【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅太阳能电池，具体涉及到一种无栅线太阳能电池组件制备方法及无栅线太阳能电池组件。
技术介绍
1、目前，常用的太阳能电池制作方法主要包括电池片制备、丝网印刷、组件封装等步骤。在传统的太阳能电池制作中，常使用丝网印刷技术来制作电池的栅线，但这种方法存在银浆料损耗、精度限制以及成本较高等问题。
2、随着行业的快速发展，对晶硅电池片的降本增效提出了更高要求。在电池片的成本方面，目前银浆料的成本仅次于硅材料，高达15-25%。在发电量方面，电池片表面较大的主、细栅线覆盖面积则成为发电量的一大制约因素。
3、因此，无主栅线电池片技术应运而生。它将在常规电池片基础上，去掉主栅线，仅保留细栅线，一方面可以大大减少银浆的使用量，另一方面还可以增大电池片的有效光照面积，提高光伏组件的发电效率。
4、尽管现有技术中的该制作方法具有一定的优势，如无需丝网印刷栅线、增大受光面积、降低成本等，但仍存在一些问题。首先，去掉主栅线只保留细栅线，还是对电池受光面遮挡，组件效率提升受限。其次，现有技术中无主栅电池组件，需使用串焊机把电池片串联起来，在焊接过程中可能导致焊接不牢固或破坏电池片。此外，现有技术中的制程工艺比较复杂，需电池片制程和组件制程两大工序，设备成本高。
5、因此，目前仍需要改进现有技术，以提高太阳能电池的性能、效率和制作过程的简化。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术旨在提供一种无栅线太阳能电池组件制备方法，可以实现在基板
2、本申请为无栅线太阳能电池组件制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
3、s1，在玻璃基板上使用pvd技术沉积一次铜薄膜；
4、s2，制作一次掩膜，所述一次掩膜覆盖的位置作为硅片焊接区域和铜导线的覆盖区域；每个硅片焊接区域通过铜导线相连，所述铜导线一端露出作为电池外接阴极；
5、s3，在硅片焊接区域点注焊锡，然后将薄硅片放置在所述硅片焊接区域进行加热，使薄硅片与一次铜薄膜焊接在一起；
6、s4，在所述玻璃基板上制作二次反掩膜，所述二次反掩膜覆盖的位置包括除硅片放置区域的其他位置，使硅片放置区域无覆盖；
7、s5，在所述硅片放置区域依次沉积太阳能电池的膜层结构，形成太阳能电池pn结后，将所述二次反掩膜剥离，得到太阳能电池；
8、s6，在太阳能电池外区域进行注胶并烘干固化，固化后的胶平面面积不大于pn结平面；
9、s7，制作三次掩膜并沉积二次铜薄膜，在所述三次掩膜的露出区域制成铜导线，之后将所述三次掩膜剥离；
10、s8，基板整面沉积透明导电薄膜，制成太阳能电池阳极，所述透明导电薄膜层与二次铜薄膜相连，由所述二次铜薄膜制成的铜导线的一端露出做外接阳极用；
11、s9，最后，使用封装胶膜进行封装，并加盖背板，制成太阳能电池组件。
12、进一步的，所述硅片的厚度≤100um。
13、进一步的，所述一次铜薄膜厚度为10um~50um。
14、作为本申请的一种优选实施方案，所述透明导电薄膜为tco薄膜、ito薄膜、azo薄膜或者fto薄膜中的一种。
15、进一步的，所述s5中太阳能电池的膜层结构包含非晶硅层或微晶硅层。
16、基于上述方法，本申请还请求保护无栅线太阳能电池组件，所述电池组件采用上述制备方法制成。
17、与现有技术相比，本技术方案的有益效果如下：
18、1、采用pvd沉积铜薄膜在基板上制作太阳能电池，将电池与基板相结合，以掩膜法制备外栅线，实现电池受光面完全无遮挡，进一步提高了电池的光电转换效率，相较于传统的丝网印刷栅线，无需使用丝网印刷栅线的制造过程。
19、2、通过制作一次掩膜，将掩膜覆盖在硅片放置区域和铜导线上，实现了电池区域的连接和硅片的焊接，使得电池片与基板相结合。
20、3、制作二次反掩膜后，依次沉积太阳能电池膜层结构，形成太阳能电池后再剥离掩膜，简化传统制程工艺，减少了制作成本和时间。
21、4、通过制作三次掩膜并沉积铜薄膜，露出区域制成铜导线后将掩膜剥离，实现了电池阳极的制作，从而完全去除了传统电池中的银浆，进一步降低了电池成本。
22、5、整面沉积tco薄膜制成太阳能电池阳极，且与二次铜导线相连，二次铜导线一端露出做外接阳极用
23、6、最后使用封装胶膜进行封装，并加盖玻璃背板，制成太阳能电池组件，整个制作过程一次性完成，提高了生产效率。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.无栅线太阳能电池组件制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的无栅线太阳能电池组件制备方法，其特征在于，所述硅片的厚度≤100um。
3.根据权利要求1所述的无栅线太阳能电池组件制备方法，其特征在于，所述一次铜薄膜厚度为10um~50um。
4.根据权利要求1至3任一项所述的无栅线太阳能电池组件制备方法，其特征在于，所述透明导电薄膜为TCO薄膜、ITO薄膜、AZO薄膜或者FTO薄膜中的一种。
5.根据权利要求4所述的无栅线太阳能电池组件制备方法，其特征在于，所述S5中太阳能电池的膜层结构包含非晶硅层或微晶硅层。
6.无栅线太阳能电池组件，其特征在于，所述电池组件采用如权利要求1至5任一项制备方法制成。
【技术特征摘要】
1.无栅线太阳能电池组件制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的无栅线太阳能电池组件制备方法，其特征在于，所述硅片的厚度≤100um。
3.根据权利要求1所述的无栅线太阳能电池组件制备方法，其特征在于，所述一次铜薄膜厚度为10um~50um。
4.根据权利要求1至3任一项所述的无栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：施栓林，崔艳峰，黄强，
申请(专利权)人：中能创光电科技常州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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