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基于双平行调制器的下变频和自干扰对消方法及结构技术

技术编号:41072280 阅读:3 留言:0更新日期:2024-04-24 11:28
本发明专利技术公开了基于双平行调制器的下变频和自干扰对消方法及结构,主要涉及光通信技术领域和微波技术领域。本发明专利技术将自干扰对消功能和大瞬时带宽下变频的功能在一个集成系统内实现。其中,DP‑MZM完成光域自干扰对消的功能,通过TTDL实现时延匹配,调节直流源DC2实现幅度匹配,再通过设置DP‑MZM的主调DC3实现相位相反。DP‑MZM输出的自干扰对消后的信号与MLL输出的光学频率梳耦合为一路输入到PD中,在PD拍频过程中完成大瞬时带宽下变频。本发明专利技术主要用于未来机载平台雷达、侦察和通信功能集成一体化系统中,能够同时实现大瞬时带宽下变频和自干扰对消两种功能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于雷达、侦察和通信功能集成一体化的方法,涉及光通信和微波。


技术介绍

1、无论是在全双工无限通信过程还是在连续波雷达收发过程中,由于发射天线和接收天线一般在同一平台上,收发信号在同一时间进行,发射天线发出的信号经过空间传播之后会泄漏到接收天线,这部分泄露信号可称之为自干扰信号,会对接收天线接收到的有用信号产生干扰。通常情况下,发射天线泄露的自干扰信号功率要远大于有用信号,可以将其完全淹没,对后续分析处理有用信号产生不利的后果,这种现象被称为自干扰。同时,在未来机载平台多功能化的发展趋势下,雷达、侦察和通信功能逐渐趋向集成一体化,接收机不仅需要自干扰对消功能来对消掉接收的自干扰信号,还需要侦察功能,能够接收大瞬时带宽内的目标信号,并进行下变频和数字域信号处理,获得目标信号参数。


技术实现思路

1、为解决在未来机载平台雷达、侦察和通信功能集成一体化结构中同时消除自干扰信号和大瞬时带宽下变频的问题,本专利技术提供了一种基于双平行调制器的下变频和自干扰对消方法及结构

2、为达到上述技术目的,本专利技术提出的一种基于双平行调制器的下变频和自干扰对消方法,技术方案包括:

3、s1:ld输出的光作为载波注入到dp-mzm中;

4、s2:接收天线接收到的信号输入到mzm1的射频输入端口,发射天线耦合出的参考信号输入到可调电延时线中;

5、s3:调节参考信号和自干扰信号的延时匹配后输入到mzm2的射频输入端口;

6、s4:在dp-mzm内部进行自干扰对消处理;

7、s5:dp-mzm和mll输出的信号经过oc合成一路信号输入到edfa中进行功率放大;

8、s6:edfa输出的光放大信号输入到pd进行光电转换以及拍频完成大瞬时带宽下变频;

9、s7:pd输出的电信号经过lpf低通滤波之后输出只包含有用信号的中频信号。

10、进一步的,上述步骤4中自干扰对消处理还可以包括:通过控制dc1使dp-mzm的子调制器mzm1偏置在最小传输点;通过控制dc2使自干扰信号和参考信号的幅度相等;通过控制dc3使dp-mzm主调偏置在最小传输点。

11、本专利技术还提出了一种应用上述任一方法的结构,包括:发射天线、接收天线、锁模激光器mll、激光器ld、直流源dc1、直流源dc2、直流源dc3、可调电延时线ttdl、光耦合器oc、双平行马赫增德尔调制器dp-mzm、掺铒光纤放大器edfa、光电探测器pd、低通滤波器lpf;其中激光器ld的输出端口与双平行马赫增德尔调制器dp-mzm输入端口相连,锁模激光器mll的输出端口通过光耦合器oc与双平行马赫增德尔调制器dp-mzm的输出端口相连,光耦合器oc的输出端口与掺铒光纤放大器edfa的输入端口相连,掺铒光纤放大器edfa的输出端口与光电探测器pd的输入端口相连,光电探测器pd的输出端口与低通滤波器lpf的输入端口相连;所述双平行马赫增德尔调制器dp-mzm内部共集成两个子马赫增德尔调制器,分别为mzm1和mzm2。

12、本专利技术提出了一种基于双平行调制器的下变频和自干扰对消方法,结合微波光子学大带宽、低损耗、抗电磁干扰、体积小和重量轻的技术优势,解决了同时大瞬时带宽下变频和自干扰信号对消问题。本专利技术利用激光器输出光载波,在光域通过双平行马赫曾德尔调制器完成自干扰对消,并且通过调节可调电延时线实现自干扰信号和参考信号的延时匹配,通过调节双平行马赫曾德尔调制器子调制器的直流偏压实现自干扰信号和参考信号的幅度匹配,最终通过双平行马赫曾德尔调制器主调直流偏压实现自干扰信号和参考信号的相位反相,在光域实现了自干扰信号的对消。本专利技术用锁模激光器输出的光学频率梳与有用信号在光电探测器内拍频,实现了大瞬时带宽下变频的过程,最终通过低通滤波器滤波得到有用中频信号。本专利技术构建的大瞬时带宽下变频和自干扰对消结构,采用光学模拟系统,突破电子带宽瓶颈,整个系统的下变频瞬时带宽仅取决于光学频率梳的带宽,自干扰对消深度则由电延时线精度和双平行马赫曾德尔调制器直流偏压精度决定。本专利技术具有对接收信号大瞬时带宽下变频和自干扰对消的能力,且结构简单稳定。

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【技术保护点】

1.基于双平行调制器的下变频和自干扰对消方法,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的基于双平行调制器的下变频和自干扰对消方法,其特征在于:所述步骤4的自干扰对消处理还包括:

3.一种应用权利要求1或权利要求2所述方法的结构,其特征在于:包括:发射天线、接收天线、锁模激光器MLL、激光器LD、直流源DC1、直流源DC2、直流源DC3、可调电延时线TTDL、光耦合器OC、双平行马赫增德尔调制器DP-MZM、掺铒光纤放大器EDFA、光电探测器PD、低通滤波器LPF;其中激光器LD的输出端口与双平行马赫增德尔调制器DP-MZM输入端口相连,锁模激光器MLL的输出端口通过光耦合器OC与双平行马赫增德尔调制器DP-MZM的输出端口相连,光耦合器OC的输出端口与掺铒光纤放大器EDFA的输入端口相连,掺铒光纤放大器EDFA的输出端口与光电探测器PD的输入端口相连,光电探测器PD的输出端口与低通滤波器LPF的输入端口相连;所述双平行马赫增德尔调制器DP-MZM内部共集成两个子马赫增德尔调制器,分别为MZM1和MZM2。

【技术特征摘要】

1.基于双平行调制器的下变频和自干扰对消方法,其特征在于:

2.根据权利要求1所述的基于双平行调制器的下变频和自干扰对消方法,其特征在于:所述步骤4的自干扰对消处理还包括:

3.一种应用权利要求1或权利要求2所述方法的结构,其特征在于:包括:发射天线、接收天线、锁模激光器mll、激光器ld、直流源dc1、直流源dc2、直流源dc3、可调电延时线ttdl、光耦合器oc、双平行马赫增德尔调制器dp-mzm、掺铒光纤放大器edfa、光电探测器pd、...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨仪王杰江文强何冠良祖雷
申请(专利权)人:中国船舶集团有限公司第七二四研究所
类型:发明
国别省市:

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