System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种NiO/Mo:BiVO4光阳极及其制备方法技术_技高网

一种NiO/Mo:BiVO4光阳极及其制备方法技术

技术编号:41068195 阅读:8 留言:0更新日期:2024-04-24 11:23
一种NiO/Mo:BiVO<subgt;4</subgt;光阳极及其制备方法,所述光阳极为层状,包括导电玻璃FTO,所述导电玻璃FTO上依次负载超薄NiO层和Mo:BiVO<subgt;4</subgt;层,制备方法为,首先通过原子层沉积设备在导电玻璃FTO上制备超薄NiO层,在得到的超薄NiO层上通过金属有机分解法或电沉积法制备Mo:BiVO<subgt;4</subgt;层,得到NiO/Mo:BiVO<subgt;4</subgt;光阳极;本发明专利技术可以快速导走在光照下发生分离的电子和空穴,减少复合,钝化FTO/BiVO<subgt;4</subgt;界面的缺陷,同时采用工艺简单且易实现的金属有机分解法和电沉积法制备Mo:BiVO<subgt;4</subgt;层,提高光阳极的光电性能,具有工艺简单且易实现的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电化学,具体涉及一种nio/mo:bivo4光阳极及其制备方法。


技术介绍

1、光电化学分解水产氢是解决能源危机的有效手段。bivo4作为一种n型半导体,具有成本低、安全、稳定等特点,在以往的研究中,已证明bivo4具有2.4ev的带隙宽度,在一个太阳光照射下,最大理论光电流约为7.5ma cm-2。价带比水氧化电位更正,具有较大的水氧化动力。但是载流子迁移率低、复合率高、表面反应速率缓慢也是不能忽视的缺点。与不同材料构建异质结可以提高bivo4的水氧化性能。nio因为导带和价带均比bivo4更负,常作为bivo4上层被应用。nio上层可以为bivo4提供更多活性位点、增加能带弯曲或减小反应过电位,一些nio-bivo4复合材料可以改善电极的表面钝化,而为了更快地引导载流子的输运、减少界面间的缺陷和优化晶格匹配程度,常有氧化物作为bivo4底层,以往的研究中常用的氧化物有sno2、wo3、fe2o3、tio2、lu2o3和一些铋系化合物,例如文献“atomically dispersediridium catalysts on silicon photoanode for efficientphotoelectrochemicalwater splitting”,但因为氧化物导电性差,常需要配合表层的金属催化剂来增强载流子的输运,而考虑到电极的透光性,金属催化剂通常以量子点的形式分布在电极表面,金属量子点在氧化物上的锚定还需考虑更多的因素。


技术实现思路

1、为了克服上述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提出一种nio/mo:bivo4光阳极及其制备方法,采用超薄nio层同时作为隧穿层和钝化层,可以快速导走在光照下发生分离的电子和空穴,减少复合,钝化fto/bivo4界面的缺陷,同时采用金属有机分解法和电沉积法制备mo:bivo4层,提高光阳极的光电性能,具有工艺简单且易实现的特点。

2、为了实现上述目的,本专利技术所采用的技术方案是:

3、一种nio/mo:bivo4光阳极,光阳极为层状,包括导电玻璃fto,所述导电玻璃fto上依次负载超薄nio层和mo:bivo4层。

4、所述超薄nio层的厚度为0.5-7nm。

5、所述mo:bivo4层的厚度为20-30nm。

6、所述mo:bivo4层为将bivo4中3%-6%的v原子替代为mo原子,前驱体溶液的掺杂浓度为3-6%(cmo/cv)。

7、一种nio/mo:bivo4光阳极的制备方法,包括以下步骤:

8、步骤1,通过原子层沉积设备在导电玻璃fto上制备超薄nio层;

9、步骤2,在步骤1得到的超薄nio层上通过金属有机分解法或电沉积法制备mo:bivo4层,得到nio/mo:bivo4光阳极。

10、所述金属有机分解法制备mo:bivo4层,具体步骤如下:

11、1)首先将0.25-0.3g bi(no3)3·5h2o溶于1.1-2ml乙二醇、1.5-2.5ml乙酸和0.2-1ml去离子水中,充分搅拌后,加入0.3-0.5g乙酰丙酮氧钒和0.1-0.3ml乙酰丙酮钼的乙二醇溶液,搅拌溶解后,加入0.3-0.5g聚乙二醇-聚丙二醇-聚乙二醇,搅拌溶解后得到mo:bivo4的前驱体溶液;

12、2)在步骤1得到的导电玻璃fto上,旋涂前驱体溶液,把nio层表面全部覆盖,并在50-150℃下干燥1-10min,在400-500℃下退火1-2.5h,在浓度为0.02-0.08wt%的naoh溶液中去除多余的v2o5,得到mo:bivo4层,厚度为20-30nm。

13、所述乙二醇的浓度为95-98wt%,所述乙酸的浓度为95-99.5wt%。

14、所述乙酰丙酮钼的乙二醇溶液具体为将0.05-0.2g乙酰丙酮钼溶于1-2ml乙二醇中。

15、所述电沉积法制备mo:bivo4层,具体步骤如下:

16、1)取0.8-1.2g bi(no3)3·5h2o和4.5-6gnai溶于70-100ml去离子水中,调节溶液ph值为1-1.5,加入50-60ml对苯醌的乙醇溶液,搅拌均匀及得电沉积液;

17、2)采用三电极体系,工作电极为步骤1得到的负载nio的导电玻璃fto,对电极采用铂片或钛片,参比电极采用ag/agcl参比电极;沉积电位采用-0.5~-1v,沉积时间为30-60秒,得到bioi薄膜;

18、3)在bioi薄膜上涂布0.03-0.06ml乙酰丙酮氧钒溶液,50-80℃干燥后,在400-500℃条件下退火60-120分钟,得到亮黄色的薄膜;

19、4)将亮黄色的薄膜在浓度为0.02-0.08wt%的naoh溶液中去除多余的v2o5,得到mo:bivo4层,厚度为20-30nm。

20、所述乙酰丙酮氧钒溶液的浓度为0.04-0.06wt%。

21、所述对苯醌的乙醇溶液具体为将1.1-3.3g对苯醌溶解于50-60ml乙醇中。

22、相对于现有技术,本专利技术的有益效果在于:

23、(1)本专利技术用超薄nio层同时作为隧穿层和钝化层,基于nio和mo:bivo4的能带位置,普通nio层作为mo:bivo4底层时会阻碍载流子输运,而超薄的nio层引起的电子隧穿效应和对fto/mo:bivo4界面处缺陷的钝化促进了载流子的输运,极大的提升了电极性能的提升。

24、(2)本专利技术采用电沉积法和金属有机分解法,工艺简单且易实现,在fto/nio上制备了具有更高光电性能的fto/nio/mo:bivo4光阳极,极大的提高了光电流和光电转化效率。

25、综上,本专利技术采用超薄nio层同时作为隧穿层和钝化层,可以快速导走在光照下发生分离的电子和空穴,减少复合,钝化fto/bivo4界面的缺陷,同时采用工艺简单且易实现的金属有机分解法和电沉积法制备mo:bivo4层,提高光阳极的光电性能。

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【技术保护点】

1.一种NiO/Mo:BiVO4光阳极,其特征在于,所述光阳极为层状,包括导电玻璃FTO,导电玻璃FTO上依次负载超薄NiO层和Mo:BiVO4层。

2.根据权利要求1所述的一种NiO/Mo:BiVO4光阳极,其特征在于,所述超薄NiO层的厚度为0.5-7nm。

3.根据权利要求1所述的一种NiO/Mo:BiVO4光阳极,其特征在于,所述Mo:BiVO4层的厚度为20-30nm。

4.根据权利要求1所述的一种NiO/Mo:BiVO4光阳极,其特征在于,所述Mo:BiVO4层为将BiVO4中3%-6%的V原子替代为Mo原子,前驱体溶液的掺杂浓度为3-6%(CMo/CV)。

5.一种NiO/Mo:BiVO4光阳极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的一种NiO/Mo:BiVO4光阳极的制备方法,其特征在于,所述金属有机分解法制备Mo:BiVO4层,具体步骤如下:

7.根据权利要求6所述的一种NiO/Mo:BiVO4光阳极的制备方法,其特征在于,所述乙二醇的浓度为95-98wt%,所述乙酸的浓度为95-99.5wt%,所述乙酰丙酮钼的乙二醇溶液具体为将0.05-0.2g乙酰丙酮钼溶于1-2ml乙二醇中。

8.根据权利要求5所述的一种NiO/Mo:BiVO4光阳极的制备方法,其特征在于,所述电沉积法制备Mo:BiVO4层,具体步骤如下:

9.根据权利要求8所述的一种NiO/Mo:BiVO4光阳极的制备方法,其特征在于,所述乙酰丙酮氧钒溶液的浓度为0.04-0.06wt%,所述对苯醌的乙醇溶液具体为将1.1-3.3g对苯醌溶解于50-60mL乙醇中。

10.根据权利要求5所述的一种NiO/Mo:BiVO4光阳极的制备方法,其特征在于,所述步骤1中超薄NiO层的厚度为0.5-7nm。

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【技术特征摘要】

1.一种nio/mo:bivo4光阳极,其特征在于,所述光阳极为层状,包括导电玻璃fto,导电玻璃fto上依次负载超薄nio层和mo:bivo4层。

2.根据权利要求1所述的一种nio/mo:bivo4光阳极,其特征在于,所述超薄nio层的厚度为0.5-7nm。

3.根据权利要求1所述的一种nio/mo:bivo4光阳极,其特征在于,所述mo:bivo4层的厚度为20-30nm。

4.根据权利要求1所述的一种nio/mo:bivo4光阳极,其特征在于,所述mo:bivo4层为将bivo4中3%-6%的v原子替代为mo原子,前驱体溶液的掺杂浓度为3-6%(cmo/cv)。

5.一种nio/mo:bivo4光阳极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的一种nio/mo:bivo4光阳极的制备方法,其特征在于,所述金属有机分解法...

【专利技术属性】
技术研发人员:补钰煜付涵朵
申请(专利权)人:西安电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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