【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，特别涉及一种光电传感器、制备方法及光电传感扫描装置。
技术介绍
1、目前图像识别传感器大多为硅基器件，其通过cmos(complementary metal-oxide-semiconductor，互补金属氧化物半导体)结构对图像反射光进行光电转换，再通过集成在一起的roic(read out ic，读出芯片)将模拟信号转变为数字信号，后端主控芯片对数字信号读取与解码，生成条形码所包含的信息。由于图像传感器中cmos与roic均为硅基器件，价格昂贵，导致条形码扫描仪成本较高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种光电传感器、制备方法及光电传感扫描装置，以解决现有的硅基器件的光电传感扫描装置成本较高的技术问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种光电传感器，包括：玻璃基板和设置在玻璃基板上的像素单元阵列，所述像素单元阵列包括多个行列分布的像素传感器，在第一方向上排列的一排像素传感器与一条第一方向信号线连接；所述像素传感器用于将光信号转换为电压信号，所述第一方向信号线输出所连接的像素传感器的电压信号。
3、在一种的可能实现中，所述光电传感器还包括设置在玻璃基板上的第一驱动电路，所述第一驱动电路引出多条第二方向信号线，每条第二方向信号线为在第二方向上排列的一排像素传感器提供驱动信号。
4、在一种的可能实现中，所述像素传感器为有源像素传感器；所述有源像素传感器包括：pin光电二极管、用于对pin光电二极管进行复位的第一薄膜晶体管，用
5、在一种的可能实现中，所述像素传感器为无源像素传感器；所述无源像素传感器包括：pin光电二极管和第四薄膜晶体管；所述第四薄膜晶体管的第一极连接pin光电二极管，所述第四薄膜晶体管的第二极连接第一方向信号线。
6、第二方面，本申请实施例提供一种制备方法，用于制备本申请实施例的光电传感器，包括：
7、在玻璃基板上沉淀多个行列排列的pin光电二极管；
8、采用ltps在玻璃基板的每个pin光电二极管附近沉淀三个薄膜晶体管，或者，采用ltps或者a-si在玻璃基板的每个pin光电二极管附近沉淀一个薄膜晶体管。
9、第三方面，本申请实施例提供一种光电传感扫描装置，包括：本申请实施例的光电传感器和主控芯片，所述主控芯片上集成读出芯片，所述主控芯片与多条第一方向信号线连接。
10、在一种的可能实现中，所述读出芯片用于将接收到的每条第一方向信号线中的像素传感器的电压信号转换为数字信号；
11、所述主控芯片，用于对像素传感器的数字信号进行拼接，输出拼接后的数字信号。
12、在一种的可能实现中，当像素传感器为无源像素传感器，所述读出芯片中设置积分放大器，用于对像素传感器输出的电压信号进行放大。
13、在一种的可能实现中，所述光电传感扫描系统还包括：第二驱动电路，用于为所述主控芯片提供驱动信号。
14、在一种的可能实现中，所述光电传感扫描系统还包括：解码模块，用于对主控芯片输出的拼接后的数字信号进行解码
15、本申请的光电传感器采用了玻璃基板，具有成本低的优势。
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1.一种光电传感器，其特征在于，包括：玻璃基板和设置在玻璃基板上的像素单元阵列，所述像素单元阵列包括多个行列分布的像素传感器，在第一方向上排列的一排像素传感器与一条第一方向信号线连接；所述像素传感器用于将光信号转换为电压信号，所述第一方向信号线输出所连接的像素传感器的电压信号。
2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括设置在玻璃基板上的第一驱动电路，所述第一驱动电路引出多条第二方向信号线，每条第二方向信号线为在第二方向上排列的一排像素传感器提供驱动信号。
3.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述像素传感器为有源像素传感器；所述有源像素传感器包括：PIN光电二极管、用于对PIN光电二极管进行复位的第一薄膜晶体管，用于对PIN光电二极管输出的电压进行放大的第二薄膜晶体管，以及用于选通放大后的电压到第二方向信号线的第三薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的控制极连接复位电压，所述第一薄膜晶体管的第一极连接PIN光电二极管，所述第一薄膜晶体管的第二极连接电源电压；所述第二薄膜晶体管的控制极连接PIN光电二极管，所述第二薄膜晶体管的
4.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述像素传感器为无源像素传感器；所述无源像素传感器包括：PIN光电二极管和第四薄膜晶体管；所述第四薄膜晶体管的第一极连接PIN光电二极管，所述第四薄膜晶体管的第二极连接第一方向信号线。
5.一种制备方法，其特征在于，用于制备权利要求3-4任一项所述的光电传感器，包括：
6.一种光电传感扫描装置，其特征在于，包括：权利要求1-4任一项所述的光电传感器和主控芯片，所述主控芯片上集成读出芯片，所述主控芯片与多条第一方向信号线连接。
7.根据权利要求6所述的光电传感扫描装置，其特征在于，所述读出芯片用于将接收到的每条第一方向信号线中的像素传感器的电压信号转换为数字信号；
8.根据权利要求7所述的光电传感扫描装置，其特征在于，当像素传感器为无源像素传感器，所述读出芯片中设置积分放大器，用于对像素传感器输出的电压信号进行放大。
9.根据权利要求6所述的光电传感扫描装置，其特征在于，所述光电传感扫描系统还包括：第二驱动电路，用于为所述主控芯片提供驱动信号。
10.根据权利要求7所述的光电传感扫描装置，其特征在于，所述光电传感扫描系统还包括：解码模块，用于对主控芯片输出的拼接后的数字信号进行解码。
...【技术特征摘要】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：玻璃基板和设置在玻璃基板上的像素单元阵列，所述像素单元阵列包括多个行列分布的像素传感器，在第一方向上排列的一排像素传感器与一条第一方向信号线连接；所述像素传感器用于将光信号转换为电压信号，所述第一方向信号线输出所连接的像素传感器的电压信号。
2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光电传感器还包括设置在玻璃基板上的第一驱动电路，所述第一驱动电路引出多条第二方向信号线，每条第二方向信号线为在第二方向上排列的一排像素传感器提供驱动信号。
3.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述像素传感器为有源像素传感器；所述有源像素传感器包括：pin光电二极管、用于对pin光电二极管进行复位的第一薄膜晶体管，用于对pin光电二极管输出的电压进行放大的第二薄膜晶体管，以及用于选通放大后的电压到第二方向信号线的第三薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管的控制极连接复位电压，所述第一薄膜晶体管的第一极连接pin光电二极管，所述第一薄膜晶体管的第二极连接电源电压；所述第二薄膜晶体管的控制极连接pin光电二极管，所述第二薄膜晶体管的第一极连接第三薄膜晶体管的第二极，所述第二薄膜晶体管的第二极连接电源电压；所述第三薄膜晶体管的控制极连接行选信号，所述第三薄膜晶体管的第一极连接第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王凯旋，郭瑞花，张瑞辰，邵喜斌，薛海林，王文昊，张慧，刘建涛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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