【技术实现步骤摘要】
本技术属于探测器,具体涉及一种应用于辐射探测的金刚石探测器。
技术介绍
1、金刚石材料在电子学应用是最为顶端的和重要的材料,也是典型应用,金刚石材料天然优势来源于自身大的高宽禁带宽度、超高击穿场强、极高的载流子迁移率、极低的相对介电常数。这些自身的特性决定了金刚石是适合制造高频、高功率以及抗辐照电子元器件,比如电力电子应用的二极管(diode)、场效应晶体管(mosfet);辐射探测行业的核辐射探测器(radiation detector)、光电导开关(pcss)等。
2、目前的辐射探测设计主要是闪烁体探测器进行设计的。其中的电子线路多为采用光电倍增管的方式进行检测信号。这些方式造成电子线路的信号损失和系统用电量加大,另外制备工艺难度和成本较高。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中存在的上述问题,本技术提供了一种应用于辐射探测的金刚石探测器。本技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现:
2、本技术提供了一种应用于辐射探测的金刚石探测器,包括:探测器壳体和位于所述探测器壳体内部的探测器部件,其中,
3、所述探测器部件包括:pcb模块、金刚石探测组件和射线辐射校正盖;所述pcb模块与外部电源和数据处理装置电连接,所述金刚石探测组件与所述pcb模块电连接,所述射线辐射校正盖位于所述金刚石探测组件的下方。
4、在本技术的一个实施例中,所述探测器壳体包括上护盖、探测器主体和下护盖,其中,
5、所述探测器主体呈中空状,所述上护盖和所
6、在本技术的一个实施例中,所述上护盖和所述下护盖均通过第一固定螺丝与所述探测器主体固定连接。
7、在本技术的一个实施例中,所述pcb模块包括前置放大器pcb板和偏置pcb板;
8、所述前置放大器pcb板和所述偏置pcb板均通过连接线与所述外部电源和数据处理装置电连接;
9、所述偏置pcb板设置在所述前置放大器pcb板的下方。
10、在本技术的一个实施例中,所述金刚石探测组件位于所述pcb模块的下方,所述金刚石探测组件包括金刚石器件基板、金刚石探测元器件和内置电子连接线,其中,
11、所述金刚石器件基板位于所述偏置pcb板的下方;
12、所述金刚石探测元器件固定在所述金刚石器件基板上;
13、所述金刚石器件基板通过所述内置电子连接线与所述pcb模块连接。
14、在本技术的一个实施例中,所述内置电子连接线为fpc连接线或电子排线。
15、在本技术的一个实施例中,所述射线辐射校正盖通过第二固定螺丝与所述金刚石探测组件固定连接。
16、与现有技术相比,本技术的有益效果在于:
17、1.本技术的应用于辐射探测的金刚石探测器,满足射线辐射检测和探测的要求,在提升各种辐射射线检测的同时可以满足高集成度的要求,具有质量小、体积小接线方便的特点;
18、2.本技术的应用于辐射探测的金刚石探测器,采用电子线路板和分立元器件的多层连接实现了探测器的高集成化,在探测器模块化生产应用方面更加便利。
19、上述说明仅是本技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本技术的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
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1.一种应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,包括:探测器壳体和位于所述探测器壳体内部的探测器部件,其中,
2.根据权利要求1所述的应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,所述探测器壳体包括上护盖(1)、探测器主体(2)和下护盖(3),其中,
3.根据权利要求2所述的应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,所述上护盖(1)和所述下护盖(3)均通过第一固定螺丝(4)与所述探测器主体(2)固定连接。
4.根据权利要求2所述的应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,所述PCB模块包括前置放大器PCB板(5)和偏置PCB板(6);
5.根据权利要求4所述的应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,所述金刚石探测组件位于所述PCB模块的下方,所述金刚石探测组件包括金刚石器件基板(8)、金刚石探测元器件(9)和内置电子连接线(10),其中,
6.根据权利要求5所述的应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,所述内置电子连接线(10)为FPC连接线或电子排线。
7.根据权利要求1所述的应用于辐射探测的金刚石探测器
...【技术特征摘要】
1.一种应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,包括:探测器壳体和位于所述探测器壳体内部的探测器部件,其中,
2.根据权利要求1所述的应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,所述探测器壳体包括上护盖(1)、探测器主体(2)和下护盖(3),其中,
3.根据权利要求2所述的应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,所述上护盖(1)和所述下护盖(3)均通过第一固定螺丝(4)与所述探测器主体(2)固定连接。
4.根据权利要求2所述的应用于辐射探测的金刚石探测器,其特征在于,所述pcb模块包括前置放大器pcb...
【专利技术属性】
技术研发人员:田红阳,何晓宁,王祥,
申请(专利权)人:陕西半导体先导技术中心有限公司,
类型:新型
国别省市:
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