温度的升温速率为2.5℃/分钟-5.0℃/分钟,升温过程及温度保持过程气氛为空气或氧气气氛。

2.如权利要求1所述的高磁导率mnzn铁氧体二次烧结工艺,其特征在于:该二次烧结工艺的...

【专利技术属性】
技术研发人员:任南荣朱剑文包吴美
申请(专利权)人:湖州乐通电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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