【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、半导体装置的微制造包括多个步骤，诸如膜沉积、图案形成和图案转移。材料和膜通过旋涂、气相沉积和其他沉积工艺沉积在基底上。图案形成典型地通过以下方式进行：使用248nm处的krf准分子激光器、193nm处的arf准分子激光器或13.5nm处的极紫外线(euv)曝光工具来使光敏膜(称为光致抗蚀剂)暴露于光化辐射的图案，随后对光致抗蚀剂进行显影以形成浮雕图案。然后，浮雕图案充当蚀刻掩模，当对基底施加一种或多种蚀刻工艺时，该蚀刻掩模覆盖基底的将不被蚀刻的部分。通常使用这样的光刻步骤在基底上实现线切口，其中各个切口利用单独的光刻曝光个别地放置。这随着线宽减小(尤其是当切口彼此靠近放置时)而具有挑战性。
2、对于极大型的装置，单次场曝光(例如大约25×35mm)可能太小。例如，大型图像传感器可能为50×50mm，并且可能需要至少4次曝光才能曝光完整的单晶粒(die)。在这些不同的曝光区域之间，不同的特征期望地被连接，使得存在一次“虚拟”曝光。类似地，为了在摄影中制作全景视图，使多个图像重叠以创建最终的组合图像。虽然图像拼接/组合主要是像素分析，但是在半导体制造的情况下，拼接是物理的。因此，需要精确对准以防止装置故障。
技术实现思路
1、提供此概述是为了介绍一些构思的选择，这些构思将在下面的详细描述中进一步描述。此概述并不旨在标识所要求保护的主题的关键或基本特征，也不旨在用作限制所要求保护的主题的范围的帮助。
2、在一个方面，本文公开的实施方案涉及一种对基底
3、在另一个方面，本文公开的实施方案涉及一种对基底进行图案化的方法，该方法包括在基底上提供第一抗蚀剂层，使第一抗蚀剂层暴露于光化辐射的第一图案以形成第一潜像，使抗蚀剂层暴露于光化辐射的第二图案，以及对抗蚀剂层进行显影以形成浮雕图案，该浮雕图案包括对应于光化辐射的第一图案的第一组沟槽和对应于光化辐射的第二图案的第二组沟槽，其中第一组沟槽和第二组沟槽不连续。接下来，该方法包括用溶解度转变剂涂布浮雕图案，用第二抗蚀剂层涂布浮雕图案，以及使溶解度转变剂以预定距离扩散到第二抗蚀剂层中以提供第二抗蚀剂的溶解度转变区域，其中第二抗蚀剂的溶解度转变区域与第一浮雕图案接界。然后，该方法包括对第二抗蚀剂层进行显影以使多个沟槽拼接在一起。
4、在另一个方面，本文公开的实施方案涉及一种对基底进行图案化的方法，该方法包括在基底上提供第一抗蚀剂层，使第一抗蚀剂层暴露于光化辐射的第一图案以形成第一潜像，使抗蚀剂层暴露于光化辐射的第二图案，以及对第一抗蚀剂层进行显影以形成第一浮雕图案，该第一浮雕图案包括对应于光化辐射的第一图案的第一组沟槽和对应于光化辐射的第二图案的第二组沟槽，其中第一组沟槽和第二组沟槽不连续。接下来，该方法包括用溶解度转变剂涂布第一浮雕图案，在第一浮雕图案上沉积第二抗蚀剂以使得第二抗蚀剂与第一浮雕图案接触，以及使溶解度转变剂以预定距离扩散到第一抗蚀剂层中，其中第一抗蚀剂的溶解度转变区域与第二抗蚀剂接界，以及对第二抗蚀剂层进行显影以使多个沟槽拼接在一起。
5、根据以下描述和所附权利要求，所要求保护的主题的其他方面和优点将变得显而易见。
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1.一种对基底进行图案化的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶解度转变剂包括酸产生剂。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述酸产生剂不含氟。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述酸产生剂选自由以下各项组成的组：全氟丁磺酸吡啶鎓盐、全氟丁磺酸3-氟吡啶鎓盐、全氟-1-丁磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、2-三氟甲基苯磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、4-叔丁基苯基四亚甲基锍4,4,5,5,6,6-六氟二氢-4H-1,3,2-二噻嗪1,1,3,3-四氧化物、锑酸三苯基锍盐及其组合。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含酸。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述酸不含氟。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述酸选自由以下各项组成的组：三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、对甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2-三氟甲基苯磺酸及其组合。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含基质聚合物，所述基质聚合物包含具有烯属不饱
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含基质聚合物，所述基质聚合物包含单体，所述单体包含一个或多个选自以下各项的官能团：羟基、羧基、磺酸、磺酰胺、硅烷醇、氟代醇、无水物、内酯、酯、醚、烯丙胺、吡咯烷酮及其组合。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，还包括在用所述溶解度转变剂涂布所述第一浮雕图案之后立即使所述溶解度转变剂扩散到所述第一浮雕图案中。
11.根据权利要求1所述的方法，其中使所述溶解度转变剂扩散到所述第一浮雕图案中是通过进行烘烤来实现的。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层是正性显影抗蚀剂。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层是负性显影抗蚀剂。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含溶剂。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述溶剂选自由以下各项组成的组：甲基异丁基甲醇(MIBC)、癸烷、异丁酸异丁酯、异戊醚及其组合。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述抗蚀剂层不溶于所述溶剂。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述抗蚀剂包含由选自以下各项组成的组中的单体制备的聚合物：苯乙烯、对羟基苯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、降冰片烯及其组合。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂是正性显影抗蚀剂，并且特定显影剂是碱显影剂。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述碱显影剂是氢氧化四甲基铵。
20.根据权利要求1-19中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层是负性显影抗蚀剂，并且特定显影剂是选自由乙酸正丁酯(NBA)、2-庚酮及其组合组成的组中的非极性有机溶剂。
21.一种对基底进行图案化的方法，包括：
22.一种对基底进行图案化的方法，包括：
23.根据权利要求21或22所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含酸产生剂。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述酸产生剂不含氟。
25.根据权利要求23所述的方法，其中所述酸产生剂选自由以下各项组成的组：全氟丁磺酸吡啶鎓盐、全氟丁磺酸3-氟吡啶鎓盐、全氟-1-丁磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、2-三氟甲基苯磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、4-叔丁基苯基四亚甲基锍4,4,5,5,6,6-六氟二氢-4H-1,3,2-二噻嗪1,1,3,3-四氧化物、锑酸三苯基锍盐及其组合。
26.根据权利要求21-25中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含酸。
27.根据权利要求26所述的方法，其中所述酸不含氟。
28.根据权利要求26所述的方法，其中所述酸选自由以下各项组成的组：三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、对甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2-三氟甲基苯磺酸及其组合。
29.根据权利要求21-28中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含基质聚合物，所述基质聚合物包含具有烯属不饱和可聚合双键的单体，包括(甲基)丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸；乙烯基芳族单体，诸如苯乙烯、...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种对基底进行图案化的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述溶解度转变剂包括酸产生剂。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述酸产生剂不含氟。
4.根据权利要求2所述的方法，其中所述酸产生剂选自由以下各项组成的组：全氟丁磺酸吡啶鎓盐、全氟丁磺酸3-氟吡啶鎓盐、全氟-1-丁磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、2-三氟甲基苯磺酸4-叔丁基苯基四亚甲基锍盐、4-叔丁基苯基四亚甲基锍4,4,5,5,6,6-六氟二氢-4h-1,3,2-二噻嗪1,1,3,3-四氧化物、锑酸三苯基锍盐及其组合。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含酸。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述酸不含氟。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述酸选自由以下各项组成的组：三氟甲磺酸、全氟-1-丁磺酸、对甲苯磺酸、4-十二烷基苯磺酸、2,4-二硝基苯磺酸、2-三氟甲基苯磺酸及其组合。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含基质聚合物，所述基质聚合物包含具有烯属不饱和可聚合双键的单体，包括(甲基)丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸；乙烯基芳族单体，诸如苯乙烯、羟基苯乙烯、乙烯基萘和苊；乙烯醇；氯乙烯；乙烯基吡咯烷酮；乙烯基吡啶；乙烯基胺；乙烯基缩醛；马来酸酐；马来酰亚胺；降冰片烯；及其组合。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含基质聚合物，所述基质聚合物包含单体，所述单体包含一个或多个选自以下各项的官能团：羟基、羧基、磺酸、磺酰胺、硅烷醇、氟代醇、无水物、内酯、酯、醚、烯丙胺、吡咯烷酮及其组合。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，还包括在用所述溶解度转变剂涂布所述第一浮雕图案之后立即使所述溶解度转变剂扩散到所述第一浮雕图案中。
11.根据权利要求1所述的方法，其中使所述溶解度转变剂扩散到所述第一浮雕图案中是通过进行烘烤来实现的。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层是正性显影抗蚀剂。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层是负性显影抗蚀剂。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含溶剂。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述溶剂选自由以下各项组成的组：甲基异丁基甲醇(mibc)、癸烷、异丁酸异丁酯、异戊醚及其组合。
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述抗蚀剂层不溶于所述溶剂。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述抗蚀剂包含由选自以下各项组成的组中的单体制备的聚合物：苯乙烯、对羟基苯乙烯、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、降冰片烯及其组合。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂是正性显影抗蚀剂，并且特定显影剂是碱显影剂。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述碱显影剂是氢氧化四甲基铵。
20.根据权利要求1-19中任一项所述的方法，其中所述抗蚀剂层是负性显影抗蚀剂，并且特定显影剂是选自由乙酸正丁酯(nba)、2-庚酮及其组合组成的组中的非极性有机溶剂。
21.一种对基底进行图案化的方法，包括：
22.一种对基底进行图案化的方法，包括：
23.根据权利要求21或22所述的方法，其中所述溶解度转变剂包含酸产...
【专利技术属性】
技术研发人员：布伦南·彼得森，菲利普·D·胡斯塔德，
申请(专利权)人：杰米纳蒂奥公司，
类型：发明
国别省市：
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