【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体存储器件及其制造方法，并且更具体地，涉及一种包括sram单元的半导体存储器件及其制造方法。
技术介绍
1、半导体器件由于其小尺寸、多功能特性和/或低制造成本而广泛用于电子工业中。半导体器件可以被分类为用于存储逻辑数据的半导体存储器件、用于处理逻辑数据的半导体逻辑器件、以及具有半导体存储器件的功能和半导体逻辑器件的功能两者的混合半导体器件中的任何一种。随着电子工业的发展，对具有优良特性的半导体器件的需求越来越大。例如，对高可靠性、高速和/或多功能半导体器件的需求越来越大。为了满足这些需求，半导体器件已经高度集成，并且半导体器件的结构变得越来越复杂。
技术实现思路
1、在一个方面中，一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有源图案，在第一表面上；第一沟道图案，在第一有源图案上，并且第一源/漏图案连接到该第一沟道图案；栅电极，设置在第一沟道图案上，并沿第一方向延伸，该栅电极在与第一方向相交的第二方向上与第一源/漏图案相邻；共享接触部，设置在第一源/漏图案和栅电极下方，并将第一源/漏图案和栅电极彼此电连接；以及背面金属层，在第二表面上。
2、在一个方面中，一种半导体存储器件可以包括衬底上的sram单元。sram单元可以包括第一上拉/下拉晶体管和第二上拉/下拉晶体管；以及将第一上拉/下拉晶体管的公共源极/漏极连接到第二上拉/下拉晶体管的公共栅极的第一节点。第一节点可以包括连接到公共源极/漏极和公共栅极以将公共源极/漏极和公共栅极
3、在一个方面中，一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括位单元区域；第一有源图案和第二有源图案，在位单元区域上，第一有源图案在第一方向上与第二有源图案间隔开；器件隔离层，填充第一有源图案和第二有源图案之间的沟槽；第一沟道图案，在第一有源图案上，并且第一源/漏图案连接到该第一沟道图案；第二沟道图案，在第二有源图案上，并且第二源/漏图案连接到该第二沟道图案；栅电极，设置在第一沟道图案上，并沿第一方向延伸；栅极绝缘层，在栅电极和第一沟道图案之间；栅极间隔物，在栅电极的至少一个侧壁上；栅极封盖图案，在栅电极上；层间绝缘层，在栅极封盖图案上；有源接触部，穿透层间绝缘层，以便连接到第二源/漏图案；第一金属层，在层间绝缘层上，该第一金属层包括电连接到有源接触部的位线；以及共享接触部，设置在第一源/漏图案和栅电极下方，并将第一源/漏图案和栅电极彼此电连接。
4、在一个方面中，一种制造半导体存储器件的方法可以包括：在衬底的前表面上形成有源图案；在有源图案上形成沟道图案和源/漏图案；在沟道图案上形成沿第一方向延伸的栅电极；形成背面接触孔，该背面接触孔通过衬底的背面暴露源/漏图案和栅电极；以及在背面接触孔中形成共享接触部。共享接触部可以将源/漏图案和栅电极彼此电连接。
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1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述共享接触部从所述第二表面竖直地延伸到所述第一源/漏图案和所述栅电极。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述共享接触部的底表面与所述第二表面共面。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第一金属层还包括虚设焊盘。
8.根据权利要求6所述的半导体存储器件，还包括：
9.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第一沟道图案和所述第二沟道图案中的每一个包括顺序地堆叠的半导体图案，并且
10.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第一沟道图案和所述第二沟道图案中的每一个包括顺序地堆叠的半导体图案，并且
11.一种半导体存储器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中：
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述共享接触部从所述第二表面竖直地延伸到所述第一源/漏图案和所述栅电极。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述共享接触部的底表面与所述第二表面共面。
5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第一金属层还包括虚设焊盘。
8.根据权利要求6所述的半导体存储器件，还包括：
9.根据权利要求6所述的半导体存储器件，其中，所述第一沟道图案和所述第二沟道图案中的每一个包括顺序地堆叠的半导体图案，并且
10.根据权利要...
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