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用于形成高密度接触的抗蚀剂内工艺制造技术

技术编号:41071178 阅读:6 留言:0更新日期:2024-04-24 11:27
一种微制造方法,包括在基底的目标层上形成第一浮雕图案,用第一溶解度转变剂涂布第一浮雕图案,将第一聚合物填充物层叠在第一浮雕图案上,以及使第一溶解度转变剂扩散到第一聚合物填充物中以提供第一聚合物填充物的溶解度转变区域。然后,该方法包括在第一浮雕图案上形成第二浮雕图案,用第二溶解度转变剂涂布第二浮雕图案,将第二聚合物填充物层叠在第二浮雕图案上,以及使第二溶解度转变剂扩散到第二聚合物填充物中以提供第二聚合物填充物的溶解度转变区域。最后,对第一聚合物填充物和第二聚合物填充物的溶解度转变区域进行显影并蚀刻目标层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍

1、多重图案化是描述使用多个光刻步骤来创建最终图案的术语。不同形式的多重图案化可以生产先进的半导体设备。图案化典型地包括两个基本步骤。第一步包括使用光刻通过基于掩模的曝光来创建图案,接着是对可溶区域进行显影。第二步包括通过定向或各向异性蚀刻将图案转移到下面的材料中。这两个步骤一起可以被称为对设备进行图案化。

2、高密度接触阵列是动态存取随机存储器(dram)和静态随机存取存储器(sram)技术的定义特征,对于先进逻辑很重要。常规的多重图案化工艺可以穿过侧壁间隔物的平面以形成接触阵列。然而,由于需要气相沉积和蚀刻,侧壁间隔物加工相对昂贵且耗时。


技术实现思路

1、提供此概述是为了介绍一些构思的选择,这些构思将在下面的详细描述中进一步描述。此概述并不旨在标识所要求保护的主题的关键或基本特征,也不旨在用作限制所要求保护的主题的范围的帮助。

2、在一方面,本文公开的实施方案涉及一种微制造方法,该方法包括提供其上形成有目标层的基底、在基底上形成第一浮雕图案、用第一溶解度转变剂涂布所述第一浮雕图案、以及将第一聚合物填充物层叠在所述第一浮雕图案上。然后该方法包括使所述第一溶解度转变剂以预定距离扩散到所述第一聚合物填充物中以提供所述第一聚合物填充物的溶解度转变区域,其中所述第一聚合物填充物的所述溶解度转变区域与所述第一浮雕图案接界,并且其中所述第一聚合物填充物的所述溶解度转变区域可溶于第一显影剂。然后第二浮雕图案在所述第一浮雕图案上形成并且用第二溶解度转变剂涂布。然后该方法包括将第二聚合物填充物层叠在所述第二浮雕图案上以及使所述第二溶解度转变剂以预定距离扩散到所述第二聚合物填充物中以提供所述第二聚合物填充物的溶解度转变区域,其中所述第二聚合物填充物的所述溶解度转变区域与所述第二浮雕图案接界,并且其中所述第二聚合物填充物的所述溶解度转变区域可溶于第二显影剂。最后该方法包括对所述第一聚合物填充物和所述第二聚合物填充物进行显影,使得所述第一聚合物填充物的所述溶解度转变区域和所述第二聚合物填充物的所述溶解度转变区域被溶解,从而在所述第一浮雕图案、所述第一聚合物填充物、所述第二浮雕图案和所述第二聚合物填充物之间提供间隙,其中所述目标层的一部分被暴露,并且使用所述第一浮雕图案、所述第一聚合物填充物、所述第二浮雕图案和所述第二聚合物填充物作为组合蚀刻掩模来蚀刻所述目标层。

3、在另一方面,本文公开的实施方案涉及一种微制造方法,该方法包括提供其上形成有目标层的基底、在所述基底上形成第一浮雕图案、用第一溶解度转变剂涂布所述第一浮雕图案、将所述第一聚合物填充物层叠在所述第一浮雕图案上以及使所述第一溶解度转变剂以预定距离扩散到所述第一聚合物填充物中以提供所述第一聚合物填充物的溶解度转变区域,其中所述第一聚合物填充物的所述溶解度转变区域与所述第一浮雕图案接界。然后该方法包括对所述第一聚合物填充物进行显影,使得所述第一聚合物填充物的所述溶解度转变区域被溶解,从而在所述第一浮雕图案和所述第一聚合物填充物之间提供间隙,其中所述目标层的一部分被暴露以及使用所述第一浮雕图案和所述第一聚合物填充物作为组合蚀刻掩模来蚀刻所述目标层。然后该方法包括在所述基底上形成第二浮雕图案、用第二溶解度转变剂涂布所述第二浮雕图案、将第二聚合物填充物层叠在所述第二浮雕图案上以及使所述第二溶解度转变剂以预定距离扩散到所述第二聚合物填充物中以提供所述第二聚合物填充物的溶解度转变区域,其中所述第二聚合物填充物的所述溶解度转变区域与所述第二浮雕图案接界。最后该方法包括对所述第二聚合物填充物进行显影,使得所述第二聚合物填充物的所述溶解度转变区域被溶解,从而在所述第二浮雕图案和所述第二聚合物填充物之间提供间隙,其中所述目标层的一部分被暴露,并且使用所述第二浮雕图案和所述第二聚合物填充物作为组合蚀刻掩模来蚀刻所述基底的所述目标层。

4、要求保护的主题的其他方面和优点将从以下描述和所附权利要求中变得显而易见。

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【技术保护点】

1.一种微制造方法,包括:

2.一种微制造方法,包括:

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述第一浮雕图案包括由特征之间的间隙分隔开的所述特征,其中所述特征包括所述第一抗蚀剂。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述第一聚合物填充物填充所述第一浮雕图案的所述间隙。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述第二浮雕图案包括由特征之间的间隙分隔开的所述特征,其中所述特征包括所述第二抗蚀剂。

6.根据权利要求5所述的方法,其中所述第二聚合物填充物填充所述第二浮雕图案的所述间隙。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中蚀刻所述基底包括执行各向异性蚀刻。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中在所述目标层上提供所述第一浮雕图案包括:

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中所述第一溶解度转变剂包括酸产生剂。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述酸产生剂不含氟。

11.根据权利要求9所述的方法,其中所述酸产生剂选自由锑酸三苯基锍盐、全氟丁磺酸吡啶鎓盐、全氟丁磺酸3-氟吡啶鎓盐、全氟-1-丁磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、2-三氟甲基苯磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、4-叔丁基苯基四亚甲基锍4,4,5,5,6,6-六氟二氢-4H-1,3,2-二噻嗪1,1,3,3-四氧化物及其组合组成的组。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中所述第一溶解度转变剂包含酸。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述酸不含氟。

14.根据权利要求12所述的方法,其中所述酸选自由三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、对甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2-三氟甲基苯磺酸及其组合组成的组。

15.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中所述第一溶解度转变剂包含基质聚合物,所述基质聚合物包含具有烯属不饱和可聚合双键的单体,包括(甲基)丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸;乙烯基芳族单体,诸如苯乙烯、羟基苯乙烯、乙烯基萘和苊;乙烯醇;氯乙烯;乙烯基吡咯烷酮;乙烯基吡啶;乙烯基胺;乙烯基缩醛;马来酸酐;马来酰亚胺;降冰片烯;及其组合。

16.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中所述第二溶解度转变剂包括酸产生剂。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述酸产生剂不含氟。

18.根据权利要求16所述的方法,其中所述酸产生剂选自由锑酸三苯基锍盐、全氟丁磺酸吡啶鎓盐、全氟丁磺酸3-氟吡啶鎓盐、全氟-1-丁磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、2-三氟甲基苯磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、4-叔丁基苯基四亚甲基锍4,4,5,5,6,6-六氟二氢-4H-1,3,2-二噻嗪1,1,3,3-四氧化物及其组合组成的组。

19.根据权利要求1至15中任一项所述的方法,其中所述第二溶解度转变剂包含酸。

20.根据权利要求19所述的方法,其中所述酸不含氟。

21.根据权利要求19所述的方法,其中所述酸选自由三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、对甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2-三氟甲基苯磺酸及其组合组成的组。

22.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中所述第二溶解度转变剂包含基质聚合物,所述基质聚合物包含具有烯属不饱和可聚合双键的单体,包括(甲基)丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸;乙烯基芳族单体,诸如苯乙烯、羟基苯乙烯、乙烯基萘和苊;乙烯醇;氯乙烯;乙烯基吡咯烷酮;乙烯基吡啶;乙烯基胺;乙烯基缩醛;马来酸酐;马来酰亚胺;降冰片烯;及其组合。

23.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中所述第一抗蚀剂是正性显影抗蚀剂,并且所述第一聚合物填充物包含可溶于极性溶剂的聚合物。

24.根据权利要求1至22中任一项所述的方法,其中所述第一抗蚀剂是负性显影抗蚀剂,并且所述第一聚合物填充物包含可溶于非极性有机溶剂的聚合物。

25.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中所述第一溶解度转变剂包含溶剂。

26.根据权利要求25所述的方法,其中所述溶剂选自由甲基异丁基甲醇(MIBC)、癸烷、异丁酸异丁酯、异戊醚及其组合组成的组。

27.根据权利要求25或26所述的方法,其中所述第一抗蚀剂不溶于所述溶剂。

28.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中所述第一抗蚀剂包含由选自由苯乙烯、对羟基苯乙烯、甲基丙烯酸酯、降冰片烯及其组合组成的组中的单体制备的聚合物。

29.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中所述第...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种微制造方法,包括:

2.一种微制造方法,包括:

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述第一浮雕图案包括由特征之间的间隙分隔开的所述特征,其中所述特征包括所述第一抗蚀剂。

4.根据权利要求3所述的方法,其中所述第一聚合物填充物填充所述第一浮雕图案的所述间隙。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述第二浮雕图案包括由特征之间的间隙分隔开的所述特征,其中所述特征包括所述第二抗蚀剂。

6.根据权利要求5所述的方法,其中所述第二聚合物填充物填充所述第二浮雕图案的所述间隙。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中蚀刻所述基底包括执行各向异性蚀刻。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,其中在所述目标层上提供所述第一浮雕图案包括:

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中所述第一溶解度转变剂包括酸产生剂。

10.根据权利要求9所述的方法,其中所述酸产生剂不含氟。

11.根据权利要求9所述的方法,其中所述酸产生剂选自由锑酸三苯基锍盐、全氟丁磺酸吡啶鎓盐、全氟丁磺酸3-氟吡啶鎓盐、全氟-1-丁磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、2-三氟甲基苯磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、4-叔丁基苯基四亚甲基锍4,4,5,5,6,6-六氟二氢-4h-1,3,2-二噻嗪1,1,3,3-四氧化物及其组合组成的组。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中所述第一溶解度转变剂包含酸。

13.根据权利要求12所述的方法,其中所述酸不含氟。

14.根据权利要求12所述的方法,其中所述酸选自由三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、对甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2-三氟甲基苯磺酸及其组合组成的组。

15.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中所述第一溶解度转变剂包含基质聚合物,所述基质聚合物包含具有烯属不饱和可聚合双键的单体,包括(甲基)丙烯酸酯单体;(甲基)丙烯酸;乙烯基芳族单体,诸如苯乙烯、羟基苯乙烯、乙烯基萘和苊;乙烯醇;氯乙烯;乙烯基吡咯烷酮;乙烯基吡啶;乙烯基胺;乙烯基缩醛;马来酸酐;马来酰亚胺;降冰片烯;及其组合。

16.根据以上权利要求中任一项所述的方法,其中所述第二溶解度转变剂包括酸产生剂。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述酸产生剂不含氟。

18.根据权利要求16所述的方法,其中所述酸产生剂选自由锑酸三苯基锍盐、全氟丁磺酸吡啶鎓盐、全氟丁磺酸3-氟吡啶鎓盐、全氟-1-丁磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、2-三氟甲基苯磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、4-叔丁基苯基四亚甲基锍4,4,5,5,6,6-六氟二氢-4h-1,3,2-二噻嗪1,1,3,3-四氧化物及其组合组成的组。

19.根据权利要求1至15中任一项所述的方法,其中所述第二溶解度转变剂包含酸。

20.根据权利要求19所述的方法,其中所述酸不含氟。

21.根据权利要求19所述的方法,其中所述酸选自由三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺...

【专利技术属性】
技术研发人员:布伦南·彼得森菲利普·D·胡斯塔德
申请(专利权)人:杰米纳蒂奥公司
类型:发明
国别省市:

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