具有输入电流交越失真同相变压补偿的图腾柱PFC电路制造技术

技术编号:41086492 阅读:14 留言:0更新日期:2024-04-25 13:48
本发明专利技术提供了一种具有输入电流交越失真同相变压补偿的图腾柱PFC电路,包括:滤波电路、补偿电路以及校正电路。滤波电路为单级LC滤波电路,用于滤除高频谐波电流。补偿电路包括降压、整流滤波和逆变电路,用于提供同相交流方波补偿电压。校正电路为图腾柱PFC,用于完成功率因数校正,并利用同相交流方波补偿电压进行输入电流交越失真补偿,得到输出直流电压和正弦输入电流。同时提供了一种相应的补偿方法。本发明专利技术通过将单相正弦交流电压叠加上同相低幅值方波交流电压,消除原单相交流电压过零附近无电压情况,不改变原有控制结构和控制策略情况下,消除输入电流(即网侧电流)过零失真现象,具有补偿效果良好、易于实现和成本低廉的优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力电子变换器,具体地,涉及一种具有输入电流交越失真同相变压补偿的图腾柱pfc电路,同时涉及一种相应的补偿方法。


技术介绍

1、单相有源功率因数校正电路(pfc)包括功率开关置于桥前、桥中和桥后三大类,其中桥中pfc包括无桥pfc、图腾柱pfc等,图腾柱pfc的电路结构与单相脉冲宽度调制(pwm)整流器的电路结构相同,但是采用的不同的工作原理。单相pwm整流器中,按照交叉方式将功率开关分成两组,两组之间高频互补导通与关断。图腾柱pfc中,一个高频gan桥臂,其中的两只功率开关处于高频斩波状态,另一个工频sic mosfet桥臂,其中的两只功率开关处于工频斩波状态。

2、图腾柱pfc追求更高的变换效率,这是其突出优点,因此得到广发的研究与应用。但是其工作原理与传统桥后pfc相同,因此避免不了会出现电感电流交越失真现象,电感电流失真也就是输入电流失真,其原因是在电网电压即输入电压过零点时,网压瞬时值太低,而且二极管存在压降。输入电流失真引起输入功率因数下降和谐波电流的增加,严重时图腾柱pfc的某些高频谐波电流不能通过相关的emi测试,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有输入电流交越失真同相变压补偿的图腾柱PFC电路,其特征在于,包括:相互之间电路连接的滤波电路、补偿电路以及校正电路;其中,所述滤波电路,用于滤除高频谐波电流;所述补偿电路,用于提供同相交流方波补偿电压;所述校正电路,用于通过图腾柱PFC完成功率因数校正,通过所述同相交流方波补偿电压对校正电路的输入电流交越失真进行补偿,得到输出直流电压和正弦输入电流;

2.根据权利要求1所述的具有输入电流交越失真同相变压补偿的图腾柱PFC电路,其特征在于,所述滤波电路,包括:交流电感L1以及交流电容C1,其中,所述交流电感L1一端与单相交流电源火线L相连,所述交流电感L1另一端与所...

【技术特征摘要】

1.一种具有输入电流交越失真同相变压补偿的图腾柱pfc电路,其特征在于,包括:相互之间电路连接的滤波电路、补偿电路以及校正电路;其中,所述滤波电路,用于滤除高频谐波电流;所述补偿电路,用于提供同相交流方波补偿电压;所述校正电路,用于通过图腾柱pfc完成功率因数校正,通过所述同相交流方波补偿电压对校正电路的输入电流交越失真进行补偿,得到输出直流电压和正弦输入电流;

2.根据权利要求1所述的具有输入电流交越失真同相变压补偿的图腾柱pfc电路,其特征在于,所述滤波电路,包括:交流电感l1以及交流电容c1,其中,所述交流电感l1一端与单相交流电源火线l相连,所述交流电感l1另一端与所述交流电容c1一端相连后形成节点a,所述交流电容c1另一端与单相交流电源零线n相连后形成节点b。

3.根据权利要求2所述的具有输入电流交越失真同相变压补偿的图腾柱pfc电路,其特征在于,所述交流电感l1用于增加网侧阻抗,阻挡高次谐波电流进入交流电源;所述交流电容c1用于降低网侧阻抗,旁路高次谐波电流。

4.根据权利要求2所述的具有输入电流交越失真同相变压补偿的图腾柱pfc电路,其特征在于,所述补偿电路,包括:作为同相变压器的降压变压器tr1、构成二极管整流桥的二极管d1~d4、电解电容c2以及si mosfets5~s8;其中,所述降压变压器tr1初级线圈一端与节点a相连,所述降压变压器tr1初级线圈另一端与节点b相连,所述二极管d1阳极和所述二极管d2阴极连接在一起形成节点c,所述降压变压器tr1次级线圈一端与节点c相连,所述二极管d3阳极和所述二极管d4阴极连接在一起形成节点d,所述降压变压器tr1次级线圈另一端与节点d相连,所述si mosfets5源极和所述si mosfets6漏极相连在一起形成节点h,simosfets7源极和所述si mosfets8漏极相连在一起形成节点g,所述二极管d1阴极、所述二极管d3阴极、所述simosfets5漏极、所述simosfets7漏极和所述电解电容c2阳极相连后形成节点e,所述二极管d2阳极、所述二极管d4阳极、所述simosfets6源极、所述si mosfets8源极...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈一鹤叶思文贺凯李煌高飞杨喜军
申请(专利权)人:上海交通大学
类型:发明
国别省市:

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