System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种隔离变压器提供高边驱动NMOS的电源电路制造技术_技高网

一种隔离变压器提供高边驱动NMOS的电源电路制造技术

技术编号:41086220 阅读:2 留言:0更新日期:2024-04-25 13:48
本发明专利技术公开了一种隔离变压器提供高边驱动NMOS的电源电路,用于控制高边驱动NMOS管电路的通断,包括DCDC电源电路、变压器电路和NMOS驱动控制电路,所述DCDC模块U1控制所述隔离变压器E1产生多路相互隔离的电源电压,各路相互隔离的电源电压分别向各个驱动芯片提供电源,各个驱动芯片的控制信号输出单元U3的控制下,分别控制各个NMOS管的通断,从而实现对多个电路的通断控制。本发明专利技术中的电源电路可驱动多路高端NMOS电路,实现通道的扩展应用;各路电源相互隔离,互不干扰;应用灵活,可使用在低压,中压,高压应用场景中;且电路延迟低,开关速度快。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电源管理技术研究领域,具体涉及一种隔离变压器提供高边驱动nmos的电源电路。


技术介绍

1、nmos管因其导通内阻低,开关速度快,因此被广泛用于开关电源上。现有的切断电源电路的方案有两种,切断负极回路或者切断正极回路。

2、采用切断负极回路方案时,通常将nmos用于切断负极回路,切断负极nmos的方案应用于电池管理系统bms和电池pack上,将负极回路切断后,正极端口还有电压存在,对于用户安全上存在隐患。对于切断负极回路的方案中存在的问题,可采用切断正极方案的方法来解决,但是,采用切断正极回路方案时,电路中使用pmos作为开关应用较常见,由于pmos制造工艺的限制,同尺寸的封装内阻比较大,过电流发热严重,不适用于大电流回路中。


技术实现思路

1、有鉴于此,有必要提供一种安全可靠、电路延迟低、开关速度快的隔离变压器提供高边驱动nmos的电源电路。

2、一种隔离变压器提供高边驱动nmos的电源电路,用于控制高边驱动nmos管电路的通断,包括dcdc电源电路、变压器电路和nmos驱动控制电路,其中,

3、所述dcdc电源电路,用于向负载提供电源,同时为所述变压器电路和所述nmos驱动控制电路提供工作电源;所述dcdc电源电路连接于电源正极b+和输出正极p+之间,设置有至少一个nmos管;

4、所述变压器电路,用于将所述dcdc电源电路的输入电压变换为多路隔离电压,分别为多路所述nmos驱动控制电路提供工作电源;

5、所述nmos驱动控制电路,用于在控制信号输出单元u3的控制下,向所述dcdc电源电路的nmos管发送通断信号,以控制所述dcdc电源电路的通断。

6、优选地,所述dcdc电源电路包括dcdc模块u1和降压单元u2,所述电源正极b+连接至所述dcdc模块u1的输入端,所述dcdc模块u1的输出端连接至所述变压器电路的初级绕组;所述电源正极b+通过所述nmos管连接至输出正极p+。

7、优选地,所述降压单元u2的输入端连接至所述dcdc模块u1,所述降压单元u2的输出端连接至所述控制信号输出单元u3,所述降压单元u2将输入的高电压降压至所述控制信号输出单元u3所需的工作电压。

8、优选地,所述变压器电路包括隔离变压器e1,所述隔离变压器e1具有初级绕组和多个相互隔离的次级绕组,所述初级绕组连接至所述dcdc模块u1的输出端,多个所述次级绕组包括第一次级绕组vde、第二次级绕组vfet和第三次级绕组vsp,每个所述次级绕组的输出端分别设有一个稳压电路,所述次级绕组的同名端连接至所述nmos驱动控制电路,所述次级绕组的异名端接地。

9、优选地,多个所述次级绕组还包括第四次级绕组vt,所述第四次级绕组具有一个稳压电路,所述第四次级绕组vt用于电路上的辅助电源。

10、优选地,所述nmos驱动控制电路包括控制信号输出单元u3和至少一个驱动芯片,所述驱动芯片的hin引脚连接至所述控制信号输出单元u3的控制信号输出端;所述驱动芯片的vb引脚连接至所述次级绕组的同名输出端,向所述驱动芯片提供驱动电源;所述驱动芯片的vs引脚连接至所述次级绕组的异名输出端,同时连接至所述nmos管的漏极;所述驱动芯片的ho引脚连接至所述nmos管的栅极,向所述nmos管提供通断信号。

11、上述隔离变压器提供高边驱动nmos的电源电路中,所述dcdc模块u1控制所述隔离变压器e1产生多路相互隔离的电源电压,各路相互隔离的电源电压分别向各个驱动芯片提供电源,各个驱动芯片的控制信号输出单元u3的控制下,分别控制各个nmos管的通断,从而实现对多个电路的通断控制。本专利技术中的电源电路可驱动多路高端nmos电路,实现通道的扩展应用;各路电源相互隔离,互不干扰;应用灵活,可使用在低压,中压,高压应用场景中;且电路延迟低,开关速度快。本专利技术的电路结构合理,容易实现,便于推广。

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【技术保护点】

1.一种隔离变压器提供高边驱动NMOS的电源电路,用于控制高边驱动NMOS管电路的通断,其特征在于,包括DCDC电源电路、变压器电路和NMOS驱动控制电路,其中,

2.如权利要求1所述的隔离变压器提供高边驱动NMOS的电源电路,其特征在于,所述DCDC电源电路包括DCDC模块U1和降压单元U2,所述电源正极B+连接至所述DCDC模块U1的输入端,所述DCDC模块U1的输出端连接至所述变压器电路的初级绕组;所述电源正极B+通过所述NMOS管连接至输出正极P+。

3.如权利要求2所述的隔离变压器提供高边驱动NMOS的电源电路,其特征在于,所述降压单元U2的输入端连接至所述DCDC模块U1,所述降压单元U2的输出端连接至所述控制信号输出单元U3,所述降压单元U2将输入的高电压降压至所述控制信号输出单元U3所需的工作电压。

4.如权利要求3所述的隔离变压器提供高边驱动NMOS的电源电路,其特征在于,所述变压器电路包括隔离变压器E1,所述隔离变压器E1具有初级绕组和多个相互隔离的次级绕组,所述初级绕组连接至所述DCDC模块U1的输出端,多个所述次级绕组包括第一次级绕组VDE、第二次级绕组VFET和第三次级绕组VSP,每个所述次级绕组的输出端分别设有一个稳压电路,所述次级绕组的同名端连接至所述NMOS驱动控制电路,所述次级绕组的异名端接地。

5.如权利要求4所述的隔离变压器提供高边驱动NMOS的电源电路,其特征在于,多个所述次级绕组还包括第四次级绕组VT,所述第四次级绕组具有一个稳压电路,所述第四次级绕组VT用于电路上的辅助电源。

6.如权利要求5所述的隔离变压器提供高边驱动NMOS的电源电路,其特征在于,所述NMOS驱动控制电路包括控制信号输出单元U3和至少一个驱动芯片,所述驱动芯片的HIN引脚连接至所述控制信号输出单元U3的控制信号输出端;所述驱动芯片的VB引脚连接至所述次级绕组的同名输出端,向所述驱动芯片提供驱动电源;所述驱动芯片的VS引脚连接至所述次级绕组的异名输出端,同时连接至所述NMOS管的漏极;所述驱动芯片的HO引脚连接至所述NMOS管的栅极,向所述NMOS管提供通断信号。

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【技术特征摘要】

1.一种隔离变压器提供高边驱动nmos的电源电路,用于控制高边驱动nmos管电路的通断,其特征在于,包括dcdc电源电路、变压器电路和nmos驱动控制电路,其中,

2.如权利要求1所述的隔离变压器提供高边驱动nmos的电源电路,其特征在于,所述dcdc电源电路包括dcdc模块u1和降压单元u2,所述电源正极b+连接至所述dcdc模块u1的输入端,所述dcdc模块u1的输出端连接至所述变压器电路的初级绕组;所述电源正极b+通过所述nmos管连接至输出正极p+。

3.如权利要求2所述的隔离变压器提供高边驱动nmos的电源电路,其特征在于,所述降压单元u2的输入端连接至所述dcdc模块u1,所述降压单元u2的输出端连接至所述控制信号输出单元u3,所述降压单元u2将输入的高电压降压至所述控制信号输出单元u3所需的工作电压。

4.如权利要求3所述的隔离变压器提供高边驱动nmos的电源电路,其特征在于,所述变压器电路包括隔离变压器e1,所述隔离变压器e1具有初级绕组和多个相互隔离的次级绕组,所述初...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔡宝凡李启庆林婉儿石伟
申请(专利权)人:深圳市泰科动力系统有限公司
类型:发明
国别省市:

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